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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单晶硅的培育方法-CN202180081277.X在审
发明人：伊关崇志;鸣嶋康人 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用切克劳斯基法从掺杂剂添加到硅熔液中的掺杂剂添加熔液提拉单晶硅并使其生长，所述单晶硅的培育方法中，计算单晶硅中发生异常生长的时刻的掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即临界CV值，以使掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即CV值小于临界CV值的方式控制掺杂剂浓度C及提拉速度V中的至少一者，从而培育单晶硅。
单晶硅培育方法

[发明专利]硅晶片和外延硅晶片-CN202211367234.0在审
发明人：古贺孝太郎;鸣嶋康人;野中直哉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅晶片和外延硅晶片。提供了硅晶片，其中掺杂剂是磷，电阻率为1.2 mΩ·cm或更小，并且碳浓度为3.5×1015个原子/cm3或更大。与硅晶片的中心深度相比，硅晶片表面附近的碳浓度降低10%或更多。
晶片外延

[发明专利]硅晶片和外延硅晶片-CN202211368047.4在审
发明人：古贺孝太郎;鸣嶋康人;野中直哉;小野敏昭;宝来正隆 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了硅晶片，其中掺杂剂是磷，电阻率为0.5 mΩ·cm至1.2 mΩ·cm，并且碳浓度为3.0×1016个原子/cm3或更大。与硅晶片的中心深度相比，硅晶片表面附近的碳浓度降低10%或更多。
晶片外延

[发明专利]单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片-CN202080089916.2在审
发明人：伊关崇志;鸣嶋康人 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：单晶硅(1)由肩部(1A)、直体部(1B)及尾部(1C)构成。直体部(1B)具备：第1直体部(1BA)，具有第1直径d1；及第2直体部(1BC)，位于比第1直体部(1BA)更靠肩部(1A)侧的位置，并具有比第1直径d1大3.5％以上且15％以下的第2直径d2。首先，将与肩部(1A)连接的直体部(1B)的开始位置上的电阻率设为第1电阻率。然后，提拉单晶硅(1)并使其生长以形成第1直体部(1BA)，并且将第1直体部(1BA)的开始位置上的电阻率设为比第1电阻率低的第2电阻率。
单晶硅制造方法晶片

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片-CN202210251415.0在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;木原亚由美 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。
单晶硅制造方法晶片外延

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片-CN202210123737.7在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;堤有二 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。
单晶硅制造方法晶片外延

[发明专利]低电阻率晶圆及其制造方法-CN202110726642.X在审
发明人： 鸣嶋康人;宇都雅之 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及低电阻率晶圆及其制造方法。一种半导体晶圆包括用掺杂剂掺杂的单晶，其中，晶圆的电阻率是0.7 mΩ‑cm或更小，并且其中，晶圆的条纹高度是6 mm或更大。晶圆的电阻率可以是0.8 mΩ‑cm或更小，并且条纹高度可以是13 mm或更大。晶圆的电阻率可以是0.7 mΩ‑cm或更小，并且条纹高度可以是22 mm或更大。示例特征涉及一种制作半导体晶圆的方法，该方法包括将掺杂剂添加到硅熔体；从硅熔体旋转地提拉晶体；以及施加3000 G或更大的磁场，使得半导体晶圆具有等于或小于0.8 mΩ‑cm的电阻率和等于或大于13 mm的条纹高度。
电阻率及其制造方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201780040309.5有效
发明人： 鸣嶋康人;久保田利通 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的制造方法。所述单晶硅的制造方法具备形成单晶硅的肩部的肩部形成工序和形成单晶硅的直体部的直体部形成工序，在肩部形成工序中，以如下方式形成肩部：该肩部由在肩部的径向整个区域中产生的生长条纹中其外缘部未延伸至肩部的外周部而被另一生长条纹中断的生长条纹所构成，且防止产生培育方向的高度为200μm以上的重熔生长区域。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201780037723.0有效
发明人： 鸣嶋康人;久保田利通 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的制造方法。所述单晶硅的制造方法具备形成单晶硅的肩部的肩部形成工序和形成单晶硅的直体部的直体部形成工序，在肩部形成工序中，以下加热部的加热量除以上加热部的加热量的加热比从1以上的规定的值变大的方式对坩埚进行加热而形成肩部。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅的制造方法、整流部件及单晶提拉装置-CN201780087254.3有效
发明人：小川福生;鸣嶋康人;前川浩一;川上泰史 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在本发明的单晶硅的制造方法中，在热屏蔽体(28)的下方配置具备包围单晶硅(SM)的圆环板状主体部(29A)的整流部件，在单晶硅(SM)的培育中，将腔室内部的压力控制为20kPa以上，保持使整流部件与掺杂剂添加熔液(MD)隔开的状态，将不活泼气体(G)导入到单晶硅(SM)与热屏蔽体(28)之间，将不活泼气体(G)分离为第1流通气体(G1)和第2流通气体(G2)。
单晶硅制造方法整流部件单晶提拉装置

[实用新型]半导体晶体制造装置及其配管构造-CN202021941143.X有效
发明人：小川福生;鸣嶋康人;酒谷和幸;川上泰史;鸭川诚;四井拓也 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请的半导体晶体制造装置具备将被向制造半导体晶体的腔内导入的气体排出的第1~第4排气口、各一端分别与对应的各第1~第4排气口连接的个别排气管(31A~31D)、与个别排气管(31A~31D)的各另一端连接的结合管(32)。从各第1~第4排气口经由对应的各个别排气管(31A~31D)至结合管(32)的第2结合部(C21)的距离均实质上相等。
半导体晶体制造装置及其构造

[发明专利]单晶硅的制造方法、热屏蔽体及单晶提拉装置-CN201780079592.2有效
发明人： 鸣嶋康人;宇都雅之 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的制造方法，其使用了单晶提拉装置，该单晶提拉装置具备坩埚（22）、坩埚驱动部（23）、提拉部（26）、下端部形成为圆形筒状的热屏蔽体（27）及腔室（21），在该单晶硅的制造方法中，使用满足以下式（1）的热屏蔽体（27）来培育单晶硅（SM）。R≤1.27×C……（1）；C：单晶硅（SM）的直筒部（SM3）的半径（mm）；R：热屏蔽体（27）的下端部的内径的半径（mm）。
单晶硅制造方法屏蔽单晶提拉装置

[发明专利]半导体晶体制造装置-CN202010933862.5在审
发明人：小川福生;鸣嶋康人;酒谷和幸;川上泰史;鸭川诚;四井拓也 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请的半导体晶体制造装置具备将被向制造半导体晶体的腔内导入的气体排出的第1~第4排气口、各一端分别与对应的各第1~第4排气口连接的个别排气管(31A~31D)、与个别排气管(31A~31D)的各另一端连接的结合管(32)。从各第1~第4排气口经由对应的各个别排气管(31A~31D)至结合管(32)的第2结合部(C21)的距离均实质上相等。
半导体晶体制造装置

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片-CN201880027573.X在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;木原亚由美 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。
单晶硅提拉石英坩埚掺杂剂电阻率硅熔液提拉法红磷直体制造生长

[发明专利]单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片-CN201880026803.0在审
发明人： 鸣嶋康人;前川浩一;小川福生;川上泰史 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种单晶硅的制造方法中，以使单晶硅的电阻率成为0.5mΩ·cm以上且小于0.7mΩ·cm的方式在硅熔液中添加红磷，且以使单晶硅的直体部的至少一部分的温度在570℃±70℃的范围内的时间成为10分钟以上且50分钟以下的方式提拉单晶硅。
单晶硅电阻率硅熔液红磷提拉直体制造

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