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[发明专利]衣物处理装置、控制程序、控制方法以及衣物处理系统-CN202280013424.4在审
发明人：寺冈广基;宇美纮太郎;高桥启太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： D06F33/37 文献下载
摘要：作为本公开的衣物处理装置的一例的洗衣机(100)具备用于收容衣物的水槽、多个盒、自动投放单元以及控制装置。多个盒用于贮存在运转期间向水槽内投放的处理剂。自动投放单元用于将贮存于盒的处理剂向水槽内投放。控制装置具有运转过程设定部和处理剂推荐部。运转过程设定部受理用于对衣物进行处理的运转过程的设定。在由运转过程设定部受理了设定的运转过程中能够使用贮存于多个盒的多种处理剂的情况下，处理剂推荐部基于所设定的运转过程来推荐处理剂。
衣物处理装置控制程序控制方法以及系统

[发明专利]每个单细胞的特定核酸的拷贝数的检测方法-CN202180086085.8在审
发明人： 高桥启太;久保知大;土屋纯一 -专利权人： TL 基因体科技株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C12Q1/6851 文献下载
摘要：检测细胞群中的每个单细胞的特定核酸的拷贝数。在包含源自单细胞内的核酸的样品DNA与PCR反应体系的反应分区内将样品DNA中包含的目标通过PCR扩增。在指数扩增期按每个反应分区定量PCR的扩增子。
每个单细胞特定核酸拷贝检测方法

[发明专利]多孔质碳材料及其制造方法和用途-CN201780078351.6有效
发明人： 高桥启太;吉川贵行;人见充则;山田隆之 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔质碳材料，氮含量为0.5～2.0质量％，铁含量为至少400mg/kg‑多孔质碳材料以上，并且，通过粉体电阻测定得到的电导率为10S/cm以上。
多孔材料及其制造方法用途

[发明专利]改质活性炭和其制造方法-CN201880030759.0有效
发明人：石田修一;高桥启太;北富裕昭;山端昭典;弘田恭幸 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01B32/354 文献下载
摘要：本发明涉及源自椰子壳的改质活性炭，其BET比表面积为1400~2000m2/g，氢含量/碳含量的值为0.0015~0.0055，骨架内氧为0.9质量%以下。
活性炭制造方法

[发明专利]吸附过滤器-CN202180024815.1在审
发明人： 高桥启太;花本哲也;吉延宽枝 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明涉及的吸附过滤器是包括包含活性炭和粘结剂的成型体的吸附过滤器，并且是利用压汞法测定的所述吸附过滤器的体积基准的细孔直径为10μm以上的细孔容积为0.10cm3/cc～0.39cm3/cc的吸附过滤器。
吸附过滤器

[发明专利]吸附过滤器-CN201880082703.X有效
发明人： 高桥启太;吉川贵行;花本哲也;吉延宽枝;山田隆之 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明一个方面涉及一种吸附过滤器，其特征在于包括：活性炭；以及纤维状粘结剂，其中，密度为0.400g/ml以上，并且利用压汞法测得的细孔直径1～20μm的细孔容积为0.60ml/g以下。
吸附过滤器

[发明专利]多孔质碳材料及其制造方法和用途-CN201980013787.6有效
发明人： 高桥启太;吉川贵行;人见充则;山田隆之 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C01B32/318 文献下载
摘要：本发明一个方面涉及多孔质碳材料，氮含量为0.6～2.0质量％，使用波长532nm的激光的拉曼光谱中测定的G带的半宽度为51～60cm‑1并且R值为1.08～1.40，碘吸附性能为1000～1500mg/g。
多孔材料及其制造方法用途

[发明专利]活性炭、使用其的担载金属的活性炭、以及氢化反应催化剂-CN201880083117.7在审
发明人： 高桥启太;吉川贵行;山田隆之 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C01B32/30 文献下载
摘要：本发明涉及：活性炭，通过载荷12kN下的粉体电阻测定而得到的电导率为3.5S/cm以上，并且氧含量为3.0质量％以上；以及，使用其的担载金属的活性炭等。
活性炭使用金属以及氢化反应催化剂

[发明专利]半导体装置-CN201910018501.5在审
发明人：山下茉莉子;木下朋子;高桥启太;小松香奈子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体部分；绝缘性部分，设于所述半导体部分的上层部分，划分有源区；第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于所述有源区内，并沿与所述半导体部分的上表面平行的第一方向相互分离；以及设于所述半导体部分的上方的栅极电极。所述栅极电极配置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域的正上方区域以及所述有源区的与所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方区域。
半导体装置

[发明专利]压缩螺旋弹簧及其制造方法-CN201880024630.9在审
发明人：赤沼俊之;白石透;岩垣洋平;高桥启太;平井俊 -专利权人：日本发条株式会社
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：在线材表面将C富集层在极薄的范围形成均匀的厚度，对成形后的线材赋予适当的压缩残余应力分布，由此提供高耐久性且高耐永久应变性的压缩螺旋弹簧。压缩螺旋弹簧使用钢线材，前述钢线材以重量%包括C：0.5~0.7%、Si：1.2~3.0%、Mn：0.3~1.2%、Cr：0.5~1.9%、V：0.05~0.5%，并且作为包括Ni：1.5%以下，Mo：1.5%以下，W：0.5%以下的1种或2种以上作为任意成分，其余部分由铁及不可避免的杂质构成，其中，在表层部具有超过前述钢线材所含的C的平均浓度的C富集层，C富集层的厚度遍及钢线材的整周地进入0.01~0.05mm的范围。
钢线材富集层压缩螺旋弹簧残余应力分布在线材表面高耐久性应变性线材成形整周压缩赋予

[发明专利]压缩螺旋弹簧及其制造方法-CN201380047783.2有效
发明人：小野裕一朗;白石透;小野芳树;高桥启太 -专利权人：日本发条株式会社
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：将由盘绕加工带来的拉伸残留应力消除并在线材表面形成C浓化层而赋予适当的压缩残留应力分布，由此使用便宜的线材提供高耐久性的压缩螺旋弹簧及其制造方法。一种压缩螺旋弹簧，使用以重量%含有0.45%～0.80%的C、0.15%～2.50%的Si、0.3%～1.0%的Mn、其余部由铁及不可避免的杂质构成的当量圆直径为2.5mm以上10mm以下的钢线材，其特征在于，任意的线材横截面中的内部硬度为570～700HV；在表层部具有超过钢线材中含有的C的平均浓度的C浓化层；在对线材的螺旋弹簧内径侧的弹簧加载压缩载荷的情况下发生的大致最大主应力方向上，无负荷时的距线材的表面0.2mm深度处的压缩残留应力为200MPa以上，并且距表面0.4mm深度处的压缩残留应力为60MPa以上。
压缩螺旋弹簧及其制造方法

[发明专利]弹簧成形装置以及成形方法-CN201480055675.4在审
发明人： 高桥启太;白石透;小野裕一朗;长泽肇 -专利权人：日本发条株式会社
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： B21F35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种弹簧成形装置，该装置在切断钢线材时能够在不停止钢线材的进给的情况下连续地进行切断，从而能够将钢线材均一地加热。具备下述机构：借助多对送料辊（11）供给钢线材（W）的线材供给机构（10）、加热钢线材（W）的加热机构（20）、将加热后的钢线材（W）成形为线圈状的盘簧机构（30）、将被盘簧为既定卷数的钢线材（W）与后方的钢线材（W）切离的切断机构（40）。切断机构（40）的切断刀（41）在切断钢线材（W）时形成如下所述的轨迹，该轨迹具备朝向支承刀（42）方向的速度Va以及朝向盘簧后的钢线材（W）的轴向的速度Vc。
弹簧成形装置以及方法

[发明专利]半导体装置-CN201310093453.9有效
发明人：清水茉莉子;森冈纯;高桥启太;小松香奈子;西郡正人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：发明提供一种半导体装置，能够在耐压水准相互不同的多个种类的DMOS之间，使对基板穿通耐压成为一定值以上。实施方式的半导体装置，具备：第一导电型的第一半导体层；以及第二导电型的第二半导体层，在每个相互分离的第一区域和第二区域中，设置在上述第一半导体层上的一部分。并且，上述第一区域中的、连接上述第四半导体层与上述第六半导体层的方向上的上述第一绝缘膜的两端间的第一距离比上述第二区域中的上述第一距离长，上述第一区域中的、上述第二绝缘膜在上述第二半导体层的内周侧的端缘与上述第三半导体层在上述第二半导体层的外周侧的端缘之间的第二距离比上述第二区域中的上述第二距离短。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201110278316.3有效
发明人：小松香奈子;森冈纯;白井浩司;高桥启太;山田翼;清水茉莉子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，其第1导电型的第1半导体层将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有第1杂质浓度，第1导电型的第2半导体层在第1半导体层的下层，将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有比第1杂质浓度小的第2杂质浓度，第1导电型的第3半导体层将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有比第2杂质浓度小的第3杂质浓度，与第2半导体层相接地配置。元件区域中第1半导体层与场氧化膜之间的边界、与第3半导体层在所述第5半导体层侧的端部之间的距离，比元件终端区域中第1半导体层与场氧化膜之间的边界、与第3半导体层在第5半导体层侧的端部之间的距离小。
半导体器件

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