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[实用新型]电芯焊接夹具-CN202320503373.5有效
发明人：叶昌发;马慧莉 -专利权人：宁夏宝丰昱能科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B23K20/26 文献下载
摘要：本申请提供一种电芯焊接夹具，涉及电池生产技术领域。电芯焊接夹具包括基板、第一夹爪、第二夹爪、驱动件和传动机构，基板的第一面放置有用于放置待焊接电芯的放置位，相邻两个放置位之间设置有极耳焊接区，第一夹爪和第二夹爪设置于基板的周侧并用于夹持待焊接电芯，在第一夹爪的限制下，两个待焊接电芯的中心线重合，驱动件和传动机构均安装于第二面，传动机构同时与驱动件、第一夹爪和第二夹爪连接，在驱动件的驱动下，传动机构带动第一夹爪和第二夹爪同时张开或合拢。本申请通过第一夹爪的限定，两个待焊接电芯的中心线保持重合，保障极耳的焊接对齐度。避免由于带焊接电芯的中心线定位不准确导致极耳焊接对齐度较差的问题。
焊接夹具

[实用新型]一种小区广场专用的储物柜-CN201620721827.6有效
发明人： 马慧莉 -专利权人：济宁市金蓝领教育咨询有限公司
申请日： 2016-07-10 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： A47B81/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小区广场专用的储物柜，包括雨棚、柜体、摄像头、出纸口和检修门，所述雨棚的上方安装有太阳能板，所述柜体的上方连接有蓄电池，所述柜体的表面镶嵌有箱门，所述箱门的内部固定有电子锁，所述支柱的底部安装有底座，所述摄像头的下方固定有操作面板，所述出纸口与感应扫描仪相连接，所述检修门的上端安装有出纸口，所述检修门的内部固定有打印机和处理器。该小区广场专用的储物柜，采用太阳能能源，比较环保、使用方便，设置防水密封圈，下雨天也不会出现雨水进入柜体的情况，以及设置的摄像头和电子信息储存装置，能够充分的保护装置的使用安全，避免人为恶意破坏，能够更好的储物作业，给人们一个便捷、安全的储物环境。
一种小区广场专用储物柜

[实用新型]一种办公用多功能杯-CN201620643547.8有效
发明人： 马慧莉 -专利权人：济宁市金蓝领教育咨询有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种办公用多功能杯，包括杯盖、内胆、办公章、U盘、蓄电池和底座，所述杯盖的下方安装有杯身，所述杯盖的表面固定有轨道，所述杯身的外侧设置有防滑套，所述防滑套的下方安装有显示屏，所述内胆通过保温层与杯身相连接，所述办公章的外侧安装有机壳，所述U盘通过滑块与轨道相连接，所述蓄电池的下方固定有办公章，且蓄电池的左侧设置有充电接口，所述底座与机壳相连接。该办公用多功能杯，功能比较繁多，设置有U盘，可进行电子信息的存储，在办公场所使用该杯子非常方便，设置有办公章装置，很好的解决了公章体积比较大、占位置的问题，收纳在杯子内，携带便捷，实用性强，能够更好的为办公人员提高服务。
一种公用多功能

[实用新型]一种文化广场用儿童组合滑梯-CN201620721765.9有效
发明人： 马慧莉 -专利权人：济宁市金蓝领教育咨询有限公司
申请日： 2016-07-10 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： A63G21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种文化广场用儿童组合滑梯，包括直滑梯、管道滑梯、弯形滑梯和拱桥，所述直滑梯的右侧固定有窗户围板和火车围板，且火车围板的下端位置安装有弹性网，所述管道滑梯的外侧安装有管道滑梯支架，所述拱桥的下方连接有飞碟爬架，所述拱桥的上方设置有大风车，且大风车的右方固定有旋转亭，所述旋转亭的下方固定有攀爬网，所述弯形滑梯的左侧连接有旋转亭。该文化广场用儿童组合滑梯，功能性强，玩耍的项目多，进行全面的身体锻炼，并在传统的滑梯上进行设计改造，S型结构的管道滑梯带来的更高的刺激感，波浪形滑梯带来颠簸感，拱桥上下两端安装有防护板，安全性高，整体占地面积大，能够满足众多孩子们玩耍的需求。
一种文化广场儿童组合滑梯

[实用新型]一种文化广场用音乐喷泉-CN201620722162.0有效
发明人： 马慧莉 -专利权人：济宁市金蓝领教育咨询有限公司
申请日： 2016-07-10 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： B05B17/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种文化广场用音乐喷泉，包括下水池、支撑柱、霓虹灯、上水池、台面、第一水池、喷水孔、第三水池、彩灯、出水孔和底座，所述下水池的外表面上安装有音响，且其内部设置有支撑柱，所述支撑柱的外表面上环绕安装有霓虹灯，且其上端固定连接有上水池，所述上水池的上端安置有旋转水池，且其外表面上设置有出水孔，所述台面的内部安装有灯管和数据线，所述第一水池的内部安置有喷水孔，且其底部左侧设置有排水口，所述排水口的右侧安置有入水口，所述第四水池设置在第三水池内，且其外表面上安装有彩灯，所述底座的内部安装有控制装置。该文化广场用音乐喷泉不仅使音乐喷泉的造型新颖独特，而且使其观看效果更加美观。
一种文化广场音乐喷泉

[发明专利]通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法-CN201210088596.6无效
发明人：付英春;王晓峰;张加勇;白云霞;梁秀琴;马慧莉;季安;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。
通用多种材料限制量子对准制备方法

[发明专利]一种平面相变存储器的制备方法-CN201010531375.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的相变材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的相变材料侧墙；去除剩余的基底材料层，只保留纳米尺寸的相变材料侧墙；在该相变材料侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；再用薄膜淀积工艺制备一层绝缘材料层；再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到将相变材料侧墙顶部的金属割断，形成中间夹有相变材料侧墙的nano-gap电极；淀积一层绝缘材料，在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极即可形成平面相变存储器。
一种平面相变存储器制备方法

[发明专利]平面相变存储器的制备方法-CN201010520209.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在金属层上制备一层绝缘材料层；抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层，再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器。
平面相变存储器制备方法

[发明专利]平面相变存储器的制备方法-CN201010283557.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。
平面相变存储器制备方法

[发明专利]相变存储器的制作方法-CN201010263081.6无效
发明人： 马慧莉;王晓峰;张加勇;程凯芳;王晓东;季安;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层第二绝缘材料层；步骤4：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；步骤5：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；步骤6：在第二绝缘材料层上淀积一层相变材料；步骤7：在相变材料上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。
相变存储器制作方法

[发明专利]垂直相变存储器及制备方法-CN201010256816.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极，该底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层，该下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层，该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层，该上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔；一相变材料插塞柱，该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内；一顶部电极，该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上，并覆盖相变材料插塞柱。
垂直相变存储器制备方法

[发明专利]一种相变存储器的制作方法-CN201010139182.2无效
发明人： 马慧莉;王晓峰;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层相变材料层；步骤4：在相变材料层上用薄膜淀积工艺淀积一层第二绝缘材料层；步骤5：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；步骤6：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；步骤7：在第二绝缘材料层上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。
一种相变存储器制作方法

[发明专利]一种高密度相变存储器的制备方法-CN201010139053.3无效
发明人：程凯芳;王晓峰;王晓东;张加勇;马慧莉;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周期的上电极层上用薄膜淀积工艺淀积电热绝缘材料层，然后将表面平坦化；采用光刻方法和干法刻蚀的工艺在电热绝缘材料层的上面制备插塞小孔，该插塞小孔的宽度大于每一层金属材料上的凹槽的宽度；在插塞小孔的孔壁上的表面淀积一层相变材料，得到管状结构；采用化学气相淀积工艺，在相变材料上再淀积一层金属材料层，该金属材料层填满插塞小孔内；最后用化学机械抛光方法，去除插塞小孔表面上多余的金属材料层和相变材料，抛光表面。
一种高密度相变存储器制备方法

[发明专利]垂直相变存储器的制备方法-CN201010113827.5无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种垂直相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长第一金属层作为底部电极；步骤2：在第一金属层上淀积第一绝缘材料层；步骤3：采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体；步骤4：在第一金属层上和绝缘柱体的表面淀积第二金属层作为加热电极；步骤5：在第二金属层上淀积第二绝缘材料层；步骤6：用化学机械抛光的方法抛光表面，同时切断绝缘柱体顶部的第二金属层的连接，形成环形的加热电极；步骤7：最后淀积相变材料和顶部电极，引出电极即可形成垂直相变存储器。
垂直相变存储器制备方法

[发明专利]一种平面相变存储器的制备方法-CN201010115649.X无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器。
一种平面相变存储器制备方法

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