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- [发明专利]高击穿高储能密度钛酸锶储能介质陶瓷材料的制备方法-CN202011218329.7有效
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左承阳;魏贤华
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西南科技大学
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2020-11-04
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2022-06-07
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C04B35/47
- 本发明公开一种高击穿高储能密度钛酸锶储能介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：将钛酸丁酯滴入去离子水中形成Ti(OH)4沉淀，并向沉淀中逐滴滴入硝酸，以最少的硝酸溶解沉淀形成TiO(NO3)2澄清溶液；步骤二：将甘氨酸和硝酸锶加入TiO(NO3)2溶液中，混合均匀形成前驱液，将前驱液加热蒸发浓缩至起泡燃烧得到含碳纳米SrTiO3陶瓷初级粉末；步骤三：将得到的纳米SrTiO3陶瓷初级粉末进行除碳、造粒、压制成型、排胶、烧结得到晶粒细小均匀的SrTiO3陶瓷介质材料。本发明制备方法简单快速，能耗低，制备的SrTiO3陶瓷晶粒细小均匀，致密度高，击穿强度高，且可释放储能密度大。本发明制备钛酸锶储能电介质陶瓷材料的工艺简单，快速便捷，易于工业化生产。
- 击穿高储能密度钛酸锶储能介质陶瓷材料制备方法
- [发明专利]一种全ITO忆阻器及其制备方法-CN202010486755.2有效
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魏贤华;耿晓颖;王雨晨
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西南科技大学
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2020-06-01
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2022-03-25
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H01L45/00
- 本发明公开了一种全ITO忆阻器及其制备方法，涉及存储器制造技术领域，全ITO忆阻器为双层结构，上层结构包括ITO电极，下层结构包括基底，所述ITO电极生长在基底上端面，基底的材质为ITO导电玻璃片，所述全ITO忆阻器的整体完全透明。本发明还提出一种全ITO忆阻器的制备方法，包括以下步骤，首先准备ITO玻璃，将ITO玻璃切成方形大小，分别在丙酮、酒精、去离子水中超声30min并使用氮气吹干，然后对吹干的ITO玻璃进行真空退火，随后采用电子束蒸镀方法在退火后的ITO玻璃的介质层上制备ITO电极；形成全ITO忆阻器,最后对全ITO忆阻器进行氩气退火处理，本方法能耗低，设备简单，耗时少，操作简单，得到的忆阻器性能优良。
- 一种ito忆阻器及其制备方法
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