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[发明专利]用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构-CN202210979151.0在审
发明人： 高敏峰;许慈轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构。将传感器晶圆的第一侧面接合到第一逻辑晶圆的第一侧面。传感器晶圆包含像素，该像素被配置为检测通过传感器晶圆的与第一侧面相反的第二侧面进入传感器晶圆的辐射。第一逻辑晶圆包含被配置为操作像素的电路。传感器晶圆或第一逻辑晶圆包含保护二极管。从第一逻辑晶圆的与第一侧面相反的第二侧面将第一逻辑晶圆变薄。在第一逻辑晶圆中形成穿衬底通孔(TSV)。保护二极管保护传感器晶圆或第一逻辑晶圆在TSV形成期间免受损坏。将第一逻辑晶圆的第二侧面接合到第二逻辑晶圆。从传感器晶圆的第二侧面将传感器晶圆变薄。
用于堆叠图像传感器器件新型保护二极管结构

[实用新型]一种可增减LED灯珠的LED灯-CN202320260965.9有效
发明人：王秀英;高敏峰;赵冉;朱诗兰 -专利权人：河北盛景光电照明科技股份有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： F21V19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED灯技术领域，提出了一种可增减LED灯珠的LED灯，包括安装平台、灯罩、灯珠组件，灯珠组件安装在安装平台的下侧，用于将电转化为光，散热组件，散热组件安装在安装平台的底端，用于对LED灯进行散热，快拆组件，快拆组件安装在灯珠组件与散热组件之间，快拆组件包括可插拔电路板、卡块、限位壳、推动块、弹簧一，可插拔电路板固定安装在安装平台的下侧，且可插拔电路板的下端固定连接有卡块，卡块与灯珠组件滑动连接，且可插拔电路板顶端固定连接有限位壳，因此，该可增减LED灯珠的LED灯与现有技术相比，可实现对LED灯珠进行更换，且可对LED灯进行散热，减少因温度过高导致LED灯珠损毁的情况发生。
一种增减 led

[发明专利]一种洗墙灯-CN202310429876.7有效
发明人：赵彦为;高敏峰;赵冉;王秀英;左月孔 -专利权人：河北盛景光电照明科技股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F21V29/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种洗墙灯，属于照明灯具技术领域，包括安装架、散热箱、风扇、灯体和出气管。散热箱与安装架连接，散热箱的其中一个侧壁为第一侧壁，散热箱上设有进气孔，第一侧壁上设有出气孔。风扇位于散热箱内且与散热箱固定连接，风扇覆盖进气孔。灯体嵌入固定于第一侧壁内，灯体包括透光板，透光板位于散热箱外。出气管包括相垂直的第一出气段和第二出气段，出气管与散热箱转动连接，出气管能够沿出气孔的轴心线方向移动，能够使得第一出气段或第二出气段滑动穿入出气孔内。本发明提供的一种洗墙灯，能够避免洗墙灯的灯体散热效果较差的问题，以及长时间使用后，透光板的表面会沾满灰尘的问题。
一种洗墙灯

[发明专利]互连图案结构、半导体结构及其制造方法-CN201810926996.7有效
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;王俊智;黄冠杰;林杏芝;朱怡欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种互连图案结构、半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：半导体衬底，其具有有源侧；互连层，其位于所述半导体衬底的所述有源侧上方；及贯穿衬底导通孔TSV，其从所述半导体衬底延伸到第一金属层。所述互连层包含最靠近所述半导体衬底的所述有源侧的第一金属层，所述第一金属层的厚度低于1微米，且从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米。所述连续金属构件由第一介电构件切断。
互连图案结构半导体及其制造方法

[发明专利]图像传感器和形成图像传感器的方法-CN202210084432.X在审
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;黄诗涵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有由BDTI结构围绕的图像感测元件的图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，第一图像感测元件和第二图像感测元件在图像感测管芯内彼此相邻布置。像素介电堆叠件沿图像感测管芯的位于图像感测元件上面的背面设置。像素介电堆叠件包括第一高k介电层和第二高k介电层。BDTI结构设置在第一图像感测元件和第二图像感测元件之间并且从图像传感器管芯的背面延伸至图像传感器管芯内的位置。BDTI结构包括由隔离介电堆叠件围绕的沟槽填充层。像素介电堆叠件具有与隔离介电堆叠件的组分不同的组分。
图像传感器形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202210114063.4在审
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;黄诗涵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器的背侧上的沟槽隔离结构内的金属栅格耦接至接触焊盘，使得金属栅格上的电压随着接触焊盘上的电压连续变化。一个或多个导电结构将金属栅格直接耦接至接触焊盘。导电结构可以绕过图像传感器的前侧。金属栅格上的偏置电压可以通过接触焊盘改变，由此可以根据图像传感器的应用、其使用环境或其操作模式动态调整减少串扰和增加量子效率之间的权衡。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]用于堆叠集成电路的混合接合技术-CN202210712903.7在审
发明人：吴国铭;王俊智;杨敦年;林杏芝;刘人诚;高敏峰;林永隆;黄诗涵;陈奕男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互连结构和所述第二IC裸片的第二互连结构，且具有混合接合在一起的第一部分和第二部分。第三IC裸片通过第三接合结构接合到所述第二IC裸片。所述第三接合结构包括贯穿所述第二IC裸片的所述第二衬底放置的第二TSV(贯穿衬底通路)且包含根据本发明的各种实施例的各种接合结构。
用于堆叠集成电路混合接合技术

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202010467796.7有效
发明人： 高敏峰;杨敦年;林杏芝;刘人诚;蔡维道 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请的各个实施例针对集成电路(IC)，其中屏蔽结构阻止电荷从衬底通孔(TSV)附近迁移至半导体器件。在一些实施例中，该IC包括衬底、互连结构、半导体器件、TSV和屏蔽结构。互连结构位于衬底的前侧上并且包括导线。半导体器件位于衬底的前侧上，位于衬底和互连结构之间。TSV从衬底的背侧完全穿过衬底延伸到导线，并且包括金属。屏蔽结构包括PN结，PN结完全延伸穿过衬底，并且位于半导体器件和TSV之间。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110598984.8在审
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;林杏芝;李政勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括顶层、底层及中间层。底层包括在第一半导体衬底上方的第一内连线结构及在第一内连线结构上方的第一正面接合结构。中间层介于顶层与底层之间并与其电耦合。中间层包括在第二半导体衬底上方的第二内连线结构、介于顶层与第二内连线结构之间的第二正面接合结构及介于第二半导体衬底与第一正面接合结构之间的背面接合结构。第二正面接合结构的接合特征包括与第二内连线结构接触的第一接合通孔、在第一接合通孔上方的第一接合接点及在第一接合接点的底部与第一接合通孔的顶部之间的阻障层界面。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成芯片、金属-绝缘体-金属装置及其形成方法-CN202110947819.9在审
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;林杏芝;林冠华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)。所述IC包括设置在半导体衬底之上的第一金属间介电(IMD)结构。金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置设置在第一IMD结构之上。所述MIM装置包括彼此间隔开的至少三个金属板。所述MIM装置还包括多个电容器绝缘体结构，其中所述多个电容器绝缘体结构中的每一者设置在所述至少三个金属板中的相邻的金属板之间且对所述相邻的金属板进行电隔离。
集成芯片金属绝缘体装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110504233.5在审
发明人：李政勋;高敏峰;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一些实施例涉及半导体结构，该半导体结构包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上方的n个互连结构。互连结构包括介电结构和在介电结构中彼此堆叠的多个金属线。衬底通孔(TSV)延伸穿过半导体衬底以接触多个金属线中的金属线。保护套沿着TSV的外侧壁设置，并且将TSV的外侧壁与互连结构的介电结构分开。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]贯穿硅过孔及其制造方法-CN202210211982.3在审
发明人： 高敏峰;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开涉及贯穿硅过孔及其制造方法。具有形成在多层互连中的围护结构以及延伸穿过该围护结构的贯穿硅过孔(TSV)的方法和器件。在一些实施方式中，保护层形成在围护结构和TSV之间。
贯穿及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210110689.8在审
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;林杏芝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：第一衬底；电容器，位于第一衬底内；二极管结构，位于邻近电容器的第一衬底内；以及第一互连结构，位于电容器和二极管结构上方。第一互连结构的第一导电通孔将电容器电耦接至二极管结构。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件、图像传感器及其形成方法-CN202210178632.1在审
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;陈昇照;洪丰基;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202210094845.6在审
发明人： 高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;陈昇照;洪丰基;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一些实施例涉及一种图像传感器。该图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至半导体衬底的背面中并横向包围像素区。该背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将金属芯与半导体衬底分离。导电部件设置在半导体衬底的正面上方。贯穿衬底通孔从半导体衬底的背面延伸穿过外围区以与导电部件接触。该贯穿衬底通孔与背面隔离结构横向偏移。导电桥设置在半导体衬底的背面下方并将背面隔离结构的金属芯电耦合至贯穿衬底通孔。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
图像传感器及其形成方法

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