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[发明专利]单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法-CN202110740212.3有效
发明人：陈伟斌;冷群文;朱大鹏;颜世申 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法，衬底上设置有全桥电路，全桥电路包括均为长条形的两个磁阻单元Ⅰ和两个磁阻单元Ⅱ2，全桥电路分成上半部分的两个桥臂和下半部分的两个桥臂，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2平行相对，磁阻单元Ⅰ长轴方向与磁阻单元Ⅱ2的长轴方向一致；磁阻单元Ⅰ、磁阻单元Ⅱ2由磁性薄膜材料组成，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2的自旋产生层的电流流向相反。本发明后期封装更为方便，可靠性强，且封装成本低，设计具有灵活性，根据不同应用，易于设计传感器的灵敏度和测量范围。
磁阻磁场传感器制作方法

[发明专利]一种基于SOT效应产生偏置的磁性薄膜材料结构-CN202110402104.5有效
发明人：陈伟斌;冷群文;朱大鹏;颜世申 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N52/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SOT效应产生偏置的磁性薄膜材料结构，所述磁性薄膜材料结构采用顶钉扎结构或底钉扎结构，所述磁性薄膜材料结构包括基底、种子层、自旋产生层、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性间层、软磁自由层和覆盖层，所述的自旋产生层的制作材料为重金属、非磁金属、晶体薄膜或外耳半金属中的一种。本发明的磁性薄膜材料结构，自旋产生层的制作材料为重金属、非磁金属、晶体薄膜或外耳半金属中的一种，由于自旋产生层的特定材料可以使邻近反铁磁的铁磁层发生偏置，通过改变电流的方向会使偏置的方向改变，并且通过改变电流密度的大小可以改变偏置的大小。
一种基于 sot 效应产生偏置磁性薄膜材料结构

[发明专利]一种模拟神经突触和神经元功能的自旋轨道矩器件及其实现方法-CN202211459545.X在审
发明人：曹强;刘森淼;解镕寰;黄启坤;张昌文;颜世申 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟神经突触和神经元功能的自旋轨道矩器件及其实现方法，器件包括缓冲层、功能层以及氧化物保护层，功能层为重金属和铁磁金属交替层叠的多层膜，重金属层和铁磁金属层的厚度变化相反，构成沿着薄膜面外方向的成分梯度膜。磁矩具有从面内到面外的渐变可实现无外磁场下的磁矩反转，同时，利用材料的体自旋轨道矩和DMI相互作用可以实现对磁矩大小的连续调节，这种类模拟的多磁态调节可以用来实现生物突触的可塑性功能。而且，电控多态的磁矩反转可以模拟生物神经元的积累和激活功能。本发明可以在一个器件当中同时实现对神经突触和神经元部分功能的模拟，为实现由统一器件组成的人工神经网络奠定了基础。
一种模拟神经突触神经元功能自旋轨道器件及其实现方法

[发明专利]一种非共线反铁磁Mn3-CN202211364041.X在审
发明人：刘国磊;刘嘉慧;张震;颜世申;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01F10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种非共线反铁磁Mn3Sn单晶薄膜及其分子束外延制备方法，属于自旋电子学材料与器件技术领域。薄膜包括由下到上依次设置的衬底和Mn3Sn薄膜，Mn3Sn薄膜晶体取向为(0001)、或晶体取向为(0001)时，Mn3Sn薄膜具有六度对称性。本发明制备D019六角晶体结构的非线性反铁磁Mn3Sn薄膜，具有优良的晶体有序性和自旋有序性，而且很好的体现了块体材料中的新奇物理特性和拓扑电子输运特性，适用于后续的科学研究，是一种应用于反铁磁自旋电子学器件的优良材料。
一种共线反铁磁 mn base sub

[发明专利]一种全氧化物柔性光电探测器及其制备方法与应用-CN202010547102.0有效
发明人：陈延学;魏琳;颜世申;王东;邢若飞;田玉峰;刘国磊;柏利慧 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供一种全氧化物柔性光电探测器及其制备方法与应用。本发明通过依次将导电电极阵列、SrCoOx薄膜、ZnO薄膜、导电电极阵列按顺序沉积于柔性衬底上，构建了一种全氧化物ZnO/SrCoOx无机薄膜异质结型的柔性紫外(UV)光电探测器，该柔性光电探测器对紫外光具有高响应度和极快的响应速度，并且具有零功耗和性能稳定的优点，在可穿戴设备，紫外成像和紫外探测领域具有广阔的应用前景。
一种氧化物柔性光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法-CN202111327449.5在审
发明人： 颜世申;田玉峰;柏利慧;范轶博;韩翔 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法，由下自上依次包括衬底、面内反铁磁层、面内铁磁层、非磁性层、垂直铁磁层、垂直反铁磁层；所述面内铁磁层和所述垂直铁磁层通过中间的所述非磁性层耦合在一起；面内铁磁层与垂直反铁磁层存在面内方向的交换偏置即面内交换偏置，面内反铁磁层与垂直反铁磁层存在面外方向的交换偏置即面外交换偏置。在单个磁性异质结中同时实现对面内交换偏置和面外交换偏置效应的有效调控，不仅极大的拓展了新型自旋电子器件设计的自由度，而且有望促进三维多功能自旋电子器件的研发。
一种磁性异质结结构调控实现逻辑存储功能方法

[发明专利]一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法-CN202111293188.X在审
发明人：王琪翔;何斌;吕伟明;石超群;张昌文;颜世申 -专利权人：哈尔滨工业大学;济南大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
一种直径可控管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铁磁自由层、制备方法及其应用-CN202111312221.9在审
发明人：田玉峰;颜世申;陈延学;柏利慧;黄启坤 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁磁自由层、制备方法及其应用，铁磁自由层所包括磁性薄膜合金中的每一层薄膜的厚度从第一端到第二端依次减小，以打破面内结构对称性，且薄膜包括重金属薄膜和铁磁金属薄膜，重金属薄膜和铁磁金属薄膜交错设置，以打破面外晶体对称性，当在磁性薄膜合金内施加电流时会产生自旋轨道力矩，直接驱动磁性薄膜合金的磁矩发生确定性磁化翻转，利用该磁性薄膜合金作为铁磁自由层，无需在磁性隧道结中增加额外的重金属层，也不需要额外的磁场辅助，便可以实现自旋轨道力矩驱动磁矩翻转。
一种自由制备方法及其应用

[发明专利]一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法-CN201811060639.3有效
发明人：田玉峰;颜世申;钟海;陈延学;柏利慧;康仕寿 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法，包括：(1)测量磁性隧道结的磁滞回线，找出初始磁场；(2)在负磁场方向对磁性隧道结施加初始磁场；(3)对磁性隧道结施加正方向磁场，通过No overshot模式，以0～200奥斯特/秒的增加速率，将正方向磁场增大到写入磁场，得到某一多磁畴状态；(4)改变写入磁场的大小，并执行步骤(2)至步骤(3)，得到另一多磁畴状态；重复执行该步骤直至获得十种多磁畴状态；(5)读出十种多磁畴状态。本发明更可以直接应用到现有的磁性隧道结构中，极大的拓展目前磁性隧道结的性能。本发明在高密度、低功耗新型自旋电子存储器方面有良好的应用前景。
一种控制自由结构磁性隧道实现数据存储方法

[发明专利]一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法-CN201811060648.2有效
发明人： 颜世申;田玉峰;陈延学;钟海;柏利慧;康仕寿 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法，包括：(1)在较高温度条件下，零磁场或者对磁性隧道结施加与诱导场同方向的饱和磁场；(2)退火1h；(3)在稍低温度下继续退火，对磁性隧道施加与诱导场反方向的磁场；(4)通过逐渐增加退火磁场的方式，将反铁磁层及与反铁磁层耦合的钉扎层写入到不同的磁状态；(5)读出不同的磁状态。本发明具有热稳定性高、对外界磁场不敏感、存储密度高的优点，预期在低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景。
一种控制反铁磁层钉扎层磁畴结构磁性隧道实现数据存储方法

[发明专利]一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法-CN201811060814.9有效
发明人： 颜世申;田玉峰;陈延学;柏利慧;康仕寿 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法，包括：(1)对多畴磁性薄膜施加足够大的负饱和磁场，使多畴磁性薄膜处于单畴状态；(2)对步骤(1)操作后的多畴磁性薄膜施加正向写入磁场，通过改变写入磁场的强度，将磁性薄膜写入到不同的多磁畴状态，每一个多磁畴状态作为一个独立的存储单元；本发明能够在一个物理存储单元直接存储0,1,2,3,4,5,6,7,8,9十个数值，以区别于目前在一个物理存储单元只能存储0和1两个数值的传统技术，在高密度、低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景，还有助于开发直接利用十进制运算的计算机。本发明具有普适性强、易操作、可室温工作的优点。
一种控制单层结构实现数据存储方法

[发明专利]一种磁控溅射制备大面积CsPbBr3-CN202010461662.4在审
发明人：陈延学;颜世申;魏琳;邢若飞;田玉峰;柏利慧;刘国磊 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射制备大面积CsPbBr3光电薄膜的方法和应用。所述方法为：分别以CsBr和PbBr2为原料，利用溶液蒸发法制备得到CsPbBr3单晶粉末，将CsPbBr3单晶粉末压制成靶材，将CsPbBr3靶材和衬底放入磁控溅射生长室中，真空条件下进行磁控溅射，退火后得到CsPbBr3薄膜。溶液蒸发法的过程为：将CsBr和PbBr2溶于DMSO溶液中得到混合液，取混合液的上层清液进行蒸发，蒸发后得到CsPbBr3单晶粉末。得到的CsPbBr3单晶粉末为橘红色。实现均匀大面积光电薄膜的制备，易于精确控制薄膜厚度并节省原料。
一种磁控溅射制备大面积 cspbbr base sub

[发明专利]自旋矩纳米振荡器及基于该振荡器的太赫兹信号发生器-CN201811223046.4有效
发明人：康仕寿;钟海;乔士柱;颜世申 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了自旋矩纳米振荡器，包括自上至下依次布置的合成反铁磁结构、非磁性间隔层、磁性固定层；磁性固定层，其接收非自旋极化的电流，转化并输出为自旋极化的电流；合成反铁磁结构，其接收来自磁性固定层的自旋极化电流输出，受自旋转移矩效应而产生磁矩进动，进而输出振荡信号；非磁性间隔层，其位于磁性固定层与合成反铁磁结构之间，用于隔开两磁性层之间的磁耦合。本申请的太赫兹信号发生器在通以合适大小的电流且不需要外加磁场的情况下，即可输出THz信号。
自旋纳米振荡器基于赫兹信号发生器

[发明专利]一种具有整流磁电阻效应的磁传感器及其制备方法与应用-CN201510224845.3有效
发明人： 颜世申;梅良模;田玉峰;张昆;李欢欢;李强;叶升涛;康仕寿;陈延学;刘国磊 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。
一种具有整流磁电效应传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件及其制备方法与应用-CN201610989374.X在审
发明人：田玉峰;刘其玮;张昆;黄启坤;王静;代由勇;颜世申 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件。本发明利用二极管整流效应和单纯具有磁电阻效应的器件共同作用，来实现整流磁电阻效应。本发明还提供一种上述整流磁电阻器件的制备方法。本发明还提供一种基于上述整流磁电阻器件建立数学理论模型的方法。该方法利用各器件的电学特性及其工作原理建立的理论数学模型来仿真器件的电输运特性。本发明通过将整流器件和磁电阻器件并联，将整流效应和磁电阻效应有机的结合在一起，从而实现了整流电压随外磁场的变化而变化，即实现了整流磁电阻效应。
一种利用分立器件构成整流磁电及其制备方法应用

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