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[发明专利]图像传感器和图像传感器系统-CN201410602284.1在审
发明人：金成瞮;高亨守;金元住;尹浈斌;李光敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
图像传感器系统

[发明专利]提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法-CN201210194943.3无效
发明人：全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
提高电场传感器灵敏度方法存储设备再现

[发明专利]电场信息读头、电场信息写/读头及其制造方法以及使用其的信息存储装置-CN200780026478.X无效
发明人：丁柱焕;高亨守;朴弘植;洪承范;金庸洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。
电场信息及其制造方法以及使用存储装置

[发明专利]提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法-CN200810086943.5无效
发明人：全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
提高电场传感器灵敏度方法存储设备再现

[发明专利]具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-CN200710186767.8有效
发明人： 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴哲民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G12B21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电阻性尖端的半导体探针以及所述半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：电阻性尖端，其掺有第一杂质，且其顶部掺有低浓度的第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反，其中在所述电阻性尖端的斜面上形成掺有高浓度第二杂质的第一和第二半导体电极区；形成于所述电阻性尖端上的电介质层；电场屏蔽件，其形成于所述电介质层上，且连同所述电介质层一起在所述电阻性尖端的顶部上形成平面；以及具有末端的悬臂，所述电阻性尖端位于所述末端上。
具有电阻尖端半导体探针及其制造方法

[发明专利]具有楔形电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-CN200710092110.5有效
发明人： 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴弘植;朴哲民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： G12B21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
具有楔形电阻尖端半导体探针及其制造方法

[发明专利]高密度数据存储装置和利用该装置的数据记录或再现方法-CN200710096092.8无效
发明人：洪承范;丁柱焕;高亨守 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11B9/00 文献下载
摘要：一种高密度数据存储装置以及利用该装置的数据记录或再现方法，所述装置和方法能够在无接触的情况下记录或再现高密度数据，从而防止由于接触而造成的数据错误。所述高密度数据存储装置使用记录介质和探针。记录介质是由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的的薄膜；探针具有成形在其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质顶部间隔开的情况下移动。而且，通过电场或热量辐射实现数据的记录或再现，所述电场和热量辐射在探针的顶端产生，记录介质和探针之间无直接接触，从而能够消除起因于在记录介质和探针之间的接触的不稳定性，也能够没有错误地稳定地实现向/从记录介质的数据记录或再现。
高密度数据存储装置利用记录再现方法

[发明专利]电场读/写头及其制造方法、数据读/写装置-CN200710008044.9无效
发明人： 高亨守;丁柱焕;金庸洙;洪承范;朴弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
电场及其制造方法数据装置

[发明专利]用于读写数据的多探针及其操作方法-CN200610135580.0无效
发明人： 高亨守;洪承范;闵桐基;朴弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：提供一种用于向记录介质中写数据和/或从记录介质中读数据的多探针。所述的多探针包括多个探针，所有的探针是用于向记录介质中写数据和/或从记录介质中读数据的工作探针。
用于读写数据探针及其操作方法

[发明专利]半导体探头以及采用其写入和读取信息的方法-CN200610121326.5无效
发明人：朴弘植;丁柱焕;高亨守;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-21 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： G12B21/12 文献下载
摘要：提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。
半导体探头以及采用写入读取信息方法

[发明专利]铁电记录介质及其写入方法-CN200610001111.X无效
发明人： 高亨守;金恩植;金成栋;丁柱焕;朴弘植;朴哲民;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-11 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
记录介质及其写入方法

[发明专利]具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-CN200510134516.6有效
发明人：丁柱焕;申炯澈;高亨守;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G11B9/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有电阻性尖端的半导体探针和制造该半导体探针的方法。掺杂有第一杂质的电阻性尖端包括：电阻性区域，形成在电阻性尖端的顶部，轻掺杂有第二杂质，第二杂质与第一杂质的极性相反；第一半导体电极区域和第二半导体电极区域，形成在电阻性尖端的斜侧面上，重掺杂有第二杂质。半导体探针包括：电阻性尖端；悬臂，电阻性尖端位于悬臂的端部上；介电层，位于悬臂上并覆盖电阻性区域；金属屏蔽，位于介电层上并具有形成在与电阻性区域对应的位置处的开口。因此，提高了半导体探针的空间分辨率。
具有电阻尖端半导体探针及其制造方法

[发明专利]磁逻辑装置及其制造和操作方法-CN200510135660.1有效
发明人：金成栋;金恩植;丁柱焕;高亨守;闵桐基;朴弘植;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-27 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
逻辑装置及其制造操作方法

[发明专利]具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法-CN200510092119.7无效
发明人：洪承范;丁柱焕;高亨守;朴弘植;闵桐基;金恩植;朴哲民;金成栋;白庚录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供了一种具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法。所述电阻式存储装置包括：存储部分，其具有依次形成在第一衬底上的底电极和铁电层；探针部分，其具有设置在第二衬底上的电阻式探针的阵列，所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层使得所述电阻式探针能够在所述铁电层上写和读数据；以及粘合层，其将所述电阻式探针抓住并固定在所述铁电层上或所述铁电层上方。该电阻式存储装置的制造方法包括：在第一衬底上依次形成底电极和铁电层；在第二衬底上形成用于写和读数据的电阻式探针的阵列；以及使用粘合层将所述第一衬底晶片级结合到所述第二衬底上使得所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层的表面。
具有探针阵列电阻存储装置及其制造方法

[发明专利]包括各向异性导电层的铁电记录介质、记录器及记录方法-CN200510102838.2无效
发明人： 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴弘植;朴哲民;白庚录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-13 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。
包括各向异性导电记录介质记录器方法

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