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[发明专利]一种太阳能电池的制造方法及激光刻蚀设备-CN202210693440.4在审
发明人：颜长;孙波;李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制造方法及激光刻蚀设备，涉及太阳能电池技术领域，用于提升背接触电池的光电转换效率。所述制造方法包括：提供一第一基底。第一基底包括半导体基板和第一掺杂半导体材料层。半导体基板的第二面具有交替间隔设置的第一区域和第二区域、以及介于第一区域和第二区域之间的第三区域。第一掺杂半导体材料层覆盖在第二面上。利用同一激光刻蚀设备，在第一聚焦深度下至少去除第一掺杂半导体材料层位于第二区域上的部分，以及在第二聚焦深度下并在第三区域上形成相对于第一区域的表面和第二区域的表面均向内凹入的第一凹入。第二聚焦深度大于第一聚焦深度。本发明还提供了另一种太阳能电池的制造方法和一种激光刻蚀设备。
一种太阳能电池制造方法激光刻蚀设备

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110219854.9有效
发明人：颜长;刘银生;张双玉;乐雄英;陆祥;陈如龙;陶龙忠;杨灼坚 -专利权人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，所示异质结太阳能电池包括：电池本体；所述电池本体包括n型硅片；所述n型硅片的受光面依次设置有第一本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层；所述p型掺杂非晶硅层的外侧设置有受光面p‑TCF层。本发明提供的异质结太阳能电池，通过以受光面p‑TCF层2替代传统的n型TCO薄膜，提高受光面一侧的透明导电薄膜与p型掺杂非晶硅层13的功函数匹配度，进而提高异质结太阳能电池的性能。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法-CN202011193980.3在审
发明人：颜长;张双玉;刘银生;乐雄英;陆祥;陈如龙;陶龙忠;杨灼坚 -专利权人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法，包括：对硅片进行制绒及扩散；硅片的正面在外置含扩散掺杂源的SiO2膜薄保护下形成重掺杂区域；利用酸性溶液去除硅片背面的硅磷玻璃并利用碱性溶液抛光；利用酸性溶液去除硅片正面的硅磷玻璃；依次在硅片的背面沉积氧化铝膜、在硅片的正面沉积氮化硅减反射膜及在硅片的背面沉积氮化硅保护膜；利用激光去除硅片背面指定区域的叠层膜；印刷硅片两面的电极并烧结。该方法充分利用外置含扩散掺杂源的SiO2膜薄作为缓冲层，在激光选择性重掺时，保护此区域的原有氧化层不被破坏，进而保持重掺杂区域的性能稳定；采用碱液进一步减少表面悬挂键密度，实现良好的背抛光，进而提升电池性能。
一种选择性发射极电池抛光制造方法

[实用新型]一种用于石墨舟的监控装置-CN201922015042.3有效
发明人：颜长;刘恩华;潘岳林;姜大俊 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于石墨舟的监控装置，属于电池片生产技术领域。监控装置包括测量表和由所述测量表引出的两个接触电极，两个所述接触电极能够分别与石墨舟上同一石墨舟片的不同卡点进行接触连接，以获得两个所述卡点之间的电阻值，所述电阻值由所述测量表进行显示，用于表征所述石墨舟的使用寿命。本实用新型通过对同一石墨舟片上不同卡点之间的电阻进行检测，以电阻值大小来获得石墨舟的镀膜沉积情况，进而判断石墨舟的使用寿命是否达到极限，检测方式简单可靠、结果直观，既避免了石墨舟超寿命发现不及时造成的返工，减少了产能损失，也实现了石墨舟的高效合理应用，降低了生产成本。
一种用于石墨监控装置

[实用新型]一种能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置-CN201921896039.0有效
发明人：颜长;刘恩华;潘岳林;姜大俊 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置，其包括反应容器和测量组件，反应容器具有至少两个气体进口，每个测量组件的两端分别连接在外部气源与气体进口之间。每个测量组件均包括第一流量计、第一控制阀、第二流量计和第二控制阀，第一流量计的一端与气体进口相连，另一端与外部气源相连，第一控制阀为两个，其中一个第一控制阀设在第一流量计与气体进口之间，另一个第一控制阀设在第一流量计与外部气源之间，第二流量计与第一流量计并联设置，第二控制阀为两个，两个第二控制阀分别设在第二流量计的两端，第二流量计可拆卸的连接在两个所述第二控制阀之间。该管式镀膜装置能够快速的锁定异常流量计，检测速度较快。
一种能够快速锁定异常流量计镀膜装置

[实用新型]一种槽式制绒花篮-CN201921865259.7有效
发明人：刘恩华;颜长;姜大俊;潘岳林;潘励刚 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种槽式制绒花篮，其包括固定杆、活动杆和两个连杆，固定杆上设有多个固定齿组，每个固定齿组均包括固定直齿和固定斜齿，固定直齿的延伸方向与固定杆垂直，固定斜齿与固定直齿之间具有夹角，活动杆与固定杆间隔分布，活动杆上设有多个活动齿组，多个活动齿组与多个固定齿组一一对应设置，每个活动齿组均包括活动直齿和活动斜齿，活动直齿的延伸方向与固定直齿的延伸方向平行，活动斜齿的延伸方向与固定斜齿的延伸方向平行，连杆为两个，两个连杆的一端均连接在固定杆上，另一端与活动杆相配合，且活动杆能够相对连杆活动。该槽式制绒花篮能够较好地避免漂篮现象，且该槽式制绒花篮的结构简单，操作方便。
一种槽式制绒花

[发明专利]一种铽‑锗‑铋材料、制备方法及其应用-CN201610198054.2有效
发明人：姚金雷;颜长;沈娇艳 -专利权人：苏州科技学院
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铽‑锗‑铋材料、制备方法及其应用。它的化学式为Tb4Ge3‑xBix，其中，x为Bi的含量，0.2≤x≤2.9；具有反Th3P4型立方晶体结构，空间群为I‑43d。本发明提供的铽‑锗‑铋材料在235～350K的温度区间呈现较大磁熵变，具有较大的磁制冷能力,良好的热、磁可逆性质，且价格低廉，是理想的室温区磁制冷材料。
一种材料制备方法及其应用

[发明专利]用于室温磁制冷的铽‑锗‑锑材料及其制备方法-CN201610198055.7有效
发明人：姚金雷;颜长;沈娇艳 -专利权人：苏州科技学院
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于室温磁制冷的铽‑锗‑锑材料及其制备方法。所述材料的化学结构式为Tb4Ge3‑xSbx，其中x为Sb的含量，0.5≤ x ≤2.9；该磁制冷材料具有反Th3P4型立方晶体结构，空间群为I‑43d。本发明提供的铽‑锗‑锑材料在270～340K的温度区间呈现较大磁熵变，具有较大磁制冷能力、良好的热、磁可逆性质、价格低廉等优点，是非常理想的室温区磁制冷材料。
用于室温制冷材料及其制备方法

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