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[发明专利]一种维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置及生长方法-CN202010517206.7有效
发明人：杨丽雯;何丽娟;靳丽婕;程章勇;韦玉平;李天运;陈颖超;李百泉;张云伟;王丽君 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种稳定大尺寸碳化硅晶型稳定的生长方法。包括（1）生长初期籽晶近生长界面通入保护气体，均匀（0001）小面及小面附近区域的料源饱和度。从而达到避免小面及小面附近台阶宽化的目的。该方法有助于减少异晶型在宽台阶上产生2D成核的可能性，从而提高晶体的稳定性。（2）生长后期在小面附近增加气流的基础上增加籽晶轴向提拉以及旋转，从而达到控制界面形状稳定和维持饱和度均一的两个目标，使得整个生长过程中晶型稳定。该发明的碳化硅单晶生长装置能应用于4‑6英寸及不同切割偏角的籽晶，甚至更大尺寸的晶体生长，大幅度稳定了小面及小面附近晶型的稳定性，得到了高质量的碳化硅单晶晶体。
一种维持尺寸碳化硅稳定装置生长方法

[发明专利]大直径高纯半绝缘碳化硅生长工艺方法-CN202010517759.2有效
发明人：张云伟;何丽娟;陈颖超;杨丽雯;程章勇;李天运;韦玉平;李百泉;靳丽婕 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大直径高纯半绝缘碳化硅生长工艺方法，步骤为：（1）生长备料准备，完成籽晶、原料、热场的装配；（2）开始工艺生长，完成除杂、升温、生长、降温、停炉工艺。本发明方法通过氢气的引入、坩埚内结构设计、优化的籽晶选取、加热结构组合设计以及优化的工艺参数等技术手段，使获得高纯碳化硅单晶易操作，实现技术指标高、原料利用率高，成本低的半绝缘单晶制备。
直径高纯绝缘碳化硅生长工艺方法

[发明专利]锂离子电池高镍正极材料浆料，其制备方法及锂离子电池-CN202111145638.0有效
发明人：王正伟;李娜;朱华君;王永琛;刘付召;韦玉平 -专利权人：星恒电源股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池高镍正极材料浆料，所述高镍正极材料浆料是将包括高镍正极材料、导电剂与聚偏氟乙烯粘结剂在内的原料于N‑甲基吡咯烷酮中混合均匀后得到的，在所述高镍正极材料浆料的配制过程中加入了强极性添加剂，所述强极性添加剂选自甲酰胺、三氟乙酸、二氧六环、三辛胺和正丁醚中的一种或多种。本发明还公开了所述锂离子电池高镍正极材料浆料的制备方法及包含其的锂离子电池。本发明的锂离子电池高镍正极材料浆料，制备工艺简单、成本低，不仅解决了浆料易产生凝胶的问题，同时又不会影响锂电池的电化学性能的发挥。
锂离子电池正极材料浆料制备方法

[发明专利]用于高纯碳化硅粉料的一种预制料处理方法-CN202010517169.X有效
发明人： 韦玉平;程章勇;张云伟;陈颖超;杨丽雯;靳丽婕;何丽娟;李百泉;李天运;王丽君 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碳化硅粉料合成的预制料处理方法，包括：配料工序、料块预备、装配工序、混料工序、取料及保存工序。本专利技术和现有技术相比，其实质性特点和进步有两方面：1.运用高纯碳化硅晶锭的切割块作为磨料球，有效搅拌用于碳化硅粉料合成的原料，提高混料效率和均匀性。对于较大尺寸的原料，随磨料球数量的调整，可起到一定的破碎作用。2.对预制硅源和碳源进行按一定的配料时，引入扩散性较强的气体（如乙醇、氦气、氮气、氢气等），以利用气体填充度调整合成过程中所需的氮含量。
用于高纯碳化硅一种预制处理方法

[实用新型]一种电池焊接保护件-CN202123339777.5有效
发明人： 韦玉平;杨红艳;丁坤;陈梦婷;赵成龙 -专利权人：星恒电源股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池焊接保护件，包括基盖、中部导热块、定位柱以及一对两翼保护片；所述基盖盖合于所述盖板上的极柱上，所述中部导热块形成于基盖的底面上，且当基盖盖合于极柱上时，所述中部导热块紧密贴合于盖板上；所述定位柱设置于所述中部导热块上，用于插接入盖板上预留的注液孔内；所述两翼保护片连接于所述基盖的两侧，用于遮盖盖板上的极柱表面，以隔开所述极柱和所述焊缝；所述基盖中还设有散热介质腔体，所述基盖的两端面分别设有与所述散热介质腔体连通的散热介质进出接口。本实用新型的电池焊接保护件，能够保护盖板上的极柱，避免极柱处温感材料受热形变、焊接污染等，对极柱和注液孔提供了有效保护。
一种电池焊接保护

[发明专利]一种锂离子电池极片剥离强度的测试方法-CN202111575401.6在审
发明人： 韦玉平;杨红艳;姚凡;陈梦婷;赵成龙 -专利权人：星恒电源股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池极片剥离强度的测试方法，包括：S1.将辊压后的正极片制作成极片长条；S2.在底板正面的中部粘贴双面胶，两端绕过底板的两侧边缘并贴至底板的反面；剥离底板正面的双面胶，将待测试的极片长条粘贴在双面胶上，使用压辊辊压极片长条；S3.将极片长条未粘贴的一端撕开，将撕开的极片长条的自然端弯折向上，夹在拉力机向上牵引端；S4.设置拉力机的参数，进行拉伸力测试；S5.取拉伸力曲线中拉伸力变化不超过10％的阶段作为平稳剥离段，再将平稳剥离段的平均拉力除以极片宽度，计算得到电池极片的剥离强度。本发明的锂离子电池极片剥离强度的测试方法，可有效评估极片剥离强度，提高测试数据的准确性。
一种锂离子电池剥离强度测试方法

[发明专利]符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法-CN202010502357.5在审
发明人：陈颖超;张云伟;何丽娟;程章勇;靳丽婕;李天运;杨丽雯;李百泉;韦玉平 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉一种符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，针对产业化大规模进行六英寸碳化硅晶体生长过程中极易产生的各种缺陷：如晶型突变，位错增加、晶体有效产出低（厚度不足）等特性，提出新的适合产业化大规模晶体生长工艺方法，在同等的生长周期和等同的投料量的前提下不但保证晶体的有效产出且能有效保证晶体的质量合格。主要包括：一次升温、一次降压，二次升温及二次降压、三次升温、热场移动、恒温升压、一次降温、二次降温、末次抽换气等步骤。通过本工艺可实现单炉次产出六英寸碳化硅晶体厚度≥25mm，并且有效抑制异晶型产生和位错的持续增加。
符合产业化生产厚度缺陷英寸碳化硅晶体生长方法

[发明专利]基于人工智能的晶片质量分析评价系统-CN202010499126.3在审
发明人：程章勇;陈颖超;杨丽雯;何丽娟;靳丽婕;李天运;张云伟;李百泉;韦玉平;王丽君 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G16C20/70 文献下载
摘要：本发明公开了基于人工智能的晶片质量分析评价系统，具体涉及到半导体领域，尤其是碳化硅衬底的质量评价领域。晶片经过晶体的生长和晶体、晶片的加工工序后，其品质的好坏需要进行质量检测以及外延验证，最终基于晶片质量等级的评价系统进行品级分类。整个过程一般都是人工操作，由于晶片中存在的缺陷类型较多，微管缺陷、碳包裹体、晶型夹杂、层错、划伤、亚损伤等，不单工作量大、而且由于人类的主观意识等原因使得晶片的品级分类存在些偏差。所以引入基于人工智能的晶片质量分析评价系统，可快速精准地判断出晶片评级属性，并可标注晶片落入某等级的关键因素以及其对应的制备工序。
基于人工智能晶片质量分析评价系统

[发明专利]基于人工智能的晶体生长分析方法及系统-CN202010502352.2在审
发明人：程章勇;张云伟;陈颖超;杨丽雯;何丽娟;李百泉;靳丽婕;李天运;韦玉平;王丽君 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G16C20/70 文献下载
摘要：本发明公开了基于人工智能的晶体生长分析方法及系统。具体涉及到晶体生长领域，尤其是碳化硅晶体生长领域。该发明主要分为试验、仿真、人工智能三部分。试验是数据最可靠的来源，也是验证人工智能分析、仿真分析的有效方法；仿真是对试验数据的补充，也是分析晶体生长的重要辅助方法；人工智能主要用于提取参数中的特征数据并分析、评估，界定晶体生长范围的方法。这样有利于构建一个分析、评价、评估、验证晶体生长状况，也可以界定晶体生长边界条件。
基于人工智能晶体生长分析方法系统

[发明专利]一种新型半导体单晶片位错密度检测腐蚀工装及方法-CN202010502354.1在审
发明人： 韦玉平;杨丽雯;陈颖超;靳丽婕;程章勇;李百泉;何丽娟;张云伟;李天运 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶片腐蚀方法和装置。所述方法包括如下步骤：S1、腐蚀液制备；S2、将所述晶片夹具挂至升降挂钩上；S3、预热；S4、腐蚀；S5、冷却及处理晶片。在所述腐蚀方法中可根据晶片尺寸及预估晶片质量及缺陷密度进行不同时长的预热、腐蚀和冷却。不限于以提拉杆、步进电机配合三轴移动等，实现上下、左右方向的夹具移动。本发明同时公布了一种包含晶片夹具、篮组合的腐蚀工装，可用于手持及提拉腐蚀，使获取腐蚀片的过程更加安全，降低操作难度。本发明装置结构简单，操作稳定，腐蚀方法同时具备可调整的灵活性、易于实现等优点，预热和注意温差的冷却则可有效降低大尺寸晶片碎裂的可能。
一种新型半导体晶片密度检测腐蚀工装方法

[发明专利]一种生长低碳包裹物大尺寸高纯单晶的装置及方法-CN202010502356.0在审
发明人：杨丽雯;程章勇;何丽娟;张云伟;陈颖超;李天运;韦玉平;李百泉;靳丽婕;王丽君 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种生长低碳包裹物大尺寸高纯单晶的装置及方法，在坩埚内壁使用三层隔离层，与坩埚壁接触层为铼(Re)金属，该层可避免保护层碳化失效。中间层为过渡元素(Ta,Zr,Ti,Nb,Os,W,Mo,Y)碳化物的一种，该层可吸附多余碳(C)源。与料源接触的最外层用钇(Y)金属，可除去氮原子及后续产生的过量的C。该生长方法在低温阶段慢速升温并反复抽真空，随即升压快速升温到生长温度，在生长恒温上半段控制氩气流量及压力。通过降低埚位，使高温位从料源底部移到料源上部。下半段生长前，升压降温反复抽真空，生长下半段维持坩埚位置不变及小梯度，直到晶体生长完成。该方法可有效减少高纯晶体中C包裹物及N掺杂的浓度。
一种生长包裹尺寸高纯装置方法

[发明专利]一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶-CN202010517681.4在审
发明人：靳丽婕;张云伟;何丽娟;陈颖超;杨丽雯;李天运;程章勇;李百泉;韦玉平;刘广政 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种低缺陷位错密度的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶。其特征为：1、大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶在生长面（C面）上被一层同质外延层覆盖；2、该籽晶在C面过渡外延层前需要双面抛光、C面CMP。
一种尺寸碳化硅晶体生长籽晶

[发明专利]一种碳化硅粉料的合成及处理方法-CN202010517200.X在审
发明人： 韦玉平;何丽娟;陈颖超;张云伟;程章勇;靳丽婕;杨丽雯 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅粉料合成及处理方法，其特点在于利用组合的隔离层减轻合成中心区域粉料的碳化程度，改善粉料品质均匀性。所述方法包括如下步骤:1.按照合成坩埚内壁的形状，配置相应的柱状的隔离筒和隔离板。在隔离筒的内侧填充碳、硅源混合物等一次碳化硅粉料的合成原料，在隔离筒的外侧即近坩埚一侧填充β‑SiC。在一次合成原料间利用石墨板等创造隔层，进行温区改善。粉料全部填充完成后，抽出隔离筒，装配反应温场，进行合成。2.进行一般的自蔓延合成反应。3.进行工装辅助下的取料操作。相比同类碳化改善的专利方法，本技术方案具备可调整的灵活性、易于实现、效率较高等优点。本发明为一次反应改善粉料合成产量、结晶质量、氮含量方面提供了一种方向。
一种碳化硅合成处理方法

[发明专利]一种检测MUC1粘蛋白的光电化学免疫传感器及其制备方法和检测方法-CN201711399709.3有效
发明人：毛昌杰;柳星培;韦玉平;牛和林;宋吉明;金葆康 -专利权人：安徽大学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测MUC1粘蛋白的光电化学免疫传感器及其制备方法和检测方法，该免疫传感器是在FTO导电玻璃电极的表面覆盖有二氧化钛纳米颗粒/铕掺杂硫化镉量子点，在二氧化钛纳米颗粒/铕掺杂硫化镉量子点表面通过硫‑镉键固定有基础碱基序列，基础碱基序列通过碱基互补配对连接有可与目标物MUC1粘蛋白发生特异性识别的互补碱基序列，互补碱基序列与通过1‑乙基‑3‑(3‑二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐和N‑羟基琥珀酰亚胺处理后的信号放大因子硫化镉量子点连接。本发明通过光电化学免疫传感器实现了对MUC1粘蛋白的检测，方法简单、灵敏度高、易于操作。
免疫传感器硫化镉量子点光电化学二氧化钛纳米颗粒互补碱基序列碱基序列种检测铕掺杂制备检测二甲基氨基丙基碳二亚胺盐酸盐羟基琥珀酰亚胺碱基互补配对信号放大因子特异性识别表面覆盖灵敏度目标物电极乙基

[外观设计]吊灯（88046）-CN201830260164.7有效
发明人： 韦玉平 -专利权人： 韦玉平
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：吊灯（88046）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于室内照明。3．本外观设计产品的设计要点：整体外形。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5.本外观的俯视图为不常见图，故省略。
外观设计吊灯室内照明整体外形俯视图省略图片

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