“高桥秀和”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果101个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]固态图像拾取设备和图像拾取系统-CN200910174659.8有效
发明人：藤村大;野田智之;高桥秀和 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-09-21 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取设备和图像拾取系统。固态图像拾取设备包括：读取单元，其具有与其连接的多个像素并保持来自像素的信号；和控制单元，其能够控制所述像素和读取单元的操作。控制单元在没有相加的第一操作模式中，在将来自像素中的aa(aa是大于一的整数)个像素的信号相加的第二操作模式中，以及在将来自像素中的bb(bb是大于aa的整数)个像素的信号相加的第三操作模式中控制所述像素和读取单元。读取单元包括具有电容值C的保持单元，且保持单元包括具有电容值C/bb的第一电容器和具有电容值C/p的第二电容器，p是aa和bb的公倍数。
固态图像拾取设备系统

[发明专利]机械密封装置-CN200880021222.4有效
发明人： 高桥秀和 -专利权人：伊格尔工业股份有限公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： F16J15/34 文献下载
摘要：一种机械密封装置，能防止密封装置周边的空间堵塞或沙子等滞留，并能防止侵蚀，提高耐磨性，即便产生破损等也能防止对设备内侧造成损害，提高耐久性并能降低维护成本。通过密封装置采用串列密封，能对设备内侧机械密封的设备内侧空间进行喷射冲洗。此外，密封盖的设备内侧的端部筒状地延伸到设备内侧以覆盖装置的壳体内周面。由此能防止设备内侧机械密封附近的固形物的滞留和由于固形物的浓度增加引起的侵蚀的产生。
机械密封装置

[发明专利]机械密封装置-CN200880011548.9有效
发明人： 高桥秀和 -专利权人：伊格尔工业股份有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： F16J15/34 文献下载
摘要：一种机械密封装置(1)，包括：树脂材制的安装零件(30)，其具有安装于装置本体(60)的外表面(60A)的安装面(30A)，内周面的具有嵌合面(30C)、环状槽面(30B)和遮断面(30S)，与环状槽面(30B)内的冷却室(R3)连通的冷却用流体通路(40)；不锈材制的第一密封环(3)，其具有密封面(3A)；不锈材制的第二密封环(10)，其具有与密封面(3A)紧贴并滑动的相对密封面(10A)；树脂材制的密封套环(50)，其将第二密封环(10)密封地保持；以及密封环(20)，其具有夹持在第二密封环(10)的周面部(10B)与保持周面(50A)间并与遮断面(30S)紧贴的第三密封面(20B1)。
机械密封装置

[发明专利]光电转换器件的制造方法-CN200910151873.1有效
发明人：渡边高典;板野哲也;高桥秀和;滝本俊介;虻川浩太郎;成濑裕章;西村茂;板桥政次 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
光电转换器件制造方法

[发明专利]层压系统-CN200910118050.9有效
发明人：渡边了介;高桥秀和;鹤目卓也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。
层压系统

[发明专利]光电转换装置和成像系统-CN200910007437.7有效
发明人：岩田公一郎;高桥秀和;篠原真人;板野哲也;樱井克仁;加藤智 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明公开一种光电转换装置和成像系统。所述光电转换装置包含：包含具有与信号线连接的源极和与电源连接的漏极的MOS晶体管的削减单元，且所述削减单元将信号线的电位削减到与源极的电位对应的电位；具有第一电极和第二电极的保持电容，第一电极与MOS晶体管的栅极连接，且所述保持电容至少保持在电荷电压转换器已被复位时被传送到信号线的电压；和偏移单元，所述偏移单元沿着使得第二电极的电位接近当电荷电压转换器已被复位时要被传送到信号线的电平的方向，使第二电极的电位偏移。
光电转换装置成像系统

[发明专利]包括半导体器件的纸及其制造方法-CN200780023459.1有效
发明人：道前芳隆;青山智幸;高桥秀和;山田大干;荻田香;楠本直人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-06-19 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。
包括半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN200810189727.3有效
发明人：山崎舜平;高桥秀和;山田大干;门马洋平;安达广树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于减少起因于外部压力的半导体集成电路的破损。此外，本发明还有一个目的是提高薄型化半导体集成电路的制造成品率。其方法如下：使用从单晶半导体衬底分离的单晶半导体层作为半导体集成电路所具有的半导体元件，然后以树脂层覆盖设置有半导体集成电路的被较薄地形成的衬底，在切断工序中在支撑衬底上形成用来切断半导体元件层的槽并在形成有槽的支撑衬底上设置树脂层，然后将树脂层以及支撑衬底在槽部进行切断以将其切割成多个半导体集成电路。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN200810189707.6有效
发明人： 高桥秀和;山田大干;门马洋平;安达广树;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及其制造方法。在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]光电转换元件和光电转换元件制造方法-CN200780015170.5有效
发明人：笹川慎也;长谷川真也;高桥秀和;荒尾达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-17 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
光电转换元件制造方法

[发明专利]图像感测设备、成像系统、以及图像感测设备驱动方法-CN200810175008.6有效
发明人：野田智之;板野哲也;岩田公一郎;高桥秀和 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像感测设备、成像系统、以及图像感测设备驱动方法。图像感测设备包括像素阵列(该像素阵列包括光学黑色区域和有效像素区域)，以及对像素阵列进行扫描的扫描单元。扫描单元包括通过移位操作对所述光学黑色区域进行扫描的第一移位寄存器和通过移位操作对有效像素区域进行扫描的第二移位寄存器。所述第二移位寄存器在当所述第一移位寄存器对所述光学黑色区域进行扫描时的第一时间段期间开始所述移位操作，并在所述第一时间段之后的第二时间段期间对充当所述有效像素区域的部分区域的读出区域进行扫描。
图像设备成像系统以及驱动方法

[发明专利]旋转接头-CN200680050146.0有效
发明人： 高桥秀和 -专利权人：伊格尔工业股份有限公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： F16L27/08 文献下载
摘要：本发明的旋转接头(1)，包括：具有供被密封流体流动的流体通路(6)的固定部(60)；内部具有供来自流体通路的流体流动的第二连接流体通路(6C)、可与固定部相对旋转的不锈材料制成的套筒(30)；具有与套筒的外周面嵌合的内周面、具有可与第二连接流体通路连通的第一连接流体通路(6B)、在一个侧面上具有第一密封面(2A)并在另一个侧面上具有第二密封面(2B)的旋转用密封环(2)；具有与第一密封面紧贴的第一相对密封面(10S)的第一静止用密封环(10)；以及具有与第二密封面紧贴的第二相对密封面(11S)、在与第一静止用密封环之间可使流体通路与第一连接流体通路连通的第二静止用密封环(11)。
旋转接头

[发明专利]光电转换装置-CN200680043181.X有效
发明人：荒尾达也;楠本直人;山田大干;高桥秀和;西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅;深井修次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
光电转换装置

[发明专利]机械密封装置-CN200680043170.1无效
发明人： 高桥秀和 -专利权人：伊格尔工业股份有限公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： F16J15/34 文献下载
摘要：一种机械密封装置，可减少密封面在滑动时的摩擦，防止密封面的磨损，防止密封环的密封面和要接合的分割面的异常磨损，防止密封面在旋转时的干摩擦状态下的烧结和振鸣现象，简化机械密封装置的构造，并可使装配和分解变得容易。本发明的机械密封装置是安装在壳体的孔与被插入孔内的转轴之间的机外表面上、对被密封流体进行密封的分割型机械密封装置，具有：以从两侧包围转轴的形态安装固定的分割静止密封环、以及以从两侧包围的形态固定在转轴上的分割旋转密封环，在分割静止密封环的内周面与转轴之间具有供被密封流体流通的间隙，且在分割静止密封环的密封面和分割旋转密封环的相对密封面中的至少一个密封面上具有橡胶或树脂制的密封层。
机械密封装置

[发明专利]通信连接装置-CN200680038545.5无效
发明人：山北佳伸;高谷茂树;高桥秀和 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-10-06 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H04M3/46 文献下载
摘要：提供一种在基于代表多个移动电话机的识别信息的被叫的情况下，组内的一个使用者可以进行可靠响应的通信连接装置。在自身装置接收了来自发送源的信号的情况下，确立所述发送源和预定的移动电话机的通信的通信连接装置在将识别各个移动电话机的识别信息作为第一信息，将代表多个移动电话机的识别信息作为第二信息，在接收到来自所述发送源的信号，且所接收的信号中包含第二信息的情况下，从使所述第一信息和第二信息相关联存储的存储装置中读出与所述接收的信号中包含的第二信息相关联的第一信息，并对由所读出的第一信息特定的移动电话机，以预定的顺序来进行呼叫。
通信连接装置