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[发明专利]半导体元件结构-CN202211627384.0在审
发明人：章思尧;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一字元线、一第二字元线、一栅极介电结构、一通道层以及一位元线。该第一字元线与该第二字元线沿着一第一方向延伸。该栅极介电结构设置在该第一字元线的一第一侧壁上以及在该第二字元线的一第二侧壁上。该通道层设置在该栅极介电结构的一第一侧壁上。该位元线设置在该通道层上并沿着一第二方向延伸，该第二方向大致垂直于该第一方向。该通道层具有沿着该第一方向延伸的一第一侧壁以及沿着该第二方向延伸的一第二侧壁。该通道层的该第一侧壁具有一第一粗糙度。该通道层的该第二侧壁具有一第二粗糙度，其大于该通道层的该第一粗糙度。
半导体元件结构

[发明专利]半导体结构及半导体制造方法-CN202210937191.9在审
发明人：林猷颖;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：一种半导体结构包括半导体基材、位于半导体基材的沟槽中的间隔物，其中间隔物包括两个沟槽氮化物层和夹在两个沟槽氮化物层之间的空隙。第一氮化物层用以密封两个沟槽氮化物层之间的空间隙的暴露开口。第二氮化物层在第一氮化物层之上，其中第二氮化物层具有比第一氮化物层高的密度。第三氮化物层具有位于第二氮化物层上方的第一部分和设置在两个沟槽氮化物层的侧壁上的第二部分。通过氮化物层的原子层沉积来修复两个沟槽氮化物层的蚀刻损伤，以减少从位元线结构到电池容器接触和电池容器的电流泄漏。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体元件结构的制备方法-CN202310032687.6在审
发明人：章思尧;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括提供一基底；形成一第一字元线以及一第二字元线而沿着一第一方向延伸；共形地形成一介电材料在该第一字元线的一第一侧壁上以及在该第二字元线的一第二侧壁上，其中该第二字元线的该第二侧壁面对该第一字元线的该第一侧壁；形成一半导体材料在该介电材料的一侧壁上；以及图案化该介电材料与该半导体材料，以形成一栅极介电结构以及一通道层在该第一字元线与该第二字元线之间。
半导体元件结构制备方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202210717809.0在审
发明人： 黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体装置包含基板、通过字元线与介电结构。通过字元线在基板中。介电结构围绕通过字元线，其中介电结构具有在介电结构的底部的放大部，且介电结构的放大部的最大宽度比介电结构的顶部的宽度还宽。具有在底部的放大部的介电结构可减少由通过字元线所造成的干扰。因此，半导体装置的效能也跟着提升。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN201910146686.8有效
发明人： 黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、一阻障层、及一导电层。该半导体基材具有多个凸台。该介电层设于该半导体基材上且具有多个分别设于所述凸台上的区域。该阻障层形成于该凸台的一第一侧面、该区域的一第二侧面、该半导体基材的邻近该第一侧面的一上表面、及该介电层的一邻近于该第二侧面的正面之上。该导电层具有一基底及多个突出部，该多个突出部从该基底伸出，该多个突出部接触设于该上表面、该第一侧面、该第二侧面之上的该阻障层，且该基底与所述突出部的晶粒尺寸一致。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种文件访问控制方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210480450.X在审
发明人： 黄仲麟;赵尊玄;林大澈;刘宜瑄;丁律祺 -专利权人：联宝（合肥）电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：本公开提供了一种文件访问控制方法、装置、电子设备及存储介质，包括对第一文件加密得到加密文件；根据第一用户的第一生物特征数据、第一文件的文件索引和内容无意义的第二文件，构建虚拟文件，将虚拟文件的图标进行展示；响应于第二用户访问虚拟文件的指令，获取第二用户的第二生物特征数据；确定第二生物特征数据与第一生物特征数据匹配，获取第一用户的第一密钥、打开并展示虚拟文件后以及获取第二用户根据打开的虚拟文件确定的第二密钥，根据第一密钥和第二密钥计算文件索引；根据计算的文件索引查找加密文件以及文件属性信息；对查找的加密文件进行解密后与文件属性信息组合，得到第一文件，将得到的第一文件进行展示，供第二用户访问。
一种文件访问控制方法装置电子设备存储介质

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910052914.5有效
发明人： 黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、及一硅化物层；在一些实施例中，该半导体基材具有多个突出部。该介电层设于该半导体基材之上，该介电层具有多个设于所述突出部之上的区域。该硅化物层设于所述突出部的一第一侧壁、所述区域的一第二侧壁、以及该半导体基材的一上表面之上，该上表面邻近该第一侧壁。在一些实施例中，该硅化物层的一下表面低于该半导体基材的一第一表面。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体电容器结构及其制备方法-CN201910156374.5有效
发明人： 黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体电容器结构及其制备方法。该半导体电容器结构包括一基底；一梳状底部电极，设置于该基底的上方；一顶部电极，设置于该梳状底部电极的上方；以及一介电层，夹于该顶部电极及该梳状底部电极之间。该梳状底部电极包括多个齿部及一支撑部分，该多个齿部平行于该基底，该支撑部分耦接至该多个齿部并且垂直于该基底。
半导体电容器结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110372734.2在审
发明人：庄英政;黄仲麟;田来成;黄智霖;黄至毅;姜序 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，形成半导体结构的方法包括以下步骤。在基板中形成半导体材料结构。在半导体材料结构上形成第一垫层。蚀刻第一垫层与半导体材料结构，以形成沟槽。在半导体材料结构的侧壁上执行氧化工艺，以在半导体结构的侧壁上形成第一氧化物结构。在沟槽中形成第二氧化物结构。通过上述形成半导体结构的方法，可达到释放应力的效果，并且可抑制高应力所造成的问题，从而可避免偏移的问题。如此一来，可以改善半导体结构的效能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]反熔丝元件-CN202010942008.5在审
发明人：郝中蓬;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝元件，具有一导电区、一介电层、一第一导电栓、一第二导电栓、一第一导电组件以及一第二导电组件；该导电区形成在一半导体基底中，并在一第一方向延伸；该介电层形成在该导电区的一部分上；该第一导电栓形成在该介电层上；该第二导电栓形成在该导电区的其他部分上；该第一导电组件形成在该第一导电栓上；该第二导电组件形成在该第二导电栓上。该介电层具有一第一介电部以及一第二介电部，该第一介电部在一第二方向延伸，该第二介电部在该第一方向延伸，而该介电层实现位在该导电区与该第一导电栓之间的一电性绝缘。该第一导电栓具有一第一区与一第二区，该第一区具有一第一宽度，该第二区具有一第二宽度，而该第一宽度大于该第二宽度。
反熔丝元件

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910603109.7在审
发明人： 黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一半导体基板、一半导体层以及一接点。该半导体层位于该半导体基板的上方。该接点具有与该半导体层相连的一接面，其中该接点本质上朝向该半导体基板逐渐变细到该接面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体制造设备及其操作方法-CN201811359613.9在审
发明人： 黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体制造设备以处理一半导体物件。该半导体制造设备包括一处理反应室、一第一电极、一第二电极、一射频电源、以及一个或多个光源产生器。该第一电极设置于该处理反应室内。该第二电极设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方。该射频电源电连接至该第一电极。该一个或多个光源产生器设置于该处理反应室内以照射该半导体，从而释放该半导体物件上的电荷。
半导体制造设备及其操作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN201811325142.X在审
发明人： 黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基底；多个第一隔离结构，设置在该基底上；以及多个第一半导体岛，设置在该基底上且藉该多个第一隔离结构而彼此分开。在本公开的一些实施例中，该多个第一隔离结构各包括一第一底表面，与该基底接触，以及一第一顶表面，与该第一底表面相对。在本公开的一些实施例中，该第一底表面的一宽度大于该第一顶表面的一宽度。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]防胀气婴儿奶瓶-CN201310172481.X无效
发明人： 黄仲麟 -专利权人：富康玩具制品有限公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： A61J9/04 文献下载
摘要：一种防胀气婴儿奶瓶，包括具有瓶颈（18）的瓶身（16）、可拆卸固定在瓶颈（18）上的瓶帽（14）、以及弹性奶头（12）。奶头（12）包括具有液体分配通孔（26）和环形基部（28）的奶嘴部分（24），由环形基部（28）沿径向向外延伸的环形法兰（30），多个呈360度围绕在环形法兰（30）周围的孔（32），以及由环形基部（28）向下延伸的环形裙部（40）。环形裙部（40）沿径向向内离开瓶颈（18）的内表面（42）以形成一环形通道（44）,环形通道（44）具有与孔（32）保持气连通的外端（46）,以及平时由环形裙部（40）的自由端（50）的偏置力密封的内端（48）,环形裙部（40）的自由端抵压在瓶颈（18）的内表面（42）上。
胀气婴儿奶瓶

[发明专利]防胀气婴儿奶瓶-CN201080008847.4有效
发明人： 黄仲麟 -专利权人：富康玩具制品有限公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： A61J9/04 文献下载
摘要：一种防胀气婴儿奶瓶，包括具有瓶颈(18)的瓶身(16)、可拆卸固定在瓶颈(18)上的瓶帽(14)、以及弹性奶头(12)。奶头(12)包括具有液体分配通孔(26)和环形基部(28)的奶嘴部分(24)，由环形基部(28)沿径向向外延伸的环形法兰(30)，多个呈360度围绕在环形法兰(30)周围的孔(32)，以及由环形基部(28)向下延伸的环形裙部(40)。环形裙部(40)沿径向向内离开瓶颈(18)的内表面(42)以形成一环形通道(44)，环形通道(44)具有与孔(32)保持气连通的外端(46)，以及平时由环形裙部(40)的自由端(50)的偏置力密封的内端(48)，环形裙部(40)的自由端抵压在瓶颈(18)的内表面(42)上。
胀气婴儿奶瓶

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