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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种中高压屏蔽栅功率MOSFET-CN202221198665.4有效
发明人：张振宇;刘挺;顾书帆;赵群;张博;王毅 -专利权人：扬杰科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种中高压屏蔽栅功率MOSFET，该结构主要包括：半导体漏区；半导体漂移区；第一沟槽，其位于半导体漂移区的侧壁；第二导电类型的半导体柱，且深度不小于第三阈值；第二沟槽；屏蔽栅氧化层；屏蔽栅电极；极间介质；栅极氧化层；栅极电极；第二导电类型半导体阱区；第一导电类型半导体源区；第二导电类型半导体体接触区。本申请优化了器件阻态时栅极氧化层拐角和屏蔽栅氧化层拐角的电力线聚集现象，同时可以实现高掺杂的漂移区以降低器件通态电阻，提高器件性能。
一种高压屏蔽功率 mosfet

[发明专利]一种中高压屏蔽栅功率MOSFET-CN202210542949.9在审
发明人：张振宇;刘挺;顾书帆;赵群;张博;王毅 -专利权人：扬杰科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种中高压屏蔽栅功率MOSFET，该结构主要包括：半导体漏区；半导体漂移区；第一沟槽，其位于半导体漂移区的侧壁；第二导电类型的半导体柱，且深度不小于第三阈值；第二沟槽；屏蔽栅氧化层；屏蔽栅电极；极间介质；栅极氧化层；栅极电极；第二导电类型半导体阱区；第一导电类型半导体源区；第二导电类型半导体体接触区。本申请优化了器件阻态时栅极氧化层拐角和屏蔽栅氧化层拐角的电力线聚集现象，同时可以实现高掺杂的漂移区以降低器件通态电阻，提高器件性能。
一种高压屏蔽功率 mosfet

[实用新型]一种具有ESD保护的MOSFET结构-CN202123073095.4有效
发明人：何延强;顾书帆;刘挺;徐瑶;赵群;张博 -专利权人：扬杰科技（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有ESD保护的MOSFET结构，属于半导体功率器件和半导体功率器件制造技术领域。该结构主要包括硅衬底；外延层，其生长在硅衬底上方；有源区，其形成在外延层的第一区域；以及ESD模块区，其形成在外延层的第二区域的沟槽内，用于对有源区进行静电保护，其中，ESD模块区的上表面与有源区的上表面大致平齐，形成第一表面。本申请能够在保证MOSFET的抗静电能力和抗过电压能力条件下，减小ESD模块区和有源区的台阶差，降低工艺难度，提高了芯片生产良率，改善元器件的性能。
一种具有 esd 保护 mosfet 结构

[发明专利]一种适用于顶空进样的固体标准曲线法-CN202111637441.9在审
发明人：雷杰;顾书帆;高明霞;刘莎莎;李会香 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于顶空进样的固体标准曲线法，具有这样的特征，包括以下步骤：步骤1，在挥发性标准样品中加入无机盐并研磨，得到含量确定、分散均匀的固体混合物，作为固体外标物；步骤2，称量一系列不同质量的固体外标物，通过自动顶空进样‑气相色谱‑质谱法建立标准曲线；步骤3，将实际待测样品的固体试样直接顶空进样，测定实际待测样品的挥发性物质的峰面积，最后利用标准曲线直接查得实际待测样品中挥发性物质的绝对含量。
一种适用于顶空进样固体标准曲线

[发明专利]一种具有ESD保护的MOSFET结构及制造方法-CN202111495188.8在审
发明人：何延强;顾书帆;刘挺;徐瑶;赵群;张博 -专利权人：扬杰科技（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有ESD保护的MOSFET结构及制造方法，属于半导体功率器件和半导体功率器件制造技术领域。该结构主要包括硅衬底；外延层，其生长在硅衬底上方；有源区，其形成在外延层的第一区域；以及ESD模块区，其形成在外延层的第二区域的沟槽内，用于对有源区进行静电保护，其中，ESD模块区的上表面与有源区的上表面大致平齐，形成第一表面。本申请能够在保证MOSFET的抗静电能力和抗过电压能力条件下，减小ESD模块区和有源区的台阶差，降低工艺难度，提高了芯片生产良率，改善元器件的性能。
一种具有 esd 保护 mosfet 结构制造方法

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