专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种组合式侧卧手术体位垫-CN202310989982.0在审
  • 王华磊;叶向阳;汤立新;王挺;马远;程省 - 南阳市中心医院
  • 2023-08-08 - 2023-10-17 - A61G13/08
  • 本发明公开了一种组合式侧卧手术体位垫,包括第一垫块和第二垫块,第二垫块与第一垫块转动连接,第一垫块上设置有调节组件,调节组件包括第一垫块底端设置的安装板,安装板上设置有第一液压杆,第一液压杆顶端设置有调节板,调节板底端与第一垫块顶端接触,调节板一侧设置有与第一垫块连接的连接垫块,连接垫块底端设置有气囊,第一垫块底端设置有气泵,气泵一端与气囊通过连接管连接,安装板上设置有支撑组件。本发明中的调节组件可对第一垫块上通过第一液压杆连接的调节板的高度进行调节,通过调节调节板的高度可满足医护人员在进行胸腔手术时对抬高胸部位置的需求,本发明可支持不同类型手术或检查,进而提高了装置的实用性。
  • 一种组合式侧卧手术体位
  • [实用新型]一种用于单晶生长的测温装置-CN202320948181.5有效
  • 薛卫明;周玉洁;马远;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-10-17 - G01K13/00
  • 本实用新型公开了一种用于单晶生长的测温装置,涉及半导体制造领域。所述用于单晶生长的测温装置至少包括:通管,设置于单晶生长的反应装置的外表面,且所述通管上设置有第一气孔;接头,设置在所述通管的一端,与所述通管固定连接;测温窗口,设置在所述接头远离所述通管的一端,且所述测温窗口上设置有第二气孔;气体单元,设置在所述测温装置外侧,与所述第二气孔连接;以及测温器,设置于所述测温口相对于所述接头的一端。本实用新型提供的一种用于单晶生长的测温装置,能够避免测温区域单晶沉积。
  • 一种用于生长测温装置
  • [实用新型]一种耦合器-CN202223567754.4有效
  • 马远;高伟;汪玮玺;徐腾;蒋秀萍 - 扬州江嘉科技有限公司
  • 2022-12-31 - 2023-09-22 - H01P5/18
  • 本实用新型涉及耦合器技术领域,且公开了一种耦合器,耦合器外层主要有四个电极及通过四个接地孔构成的公共地,内层主要有主传输线、副耦合线及一些内置的偏置地板,所述四个电极分别为电极一、电极二、电极三、和电极四,所述电极一、电极二、电极三、和电极四分别位于耦合器的四个角上,所述耦合器的四个边的中间位置以及耦合器的四个角上均设置有外层接地柱,采用LTCC技术实现一款‑30dB的耦合器。工作频段在600MHz~1000MHz。在整个通带内,驻波优于‑23dB,耦合度在30±1dB,直通路的通带插损在0.08dB以内,方向性优于20dB。
  • 一种耦合器
  • [发明专利]一种双热场晶片退火炉-CN202210916730.0有效
  • 张德;马远;丁学磊;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
  • 2022-08-01 - 2023-08-29 - C30B33/02
  • 本发明提供一种双热场晶片退火炉,属于晶体退火技术领域,该双热场晶片退火炉包括:内壁体、外壁体和第一转动盘。其中,内壁体设置在炉体中心,内壁体中设置有第一加热装置,第一加热装置对内壁体外侧加热产生内热场;外壁体沿炉体周向设置在内壁体外围,外壁体中设置有第二加热装置,第二加热装置对外壁体内侧加热产生外热场;第一转动盘在内壁体和外壁体之间沿炉体周向转动,第一转动盘上沿炉体周向设置有多个安放装置,安放装置中安装有多个坩埚,坩埚用于安放待退火晶片。本发明在退火过程中驱动第一转动盘在内壁体和外壁体之间匀速转动,使得第一转动盘载有的多个坩埚能够同时受到内热场和外热场的加热,使得晶体内应力完全释放。
  • 一种双热场晶片退火炉
  • [发明专利]一种免烧耐火材料压制成型装置及方法-CN202310835162.6在审
  • 马远;孙贸然;宋学华 - 郑州中科新材料有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-08-22 - B28B5/08
  • 本发明涉及一种耐火材料成型装置,在支撑圆台的底部中心位置固定安装有旋转减速步进电机,旋转减速步进电机的输出端与安装在支撑圆台上部中心位置的旋转盘相连接,旋转盘的圆周方向固定安装有旋转支撑杆,旋转支撑杆的顶面固定安装有伸缩杆,旋转支撑杆的外端固定安装有与纵向缺口顶部相配合的成型箱套,成型箱套的纵向内侧面设置有物料承接托板槽,伸缩杆的输出端固定安装有与该物料承接托板槽相配合的伸缩托板;整体一体化程度高,智能化程度高,压制成型过程中的进料和出料均采取定量进料和自动出料的自动化操作,大大提高了生产效率。
  • 一种耐火材料压制成型装置方法
  • [实用新型]一种碳化硅单晶生长装置-CN202320564723.9有效
  • 薛卫明;马远;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
  • 2023-03-21 - 2023-08-01 - C30B23/00
  • 本实用新型提供一种碳化硅单晶生长装置,具体涉及碳化硅晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括:坩埚、籽晶托盘、至少一层惰性金属结构和底盘;所述坩埚内设有用于放置碳化硅原料的第一区域;设置于所述坩埚的顶部并与所述坩埚可拆卸地连接;所述至少一层惰性金属结构通过电极杆设置于所述第一区域与所述籽晶托盘之间,且所述电极杆与第一电源电连接;所述底盘设置在所述坩埚的下方,所述底盘与第二电源连通。本实用新型的碳化硅单晶生长装置在碳化硅单晶生长过程中将碳化硅原料分解产生的碳颗粒在电场力的作用下收集起来,避免碳颗粒进入到碳化硅晶体中形成碳包裹物,提高了碳化硅晶体的质量。
  • 一种碳化硅生长装置
  • [发明专利]一种掺杂碳化硅晶体的生长方法-CN202310450107.5在审
  • 薛卫明;周玉洁;马远;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-07 - C30B23/00
  • 本发明公开了一种掺杂碳化硅晶体的生长方法,包括:提供生长坩埚,用于放置碳化硅原料和籽晶;提供晶体生长设备,包括多个气体管路和微波等离子发生单元;生长坩埚在第一预设压力升温至第一预设温度;将生长坩埚维持在第二预设压力,升温至第二预设温度;保持温度不变,降低压力至第三预设压力,以第一流量通入含氮气体;降低压力至第四预设压力,持续第一流量通入含氮气体,将含氮等离子体源升温至预定温度,开启微波等离子发生单元,以第二流量通入含氮等离子体源;第一特定速度将含氮气体流量调整至第三流量,第二特定速度将含氮等离子体源流量调整至第四流量。通过本发明提供的掺杂碳化硅晶体的生长方法,提高掺杂碳化硅晶体的良率和性质。
  • 一种掺杂碳化硅晶体生长方法
  • [实用新型]一种自动防过钻安全型骨钻-CN202222823584.5有效
  • 侯健红;马远;杨红林;熊翔;王海龙;唐桦 - 云南省第三人民医院
  • 2022-10-25 - 2023-07-07 - A61B17/16
  • 一种自动防过钻安全型骨钻,包括防护壳和手柄,防护壳中固定有步进电机、主动转轴、压力传感器、形变弹簧、压力传导机构、动力输出杆和钻杆夹头,压力传感器固定于步进电机的端面上,形变弹簧的一端抵持于压力传感器上且另一端抵持于压力传导结构上,主动转轴从压力传感器和形变弹簧的中心处伸出并与压力传导机构铰接,压力传导机构可在主动转轴上滑动并随主动转轴一同转动,动力输出杆通过联轴器与压力传导机构连接,联轴器可在限位滑槽中滑动;手柄上固定有电源开关按键和钻头开关按键,手柄中固定有控制器和蓄电池。该骨钻利用压力传感器来检测钻头钻通瞬间的压力变化以判断钻杆是否钻通,防止因钻头过钻而造成的组织损伤问题。
  • 一种自动安全型骨钻
  • [发明专利]一种碳化硅晶体生长装置及生长方法-CN202310429243.6在审
  • 薛卫明;周玉洁;马远;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-04 - C30B23/00
  • 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及生长方法,所述生长装置包括:生长坩埚,所述坩埚内部设置有聚焦反应腔,所述聚焦反应腔与所述生长坩埚之间形成原料腔,聚焦反应腔内附有耐高温层;发热体,设置在所述生长坩埚的四周;保温层,设置在所述发热体的外侧;气体管路,设置所述保温层的底部,且位于所述聚焦反应腔的下方;传导单元,设置在所述气体管路的两侧;微波发生单元和激光发生单元,设置在所述保温层的外侧,与所述传导单元连接;电磁感应单元,设置在所述保温层上,并允许所述电磁感应单元在所述保温层上移动。通过本发明提供的一种碳化硅晶体生长装置及生长方法,提高碳化硅晶体的掺杂质量和良率。
  • 一种碳化硅晶体生长装置生长方法
  • [发明专利]一种碳化硅晶体生长装置及生长方法-CN202310297335.3在审
  • 薛卫明;马远;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
  • 2023-03-21 - 2023-06-23 - C30B23/00
  • 本发明提一种碳化硅晶体生长装置及生长方法,具体涉及碳化硅晶体生长领域。本发明的碳化硅晶体生长装置,包括坩埚、籽晶托盘、至少一层惰性金属网和底盘;坩埚与第一电源的正极或负极电连接,坩埚包括用于放置碳化硅原料的第一区域;籽晶托盘设置在坩埚的上方;至少一层惰性金属网,通过电极杆设置在所述第一区域与所述籽晶托盘之间,且电极杆与第二电源的正极或负极电连接;底盘设置在所述坩埚的下方,底盘与第三电源的正极或负极电连接;其中,坩埚与所述第一电源、电极杆与第二电源及底盘与第三电源中至少一项导通。采用本发明的碳化硅晶体生长装置可以防止碳颗粒进入碳化硅晶体内,影响碳化硅晶体的质量。
  • 一种碳化硅晶体生长装置生长方法

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