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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]离子铣削装置及离子铣削装置的离子源调整方法-CN202310581760.5在审
发明人：鸭志田齐;高须久幸;上野敦史;岩谷彻 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
离子铣削装置离子源调整方法

[发明专利]离子铣削装置及离子铣削装置的离子源调整方法-CN201880090114.6有效
发明人：鸭志田齐;高须久幸;上野敦史;岩谷彻 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
离子铣削装置离子源调整方法

[发明专利]离子铣削装置-CN201780094365.7有效
发明人：金子朝子;高须久幸 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种减少通过离子束照射而被弹飞的来自试样的微粒再次附着于离子铣削面的现象的技术。在本发明的离子铣削装置中，具备：离子源，其照射离子束；腔室；试样台，其在腔室内载置试样；遮蔽板，其载置于试样；以及磁铁，其配置在腔室内，由此能够减少来自试样的微粒的再次附着。
离子铣削装置

[发明专利]离子铣削装置以及离子铣削方法-CN202110696658.0在审
发明人：岩谷彻;高须久幸;高堀荣 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种加工技术，其能够抑制在加工面产生再沉积的可能性，并且获得所需的加工内容。为了解决该问题，根据本发明的离子铣削装置具有：离子源(1)，其发出离子束；试样保持部，其保持试样；以及试样滑动移动机构(70)，其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动。
离子铣削装置以及方法

[发明专利]离子铣削装置以及离子铣削方法-CN201680077769.0有效
发明人：岩谷彻;高须久幸;高堀荣 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种加工技术，其能够抑制在加工面产生再沉积的可能性，并且获得所需的加工内容。为了解决该问题，根据本发明的离子铣削装置具有：离子源(1)，其发出离子束；试样保持部，其保持试样；以及试样滑动移动机构(70)，其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动。
离子铣削装置以及方法

[发明专利]离子研磨装置-CN201880096759.0在审
发明人：鸭志田齐;高须久幸;上野敦史 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有：离子源(1)；试样台(2)，其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4)；以及驱动单元(8)，其配置在离子源(1)与试样台(2)之间，且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动，在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下，通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动，通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。
离子研磨装置

[发明专利]离子铣削装置-CN201880094829.9在审
发明人：金子朝子;高须久幸 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种对含有具有酰亚胺键的材料的试样也能够进行高速铣削加工的离子铣削装置。因此，离子铣削装置具有：将试样(3)保持在真空气氛中的真空腔室(6)；向试样照射非聚焦离子束(2)的离子枪(1)；储存水溶性离子液体与水的混合溶液(13)的气化容器(17)；以及将使混合溶液气化而得到的水蒸气供给至利用离子束加工的试样加工面附近的喷嘴(11、12)。
离子铣削装置

[发明专利]带电粒子束装置-CN201680087921.3有效
发明人：金子朝子;高须久幸;岩谷彻 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明为了提供在使用了遮蔽板的截面加工中能够提高加工位置精度的带电粒子束装置，采用如下带电粒子束装置，其具有：离子源(101)；载置试样(107)的试样台(106)；配置为从离子源(101)观察，试样(107)的一部分露出的遮蔽板(108)；以及使试样(107)及遮蔽板(108)相对于来自离子源(101)的离子束(102)的向试样(107)的照射方向相对性地倾斜的倾斜部(123、124)。
带电粒子束装置

[发明专利]离子铣削装置-CN201680086672.6有效
发明人：浅井健吾;志知广康;岩谷徹;高须久幸 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：为了提供能够抑制束成形电极的污染的离子铣削装置，使离子铣削装置具备：包含将离子束成形的束成形电极的离子枪(101)、将通过离子束(102)的照射来加工的试料(106)进行固定的试料保持器(107)、将试料(106)的一部分从离子束(102)遮蔽的掩模(110)、以及控制离子枪(101)的离子枪控制部(103)。
离子铣削装置

[发明专利]试料支架、离子铣削装置、试料加工方法、试料观察方法、以及试料加工观察方法-CN201680077768.6有效
发明人：上野敦史;高须久幸 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：提案了一种在由加工装置加工分析试料后不从试料支架取下该分析试料就能用观察装置进行观察的侧入方式试料支架。该试料支架具备：把持部(34)；从把持部(34)延伸的试料支架主体(35)；与试料支架主体(35)连接并设有用于固定试料(203)的试料台(204)的前端部(32)；以及用于变更固定于试料台(204)的试料(203)的加工面与离子束的照射方向的相对位置关系，避免在试料(203)加工过程中对前端部(32)照射离子束的机构(参照图3)。
试料支架支架主体把持部离子束前端部试料台观察加工离子铣削装置相对位置关系观察装置加工装置照射方向加工面取下照射变更分析提案延伸

[发明专利]离子铣削装置-CN201580082721.4有效
发明人：浅井健吾;岩谷彻;高须久幸;志知广康 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：为了提供能抑制从电子显微镜镜筒放出的观察用电子束的轨道移位的离子铣削装置，离子铣削装置具备：包含永久磁铁(114)并产生加工样品的离子的潘宁放电方式的离子枪(100)；和用于观察样品的扫描电子显微镜，在该离子铣削装置中设置用于减少从永久磁铁(114)向电子显微镜镜筒的泄漏磁场的磁屏蔽(172)。
离子铣削装置

[发明专利]离子蚀刻装置以及试料加工方法-CN201480078349.5有效
发明人：堀之内健人;上野敦史;岩谷彻;高须久幸 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种用于抑制由于利用低加速电压而产生的离子束照射而产生的试料热量上升的技术。在试料(3)的前方设置与遮蔽件(2)不同的遮蔽板(13)。该遮蔽板(13)与加工面重叠的位置开口，离子束仅通过该遮蔽板(13)的开口部，在其以外的位置用遮蔽板(13)遮蔽，不会照射试料(3)。另外，通过冷却遮蔽板(13)而进一步抑制试料的热量上升。
离子蚀刻装置以及加工方法

[发明专利]离子铣削装置以及使用离子铣削装置的加工方法-CN201480035014.5有效
发明人：上野敦史;高须久幸;武藤宏史 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01J37/16 文献下载
摘要：本发明的离子铣削装置具备真空室(105)、进行该真空室内的真空排气的排气装置(101)、在上述真空室内支撑离子束所照射的试样(102)的试样台(103)、加热上述真空室内的加热装置(107)、向上述真空室内导入作为热介质的气体的气源(106)、控制该气源的控制装置(110)，该控制装置在由上述加热装置进行的加热时，以上述真空室内的压力为预定的状态的方式控制。由此，在冷却试样进行离子铣削后大气开放时，可在短时间内进行用于抑制产生的结露等的温度控制。
离子铣削装置以及使用加工方法

[发明专利]离子碾磨装置-CN201480032691.1有效
发明人：金子朝子;高须久幸;武藤宏史;岩谷彻;许斐麻美 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供离子碾磨装置，能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中，与照射离子束时的试样的变形等无关地，高精度地进行试样的温度控制，例如提出有如下离子碾磨装置的方案，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。
离子碾磨装置

[发明专利]具备真空容器的带电粒子线照射装置-CN201280066028.4有效
发明人：金子朝子;高须久幸;武藤宏史 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供利用比较简单的结构来实现试料或试料台的冷却的带电粒子线照射装置。作为达到上述目的的一方案，带电粒子线照射装置具备带电粒子源、试料台、及具有传递用于使该试料台移动的驱动力的传递机构的驱动机构，其中，该带电粒子线照射装置具有配置于真空室内且能收容离子液体(12)的容器，该容器设置于在收容有所述离子液体(12)时使所述传递机构的至少一部分浸渍于离子液体(12)中的位置。
具备真空容器带电粒子照射装置

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