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[发明专利]一种小型化的超宽带移相器-CN202310403082.3在审
发明人：张天羽;韩群飞;王维波 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化的超宽带移相器，基于磁耦合全通滤波结构，利用开关网络控制接入电路部分的耦合电感和串并联电容大小，达到控制相移的目的；本发明的移相器采用开关融合式的一路式结构，参考态和移相态共用一部分电路，在实现较大移相角度的同时，可有效缩减电路面积，同时保持超宽带的移相带宽和高移相精度。
一种小型化宽带移相器

[发明专利]一种适用于探针台三端口快速校准的TRL标准套件-CN202211590266.7在审
发明人：吉奉公;韩群飞;蔺兰峰 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于探针台三端口快速校准的TRL标准套件，包括直通标准套件、反射标准套件和延时标准套件。本发明的有益效果是：适用于三端口探针的TRL标准套件，在保证校准精度的同时，能够快速进行三端口TRL校准。此标准套件简化了三端口TRL校准流程，节约测试人员测试时间，提高了探针台利用率。在测试三端口器件的电性能过程中，采用三端口标准套件进行TRL校准，提高测试时效性，无需进行水平方向与垂直方向探针的换针操作，方便测试人员进行校准。
一种适用于探针端口快速校准 trl 标准套件

[发明专利]一种基于带通滤波网络的超宽带移相器-CN202211631890.7在审
发明人：张天羽;韩群飞;王维波;潘晓枫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于带通滤波网络的超宽带移相器，包括第一～第二单刀双掷开关、参考态网络模块和移相态网络模块；参考态网络由多个T型带通滤波网络单元级联而成，移相态网络由多个改进型的磁耦合全通网络单元级联而成；第一单刀双掷开关输入端接移相器输入端口，第一输出端连接参考态网络模块输入端，第二输出端连接移相态网络模块输入端；第二单刀双掷开关输入端接移相器输出端口，第一输出端连接参考态网络模块输出端，第二输出端连接移相态网络模块输出端；通过第一～第二单刀双掷开关在参考态和移相态之间的进行信号通路切换，实现移相功能。本发明的移相器能覆盖9个倍频程以上的带宽，具有损耗小，占用面积少，移相角度大的优点。
一种基于滤波网络宽带移相器

[发明专利]一种基于SIW结构的环行器-CN202211631327.X在审
发明人：刘水平;孙俊峰;马延平;韩群飞 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SIW结构的环行器，包括磁钢、垫片、硅基结构、铁氧体、匹配块和高导磁材料金属，结构从上到下依次为：磁钢、垫片、硅基结构、高导磁材料金属；硅基结构上设有铁氧体槽、金属传输线和金属化通孔，铁氧体和匹配块设于铁氧体槽内；所述金属传输线为SIW结构；所述铁氧体设于匹配块上，匹配块设于高导磁材料金属上。本发明通过环行器铁氧体槽内增加金属匹配块的结内匹配，改变环行器结的工作状态，改善环行器的工作带宽，有效解决基于SIW结构的环行器工作带宽窄的问题。
一种基于 siw 结构环行器

[发明专利]一种基于巴伦结构的超宽带180°移相器-CN202211427689.7在审
发明人：张天羽;韩群飞;潘晓枫;葛逢春 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于巴伦结构的超宽带180°移相器，包括输入匹配网络、巴伦结构、开关网络和输出匹配网络四部分；其中输入匹配网络接收输入端信号，并连接巴伦前级输入端，信号通过巴伦转换成双端信号后，两个输出端连接至开关网络，由开关网络对输出信号进行切换，实现180°移相，而后和输出匹配网络相连，再接入信号输出端。本发明通过构建输入匹配网络和输出匹配网络，很好地解决了传统巴伦移相结构带宽偏窄，难以应用于超宽带移相的问题，能实现3个倍频程以上的超宽带移相；与传统的基于高低通网络或者全通网络的180°移相器相比，本发明具有超宽带、移相精度高、设计灵活方便的优点。
一种基于结构宽带 180 移相器

[发明专利]一种单正压控制的全收发集成单片电路及其收发控制方法-CN202110977198.9有效
发明人：陶洪琪;郭润楠;韩群飞 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种单正压控制的全收发集成单片电路及其收发控制方法，包括：功率放大器电路，低噪声放大器电路和微波毫米波开关电路；所述功率放大器电路和低噪声放大器电路均与微波毫米波开关电路连接。本发明可以有效的缩减控制接口，提高收发全集成芯片的易用性，降低系统应用的功耗、体积、成本。
一种正压控制收发集成单片电路及其方法

[发明专利]一种金刚石衬底GaN器件通孔的制备方法-CN202211287046.7在审
发明人：吴立枢;韩群飞;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石衬底GaN器件通孔制备的方法，包括：金刚石衬底背面激光刻蚀通孔，刻穿正面GaN器件源极金属；使用临时粘合材料将金刚石衬底GaN器件正面与临时载片键合；金刚石衬底背面及通孔内沉积种子层金属，并电镀沉积背金；去除正面临时载片和临时粘合材料；正面GaN器件源极金属上面二次电镀金属，实现源极金属与通孔金属互连。本发明直接采用激光刻蚀通孔的方法，具有简单快速的优点，同时采用临时键合结合二次电镀的方法，解决的金刚石刻蚀通孔电镀互连的问题，获得了较好的电学接地。
一种金刚石衬底 gan 器件制备方法

[发明专利]一种覆盖K和Ka波段的超宽带数字移相器-CN202211404508.9在审
发明人：张天羽;韩群飞;王维波;葛逢春;闫昱君 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆盖K和Ka波段的超宽带数字移相器，其特征在于，包括180°移相单元、45°移相单元、22.5°移相单元、5.625移相单元°、11.25°移相单元和90°移相单元，六个移相单元以任意顺序依次连接；所述5.625°移相单元、11.25°移相单元和22.5°移相单元采用磁耦合全通网络与并联电容相结合的结构；45°移相单元和90°移相单元采用耦合与非耦合全通网络结合的结构，180°移相单元采用开关选择型带通网络结构。本发明具有工作频段高，工作带宽宽，移相精度高，匹配特性好、结构简单的优点。
一种覆盖 ka 波段宽带数字移相器

[发明专利]GaN微波功率开关与Si CMOS驱动单片集成芯片及其制备方法-CN202211183556.X在审
发明人：戴家赟;韩群飞;孔月婵;张有涛;王飞;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了GaN微波功率开关与SiCMOS驱动单片集成芯片及其制备方法，采用通过层转移工艺，将仅约10μm厚的SiCMOS驱动电路功能薄层与GaN微波功率开关电路进行集成，构建GaN基微波功率开关与SiCMOS单片集成芯片。集成芯片厚度相比纯GaN芯片，增加小于10％。同时通过微电子工艺中的微带线工艺实现信号的互联，将GaN微波功率开关与SiCMOS之间的互联长度缩短至数十微米，仅为传统键合线长度的5％。在减小电路额外寄生、缩小芯片总面积的同时，将GaN电路的高性能与SiCMOS电路的高集成度、低功耗等优势紧密结合，充分发挥不同材料各自的性能优势，进一步提高电路的综合性能，满足未来通信、雷达等系统的发展要求。
gan 微波功率开关 si cmos 驱动单片集成芯片及其制备方法

[发明专利]具有高谐波抑制单刀多掷开关-CN202011375855.4有效
发明人： 韩群飞;陶洪琪;陈庆;余旭明;王维波;凌显宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03H5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高谐波抑制单刀多掷开关，涉及射频开关器件，属于基本电气元件的技术领域。该高谐波抑制开关包括一端为输入端的输入传输线，该输入传输线的另一端同时连接到多个谐波控制电路的一端，每个谐波控制电路的另一端连接到对应每个开关臂的一端，每个开关臂的另一端为输出端，所述谐波控制电路由电感、电容和管芯组成，通过选用合适的电感、电容和管芯进行串并联，改变谐波的相位，实现高谐波抑制。本发明在单刀双掷开关的基础上，再增加多个谐波控制电路和开关臂，即构成了单刀多掷开关。
具有谐波抑制单刀开关

[发明专利]一种用于硅基环隔器批量装配的方法-CN202210610045.5在审
发明人：田飞飞;叶育红;徐建华;韩群飞;陶洪琪 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：一种用于硅基环隔器批量装配的方法。根据硅基环隔器外形设计与之相匹配的工装；然后将铁氧体放入硅芯片中，将带有铁氧体的硅芯片放在预置焊料片的可伐载体上；将硅基环隔器放入阵列工装中并紧固工装螺钉相当于对硅基环隔器施加水平方向的载荷用于水平方向位置的固定，同时在硅芯片的表面放置具有磁性的材料相当于施加垂直方向的载荷用于垂直方向的固定；随后将工装放入真空炉中完成硅基环隔器的烧结；最后用绝缘胶将陶瓷片和磁钢粘接至硅基芯片表面，绝缘胶固化后即完成硅基环隔器的装配。本发明通过合理的工装设计、焊料片预置载体、载荷施加限定位置等创新工艺为硅基环隔器批量高可靠、高效率、一致性的批量装配提供了一种切实可行的方法。
一种用于硅基环隔器批量装配方法

[发明专利]宽带温补衰减器-CN201811569129.9有效
发明人：沈宏昌;韩群飞;童伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明公开了宽带温补衰减器，涉及微波衰减器器件，属于基本电气元件的技术领域。该宽带温补衰减器包括：接在输入端子和输出端子之间的压控衰减模块以及向其提供控制信号的温变电压控制模块，具有工作频带宽、插入损耗低、温补量大、电路尺寸小、控制简单且使用方便的优点，特别适合宽带雷达的应用。
宽带衰减器

[发明专利]一种抑制工作频带内谐波的行波式跨倍频程功率放大器-CN202111368217.4在审
发明人：余旭明;陶洪琪;史雪辉;刘伶;韩群飞;杨常林 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制工作频带内谐波的行波式跨倍频程功率放大器，在行波式放大器的漏极线上并联多个LC开关谐振结构，当开关导通时，LC开关谐振结构和部分漏极线构成一个带阻滤波器，低频基波信号顺利通过且抑制其谐波；当开关断开时，相当于一个普通的行波式放大器。通过控制开关，实现跨倍频功率放大器工作频带内谐波抑制的功能，避免在系统层面对工作频带内谐波进行复杂的分段处理。本发明具有频带宽、工作频带内谐波抑制度高、易于实现等优点，值得在业内推广。
一种抑制工作频带谐波行波倍频功率放大器

[发明专利]一种带耦合功能的宽带频率重组滤波电路-CN202111382523.3在审
发明人：刘伶;余旭明;陶洪琪;金辉;韩群飞 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种带耦合功能的宽带频率重组滤波电路，主要包括输入端口、输入匹配、传输线、LC开关陷波结构、控制线、输出匹配、输出端口、耦合线、基板。所述LC开关陷波结构由电容、开关、到地电感串联而成，彼此间隔1/4工作波长并联在传输线上。本发明通过控制LC开关陷波结构是否并入传输线实现频率重组，从而实现宽频带器件的通带内谐波抑制功能。本发明具有损耗小、阻带抑制度高、能耦合参考信号、尺寸小、易于和功放芯片集成等特点，值得在业内推广。
一种耦合功能宽带频率重组滤波电路

[实用新型]一种沥青生产用乳化设备-CN202120861751.8有效
发明人： 韩群飞 -专利权人：湘潭市宏辉工程材料有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B01F23/41 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沥青生产用乳化设备，包括支架、控制箱、盖子和顶箱，所述顶箱的底部设置有两组升降杆，且所述升降杆的底部延伸至所述控制箱的内部，所述升降杆的外部设置有清扫组件，所述清扫组件包括毛刷和卡块，所述毛刷的外部设置有延伸条，所述延伸条的内部开设有通孔，所述卡块的内部分别开设有凹槽和移动孔，所述延伸条的端部可穿入所述凹槽的内部；本实用新型通过设计的清扫组件，便于在使用时当升降杆的外部有异物和碎屑时可以将毛刷在升降杆上进行上下往复移动便可将升降杆外部的异物和碎屑给清理干净，使升降杆的外表面保持洁净状态，操作简单，清理方便，提升了升降杆的使用寿命，方便操作人员将盖子进行打开。
一种沥青生产乳化设备

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