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- [实用新型]一种三维硅基片式薄膜电容器-CN201720174473.2有效
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贺勇;韩玉成;尚超红;张铎
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中国振华集团云科电子有限公司
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2017-02-24
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2017-10-24
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H01G4/33
- 本实用新型公开了一种三维硅基片式薄膜电容器,包括硅基体,制造在硅基体上的微型孔洞,在孔洞内形成的薄膜电容器功能层和顶电极层以及硅基体背面的底电极层;所述硅基体为低电阻率硅基体,晶向100,单面抛光;所述功能层为二氧化硅和氮化硅双层结构;所述顶电极层为钛钨打底层和金层;所述底电极层为钛钨打底层和金层。本实用新型的三维硅基片式薄膜电容器具有体积小、损耗低、绝缘电阻高、耐压高、温度系数小等效串联电阻和等效串联电感低等特点;由于其制造工艺与半导体工艺相兼容,性能稳定,可广泛应用于航空航天、军事雷达、计算机通信,便携式电子设备,汽车能源,家用电子等领域,具有非常广阔的市场前景和巨大的商业价值。
- 一种三维硅基片式薄膜电容器
- [发明专利]一种片式熔断器抑弧浆料的制备方法-CN201310337210.5有效
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庞锦标;李程峰;韩玉成
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中国振华集团云科电子有限公司
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2013-07-30
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2017-08-25
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C03C12/00
- 本发明公开了一种片式熔断器抑弧浆料的制备方法,包括以下步骤①将下述化合物按质量组分比混合氧化铅15~30,氧化硅15~30,氧化硼25~50,氧化锌1~10,氧化钴0.5~2,氧化锑10~20;②将混合物进行球磨并在100℃烘干;③烘干的原料在1100℃进行高温炼制,保温30~60分钟后,迅速将熔融状态的玻璃物质倒入去离子水中淬火;④将淬火冷却的玻璃物质进行球磨,得到玻璃粉,并进行粒度、比表面积及成分分析;⑤在玻璃粉加入中加入它质量分数为10%~60%的二氧化硅,充分混合,再加入有机载体轧制成浆料。本发明研制出的抑弧浆料可应用于片式熔断器(尺寸小于6.3×6.3mm),在125V电压,1A、5A、15A电流下均可有效抑弧。
- 一种熔断器浆料制备方法
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