专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]利用声动力清除光罩表面颗粒物的装置及其使用方法-CN202310450891.X在审
  • 张瑞麟;马趁义 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2023-04-24 - 2023-07-25 - B08B7/02
  • 本发明提供一种利用声动力清除光罩表面颗粒物的装置及其使用方法,无尘箱体;水平放置于所述无尘箱体内的光罩;悬置于光罩上方的超声枪;设置于超声枪内部的换能器;置于超声枪内端部、换能器下方的聚波器;连接于换能器的脉冲电源;换能器用于将脉冲电源的电信号转换为超声波;聚波器用于将换能器产生的超声波聚焦到光罩的表面,并通过超声波的声动力清除光罩表面的颗粒物,使得颗粒物从光罩表面分离并扩散于空气中;无尘箱体的两侧分别设有流体入口和流体出口;光罩位于无尘箱体内途径流体入口和流体出口之间的位置;流体入口用于水平吹入清洁气体并将扩散于空气中的颗粒物连同清洁气体从流体出口输出。
  • 利用动力清除表面颗粒装置及其使用方法
  • [发明专利]一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法-CN202211304498.1在审
  • 马趁义;张瑞麟 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-10-24 - 2023-02-03 - H01L21/768
  • 本发明提供一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法,半导体结构包括自下而上依次包括PMD、NDC层、TEOS层、ULK层;堆叠在ULK层上的叠层,叠层自下而上由第一NFDARC层、TiN层及第二NFDARC层组成;刻蚀叠层及ULK层至露出TEOS层上表面;刻蚀叠层后形成第一宽度的第一沟槽;刻蚀ULK层形成第二宽度的第二沟槽;在第一、第二沟槽斜街处形成第一台阶;沉积保护层,保护层覆盖在第二NFDARC层、第一、第二沟槽侧壁、第一台阶处及露出的TEOS层上;去除第二NFDARC层上及露出的TEOS层上的保护层;沿第一沟槽侧壁的保护层和第二沟槽侧壁的保护层同时刻蚀ULK层、TEOS层和NDC层至露出PMD层为止,形成第一宽度的第三沟槽和第二宽度的通孔;去除剩余的保护层。
  • 一种改善后段制程中金属沟槽缺陷方法

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