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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置结构-CN201810409593.5有效
发明人： 黄文社;薛琇文;陈郁翔;陈启平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：提供半导体装置的结构和形成方法。半导体装置结构包含半导体基底和在半导体基底上的第一介电层。半导体装置结构也包含在第一介电层中的导电部件和在第一介电层上的第二介电层。半导体装置结构还包含电性连接至导电部件的电阻元件。电阻元件的第一部分在第二介电层上，且电阻元件的第二部分往导电部件延伸。
半导体装置结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210091570.0在审
发明人：陈郁翔;黄柏翔;黄文社;蔡行乐;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其制造方法。一种根据本发明的半导体结构包括晶体管和设置在该晶体管上方的互连结构。该互连结构包括：第一介电层；第一导电部件，位于第一介电层中；第一蚀刻停止层(ESL)，设置在第一介电层和第一导电部件上方；介电部件，设置在第一ESL中；电极，设置在介电部件上方；以及第二ESL，设置在第一ESL和电极上。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及布局方法-CN201710741293.2有效
发明人：陈万得;陈重辉;陈启平;林忠亿;黄文社 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例揭露一种半导体装置及布局方法。所述半导体装置包括：第一组导电层，其与有源装置耦合；第二组导电层，其用于连接至外部装置；一组中间导电层，其介于所述第一组导电层与所述第二组导电层之间；及电阻层，其放置于所述一组中间导电层中。
半导体装置布局方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202110750252.6在审
发明人： 黄文社;郑詠世;杨景峰;陈郁翔;陈啟平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，方法包括：在一基板的一前侧上方形成一晶体管，其中该晶体管包含一通道区、该通道区上方的一栅极区及该栅极区的多个相对侧上的多个源极/漏极区；在该晶体管上方形成一前侧互连结构，其中该前侧互连结构包括一介电层及多个导电特征；及经由一接合层将该前侧互连结构接合至一载体基板，其中该接合层是在该前侧互连结构与该载体基板之间，且该接合层相较于该前侧互连结构的该介电层具有一较高导热率。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构-CN201710948498.8有效
发明人：陈万得;陈重辉;陈威志;陈启平;黄文社;林碧玲;刘胜峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本申请提供半导体装置结构，半导体装置结构包含半导体基底、栅极堆叠以及互连结构位于栅极堆叠和半导体基底上方。半导体装置结构也包含电阻元件位于互连结构上方，且电阻元件位于栅极堆叠的正上方。半导体装置结构还包含导热元件位于互连结构上方，在电阻元件的主表面上的导热元件的直接投影延伸跨过主表面的第一虚线的一部分和第二虚线的一部分，第一虚线垂直于第二虚线，第一虚线和第二虚线相交于主表面的中心，半导体装置结构包含介电层将导热元件与电阻元件隔开。
半导体装置结构

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN202110184546.7在审
发明人：李回;黄柏翔;黄文社;王仁宏;宋述仁;纪志坚;李佩璇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本文公开了沿接触蚀刻停止层(CESL)和互连件之间的界面表现出减少的铜空位累积的互连结构以及制造方法。方法包括：在介电层中形成铜互连件；以及在铜互连件和介电层上方沉积金属氮化物CESL。金属氮化物CESL和铜互连件之间的界面具有第一表面氮浓度、第一氮浓度和/或第一数量的氮‑氮结合。实施氮等离子体处理以修改金属氮化物CESL和铜互连件之间的界面。氮等离子体处理将第一表面氮浓度增大至第二表面氮浓度，将第一氮浓度增大至第二氮浓度和/或将第一数量的氮‑氮结合增大至第二数量的氮‑氮结合，它们的每个可以最小化界面处铜空位的累积。
互连结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110191604.9在审
发明人：詹宏伟;郑咏世;黄文社 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括形成导电部件和第一穿通停止层，其中导电部件具有第一顶面，并且第一穿通停止层具有与第一顶面基本水平的第二顶面。该方法还包括在第一穿通停止层上形成电阻元件。该方法还包括蚀刻通过电阻元件的第一部分以形成第一沟槽，该沟槽同时暴露第一穿通停止层的第二顶面和电阻元件的第一侧壁表面。该方法还包括在第一沟槽内形成第一导电通孔，其中第一导电通孔与电阻元件的第一侧壁表面接触。本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110172193.9在审
发明人：詹宏伟;郑咏世;黄文社;陈郁翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：半导体结构包括位于第一导线和第二导线上方的第一介电层、位于第一介电层的部分上方的高电阻层、位于第二介电层上方的低k介电层、位于高电阻层上的第二介电层、延伸穿过低k介电层和第二介电层的第一导电通孔以及穿过低k介电层和第一介电层延伸至第一导线的第二导电通孔。第一导电通孔延伸至高电阻层中。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110176500.0在审
发明人： 黄文社;陈郁翔;陈启平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：器件包括：包含第一晶体管的器件层；第一互连结构，位于器件层的前侧上；以及第二互连结构，位于器件层的背侧上。第二互连结构包括：第一介电层，位于器件层的背侧上；接触件，穿过第一介电层延伸至第一晶体管的源极/漏极区域；导线，通过接触件电连接至第一晶体管的源极/漏极区域；以及散热路径，热连接至器件层，散热路径延伸至第二互连结构的与器件层相对的表面。散热路径包括伪通孔。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构-CN201811041594.5在审
发明人：薛琇文;陈郁翔;黄文社;陈启平;陈万得 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含半导体基底及在半导体基底上的第一电阻元件和第二电阻元件。半导体装置结构亦包含电性连接至第一电阻元件的第一导电部件和电性连接至第二电阻元件的第二导电部件。半导体装置结构还包含围绕第一导电部件和第二导电部件的介电层。
半导体装置结构导电部件电阻元件半导体基底电性连接介电层

[发明专利]集成电路的形成方法-CN201010183412.5有效
发明人：蔡俊雄;苏建彰;李宗鸿;林大文;黄文社 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种集成电路的形成方法，该方法包括：提供半导体晶片；形成鳍式场效应晶体管，包括：使用热注入对半导体晶片进行注入以于鳍式场效应晶体管中形成注入区。本发明可显著地减少双晶晶界缺陷。
集成电路形成方法

[发明专利]去嵌入的方法和装置-CN201010222592.3有效
发明人：卓秀英;黄俊凯;黄文社;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种去嵌入的方法和装置，该方法包括：形成具有待测元件的受测结构，待测元件嵌入受测结构之内，受测结构具有多个左测试焊盘和多个右测试焊盘，右测试焊盘和左测试焊盘耦接待测元件，待测元件将受测结构分成左半结构和右半结构，每一左半结构和右半结构均具有本征传输参数；形成多个虚设受测结构，每一虚设受测结构均包括左焊盘和右焊盘；测量受测结构和虚设受测结构的传输参数；以及使用左半结构和右结构的本征传输参数与受测结构和虚设受测结构的传输参数，推导待测元件的本征传输参数。本发明可避免过度去嵌入。
嵌入方法装置

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