“魏孔芳”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高温辐照蠕变装置-CN201710246768.0有效
发明人：李炳生;王志光;魏孔芳;申铁龙 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2017-04-16 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01N3/18 文献下载
摘要：本发明涉及核能结构材料抗辐照性能评价设备及方法技术领域，尤其是涉及一种高温辐照蠕变装置。其特点是包括高温靶室，所述的高温靶室下端设置有差动变压器和应力加载系统，高温靶室上还设置有观察窗和束流检测系统，高温靶室一侧通过真空闸板阀和真空管路与泄漏罐相连，泄漏罐上设置有观察窗和束流检测系统，高温靶室另一侧通过真空管路与常温靶室相连，常温靶室上设置有观察窗和旋转升降系统，常温靶室通过真空管路与降能系统相连，降能系统通过真空检测通道与真空维护系统相连，真空检测通道上设置有观察窗和束流检测系统，真空维护系统上设置有真空闸板阀。其实现了对被辐照样品加载载荷量的精确控制，实现了高能重离子辐照材料形变量的在线测量。
高温辐照装置

[发明专利]高温铅铋熔体中自动化控氧/腐蚀装置及方法-CN201610812327.8有效
发明人：常海龙;王志光;姚存峰;孙建荣;张宏鹏;李炳生;盛彦斌;魏孔芳;徐瑚珊 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明属于核科学高温铅铋熔体中控氧/腐蚀装置领域，涉及一种高温铅铋熔体中自动化控氧/腐蚀装置及方法。一种高温铅铋熔体中自动化控氧/腐蚀装置，其特征在于包括有储料罐，在储料罐上设有真空系统、温控系统、冷却系统、氧浓度控制系统、样品腐蚀实验系统以及自动化控制与数据处理系统。本发明的优点是真空系统可以获得1×10^‑2Pa的真空度，配合上盖的进气管路，利用高纯Ar气进行反复冲洗罐体，可以有效减轻铅铋在装置运行前期与停机阶段的氧化。上盖结构设计了水冷套，下方设计多层隔热板，结合冷却系统，有效减轻了高温铅铋对上盖的热传导与热辐射，保证了铅铋熔体在650℃高温运行时，上盖部件正常工作在安全范围内。
铅铋熔体腐蚀装置冷却系统真空系统自动化储料罐上盖数据处理系统多层隔热板氧浓度控制自动化控制高温运行进气管路上盖部件上盖结构实验系统停机阶段温控系统样品腐蚀装置运行热传导热辐射水冷套高纯罐体冲洗配合安全保证

[实用新型]一种医用氧气瓶支架-CN201620955175.2有效
发明人： 魏孔芳;魏蕊;崔艳丽;孙雁洁 -专利权人： 魏孔芳
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： A61M16/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种医用氧气瓶支架，包括支架和底座，所述底座下方设有滚轮，所述底座的斜板上固定有氧气瓶放置座，所述氧气瓶放置座固定连接有连接板，所述连接板通过垫板固定在支架的上端；所述底座和支架的连接处设有氧气罐放置槽，所述氧气罐放置槽的左侧设有喇叭；所述支架的上端设置有氧气面罩挂架，所述支架的左上端固定连接有手推杆，所述手推杆的下方设有开关按钮；本实用新型通过设置底座并将氧气瓶放置架倾斜放置，增加氧气瓶的牢靠性；通过设置滚轮和把手，便于将氧气瓶来回移动；通过设置氧气罐放置槽，增加支架的可利用面积；通过设置氧气面罩挂架，便于氧气面罩的携带，简单实用。
一种医用氧气瓶支架

[实用新型]一种急诊室用安全平稳担架车-CN201620469996.5有效
发明人：吴美萍;魏孔芳;王颖;杨洁 -专利权人：吴美萍
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： A61G1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种急诊室用安全平稳担架车，包括车架支体、导向座、减震杆、滚轮、导向板、减震弹簧；车架支体的上端开设有导向槽、固定板，车架支体上方设有转移架，转移架下端设有支杆，支杆下端设有导向轮，固定板两侧与支杆之间设有连接弹簧，车架支体的一侧还设置有输液装置，输液装置包括套筒、中心柱、调节装置，中心柱上固定连接有连接杆，连接杆的一端安装有杯桶，中心柱上活动套接有置物板。本实用新型结构简单合理，使用方便，减震效果好，提高了担架车的舒适性，有利于保护病人，防止二次受伤；可根据具体情况来调节中心柱在套筒中的长度，另外可将输液瓶放置在杯桶中；置物板上放置一些杂物，这样比较醒目，不会遗忘。
一种急诊室安全平稳担架

[发明专利]一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法-CN200910117708.4有效
发明人：孙建荣;王志光;金运范;姚存峰;王瑜玉;魏孔芳;申铁龙;缑洁;臧航 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料磁致电阻的方法，其措施是：(1)半金属性薄膜的膜厚控制在100纳米到10微米之间；(2)辐照重离子的种类为Aq+，A为选自原子序数10到92号元素中的一种，q+为经加速器剥离过的电荷态数目，为：1≤q≤A的原子序数；(3)辐照重离子的能量范围在100keV到10GeV之间；(4)辐照重离子的辐照量范围为1010ions/cm2到1017ions/cm2。通过本发明方法，能够显著增加以Fe3O4纳米多晶薄膜为代表的半金属性薄膜材料的晶粒绝缘边界、减小表面应力，可以获得高质量的势垒层及势垒界面，使得其室温磁致电阻明显提高并能被施以人为调制。
一种高能离子辐照提高调制金属性薄膜材料致电方法

1
共 5 条