“马远骁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种全氧化物的透明光电忆阻器及其制备方法-CN202310620781.3在审
发明人：李佳诚;王业亮;马远骁 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种全氧化物的透明光电忆阻器及其制备方法，该透明光电忆阻器包括透明基底、设置在透明基底上部的透明下电极层、设置在透明下电极层上部的透明存储层以及设置在透明存储层上部的透明上电极层。该制备方法包括：(1)选取ITO导电玻璃作为透明基底，然后对透明基底进行清洗，并把ITO导电玻璃上的ITO材料作为透明下电极层；(2)利用磁控溅射的方法在ITO导电玻璃表面上沉积IGZO薄膜作为透明存储层；(3)利用磁控溅射的方法在IGZO薄膜表面上沉积In2O3薄膜作为透明上电极层。本发明构思合理，具有非易失性、透明、功耗低、成本低廉、能实现多功能化等优点。
一种氧化物透明光电忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于大面积Ga2-CN202310432438.6在审
发明人：刘子淳;马远骁;王业亮 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学长三角研究院（嘉兴）
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于大面积Ga2O3的电性能可调节的场效应晶体管阵列的制备方法及应用，制备方法包括：制备具有栅电极、栅介质层、Ga2O3沟道层、源电极和漏电极的场效应晶体管阵列；其中，所述Ga2O3沟道层由掺杂有掺杂元素的Ga2O3提供；通过调节Ga2O3沟道层中掺杂元素的掺杂量和Ga2O3沟道层的厚度对电性能进行调节。本发明的技术方案具有节约成本、场效应晶体管阵列电学特性调控性强、栅介质层材料可选择范围广、器件结构设计灵活性高、可大面积制备的优点，该工艺对发展基于Ga2O3的大面积电子器件阵列的实现及其在集成电路中的应用具有重要的意义。
基于大面积 ga base sub

[发明专利]一种用于场效应晶体管的非晶氧化镓沟道层材料及制备方法、场效应晶体管及制备方法-CN202310432441.8在审
发明人：刘子淳;马远骁;王业亮 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学长三角研究院（嘉兴）
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于场效应晶体管的非晶氧化镓沟道层材料及制备方法、场效应晶体管及制备方法，非晶氧化镓沟道层材料的制备方法包括：S10、采用氧化镓靶材和至少一个掺杂靶材进行共同溅射，获得掺杂的预制氧化镓；S20、将步骤S10中的预制氧化镓在真空或气体存在的环境下进行后退火，得到用于场效应晶体管的沟道层材料。本发明通过磁控共同溅射，并结合后退火的协同操作，使得制备氧化镓能够在相对低温环境下进行，从而获得具有高导电性和高击穿场强特性的非晶氧化镓沟道层，同时具有快速制造、大面积生长、与多种衬底的高兼容性、掺杂含量的可调控性以及器件设计的高度灵活性等优点。
一种用于场效应晶体管氧化沟道材料制备方法

[发明专利]一种阈值电压正向偏移的氧化镓晶体管及其制备方法-CN202310432436.7在审
发明人：刘子淳;马远骁;王业亮 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学长三角研究院（嘉兴）
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阈值电压正向偏移的氧化镓晶体管及其制备方法，氧化镓晶体管包括栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅介质层的材料选自高k栅介质材料；所述沟道层为至少具有氮掺杂的氧化镓沟道层，和/或，氧化镓/IGZO异质结沟道层。本发明通过对晶体管材料及其制备方法的相应改进，基于简单的工艺步骤，即可使制得的氧化镓晶体管保持高导通电流的同时在低偏置电压下快速开关，最终实现了具有小数值的正数阈值电压的增强型氧化镓晶体管，且整个制备过程的灵活性高，成本低。
一种阈值电压正向偏移氧化晶体管及其制备方法

[发明专利]基于IGZO薄膜的神经突触器件及其制备方法-CN202310221491.1在审
发明人：李佳诚;王业亮;马远骁 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于IGZO薄膜的神经突触器件及其制备方法，该器件包括底电极、顶电极及设置在底电极和顶电极之间的阻变层；底电极包括基底和位于基底上方的底电极层；阻变层的材料为IGZO薄膜。该制备方法为包括：(1)对ITO玻璃材料的基底进行清洗，并把ITO作为底电极；(2)采用磁控溅射的方法在底电极位于基底上方的底电极层的表面上沉积IGZO薄膜以形成阻变层；(3)采用热蒸发的方法在功能层上蒸镀一层Ag薄膜以形成顶电极。本发明构思合理，具有高度的透明性且能够有效模拟神经突触功能，包括双脉冲易化(PPF)、长时程增强和抑制(LTP/LTD)等，而且不需要设计复杂的脉冲信号，适于推广与应用。
基于 igzo 薄膜神经突触器件及其制备方法

[实用新型]一种基于帕尔贴效应的超高真空冷却装置-CN202222382281.4有效
发明人：刘立巍;王业亮;杨涵;马远骁 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学长三角研究院（嘉兴）
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： F25D15/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种基于帕尔贴效应的超高真空冷却装置，包括帕尔贴制冷机构、贴附散热机构、密闭阀组和保护外壳；且，所述帕尔贴制冷机构至少包括自内而外顺次套接的冷端套筒和热端套筒，且所述冷端套筒至少侧边围合形成有容纳腔；所述贴附散热机构用于贴附于所述热端套筒外表面上，并对所述热端套筒进行冷却；所述保护外壳和所述密闭阀组配合形成有密封腔，至少部分所述帕尔贴制冷机构和所述贴附散热机构位于所述密封腔中。实现了能够在真空等环境下直接使用，实现小型化操作，并使得操作环境可以达到尽可能低的温度的效果。
一种基于帕尔效应超高真空冷却装置

[发明专利]一种同轴可切换样品托的传样装置和超高真空传样系统-CN202210992374.0在审
发明人：刘立巍;王业亮;杨涵;黄元;马远骁;叶术军;杨惠霞;张腾 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B65G47/74 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种同轴可切换样品托的传样装置和超高真空传样系统，传样装置包括旋转抵触抓取部和端盖部，且旋转抵触抓取部与端盖部之间通过弹性复位元件组连接，其中，旋转抵触抓取部至少包括自内而外顺次套接且同轴设置的中轴组件、至少一组内套筒组件和外套筒组件；且，至少内套筒组件和外套筒组件中远离端盖部的一端各自形成有与样品托配合的配接口；至少内套筒组件和外套筒组件沿周向方向可自转地设置。实现了在不更换传样装置的前提下，能够针对性适配不同的样品托且能够在操作过程中进行自适应/自动切换，大大降低换件时间和真空环境的构建时间，提高整体的操作效率，降低在更换样品托的前提下的操作成本的效果。
一种同轴切换样品装置超高真空系统

[发明专利]一种高k栅介质材料及其制备方法和应用-CN202010910693.3在审
发明人： 马远骁;黎沛涛;王业亮;刘立巍;张腾 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本申请公开了一种高k栅介质材料及其制备方法和应用，所述高k栅介质材料包括硅衬底，衬底表面沉积有栅介质层；栅介质层中含有金属钕和铪。本申请通过在氧气氛围下共溅射钕和铪材料，实现一种高质量掺杂高k栅介质材料的制备。钕元素氧化物具有电荷陷阱少，氧空位密度低，缺陷密度低的有点，但是吸湿性严重；铪元素氧化物具有抗吸湿性，但相对缺陷较多，氧空位密度高，电荷陷阱多，通过以钕为主要占比，铪为次占比的掺杂，得到了一种高质量的钕‑铪氧氮化物栅介质材料，并在并五苯有机晶体管上取得了优异性能，拓展了高k栅介质材料的开发与应用前景。
一种介质材料及其制备方法应用

1
共 8 条