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[发明专利]一种确定车辆速度的方法和系统-CN202210545250.8有效
发明人：赵红东;孙梅;康志龙;韩力英 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G08G1/052 文献下载
摘要：本发明给出了一种确定车辆速度的方法和系统，涉及交通数据处理技术领域。包括：步骤一、分别采集指定场景中参考车辆和待测车辆的噪声信号以及参考车辆的速度；步骤二、根据所述参考车辆和待测车辆的噪声信号，分别确定时间窗口内所述参考车辆和待测车辆的平均接收噪声衡量功率；步骤三、分别获取所述参考车辆和待测车辆的平均接收噪声衡量功率的衡量时间；步骤四、根据所述参考车辆的速度以及所述参考车辆和待测车辆的平均接收噪声衡量功率的衡量时间，计算所述待测车辆的速度。本发明能够准确确定能见度低的场景中行驶车辆的速度，且隐蔽性强，不受无线网络和卫星信号的限制和影响。
一种确定车辆速度方法系统

[发明专利]实现整体纳米颗粒SEM图像亮度均匀化的方法-CN201811257712.6有效
发明人：赵红东;李宇海;韩力英;杨东旭;马俊成;康晴;孙梅 -专利权人：河北工业大学;中国电子科技集团公司第五十三研究所
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明实现整体纳米颗粒SEM图像亮度均匀化的方法，涉及使用直方图技术的图像数据处理，该方法是求出纳米颗粒SEM原始图像的分块均衡化拼接图像的像素值与纳米颗粒SEM对称外拓展分块均衡化拼接截取图像像素值的平均值，实现整体纳米颗粒SEM图像的亮度均匀化，克服了现有技术采用掩模法、分块处理以及划分区域只适应于图像非边沿部分的校正，均存在无法实现图像周围边界部分进行插值和校正，即无法实现整体纳米颗粒SEM图像亮度均匀化的缺陷。
实现整体纳米颗粒 sem 图像亮度均匀方法

[发明专利]包含特定背景图像的车辆目标图像数据库建立方法-CN201910278860.4有效
发明人：赵红东;赵泽通;李宇海;韩力英;刘东升;田红丽;孙梅 -专利权人：河北工业大学;中国电子科技集团公司第五十三研究所
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06F16/51 文献下载
摘要：本发明包含特定背景图像的车辆目标图像数据库建立方法的技术方案，涉及道路车辆的交通控制系统，先采集制作特定背景图像，后制作只包含单一车辆图像的车辆目标图像，再将只包含单一车辆的车辆目标图像嵌入到特定背景图像中形成包含特定背景图像的车辆目标图像，重复上述步骤，制备出满足深度学习神经网络对图像数据库的需求并使用深度学习神经网络进行验证的包含特定背景图像的车辆目标图像数据库，克服了现有技术中，存在于不同光照及天气条件下多个时段内进行摄录视频及拍照图像采集车辆目标图像样本，再经过裁剪和左右镜像化变换所制备的车辆目标图像数据库，不能适应不同背景和车辆车型的不断增加和更新，制作费用高且时间长的缺陷。
包含特定背景图像车辆目标数据库建立方法

[发明专利]刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器-CN200710056523.8无效
发明人：赵红东;康志龙;何平;孙梅;韩力英;田红丽;张效玮 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜导线以及金属膜与上电极的接触层和上电极；在衬底的下表面有圆形金属反射膜、下表面金属膜导线、下表面电极。本发明引入非掺杂的本征层中刻出电流孔径，结合上表面与衬底表面刻蚀金属膜非对称结构实现电流和光场限制，发挥了金属膜的电极和反射镜功效，简化垂直腔面发射激光器列阵集成化工艺，并且降低了分布布拉格反射镜的对数，限制电流扩散区域，提高注入电流的光电耦合效率，本征高阻层和芯片一次生长完成，避免质子轰击或分别氧化工艺，有利于集成化。
刻蚀顶端掺杂征层非对称金属膜垂直发射激光器

[实用新型]刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器-CN200720095047.6无效
发明人：赵红东;孙梅;韩力英;康志龙;田红丽;何平;张效玮 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜导线以及金属膜与上电极的接触层和上电极；在衬底的下表面有圆形金属反射膜、下表面金属膜导线、下表面电极。本实用新型引入非掺杂的本征层中刻出电流孔径，结合上表面与衬底表面刻蚀金属膜非对称结构实现电流和光场限制，发挥了金属膜的电极和反射镜功效，简化垂直腔面发射激光器列阵集成化工艺，并且降低了分布布拉格反射镜的对数，限制电流扩散区域，提高注入电流的光电耦合效率，本征高阻层和芯片一次生长完成，避免质子轰击或分别氧化工艺，有利于集成化。
刻蚀顶端掺杂征层非对称金属膜垂直发射激光器