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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN201910302589.3有效
  • 孙明秀;高昇必;李桢赫;韩慎熙;高宽协;宋胤宗 - 三星电子株式会社
  • 2019-04-16 - 2023-08-18 - H10B61/00
  • 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
  • 半导体器件
  • [发明专利]制造存储器件的方法-CN202211693867.0在审
  • 严鏋镇;李佳元;高昇必;李吉镐 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-28 - 2023-07-04 - H10B61/00
  • 一种制造存储器件的方法包括：在彼此之上顺序形成第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层；通过图案化第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层来形成磁隧道结结构；通过蚀刻覆盖磁隧道结结构的侧壁的再沉积金属的一部分来形成侧壁金属层；执行氧化操作，该氧化操作包括氧化侧壁金属层的暴露表面以提供氧化的侧壁金属层；以及执行照射操作，该照射操作包括朝向氧化的侧壁金属层照射离子束。通过交替地执行氧化操作和照射操作两次或更多次来形成覆盖磁隧道结结构的侧壁的侧壁绝缘层。
  • 制造存储器件方法
  • [发明专利]相变存储器件、使用其的存储系统和读取存储器件的方法-CN200810094944.4有效
  • 郑椙旭;郑基泰;金亨俊;高昇必 - 三星电子株式会社
  • 2008-04-30 - 2009-01-28 - G11C16/02
  • 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
  • 相变存储器件使用存储系统读取方法
  •  1 
  • 共 4 条
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