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- [实用新型]一种合成树脂瓦成型装置-CN202321212210.8有效
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靳超峰;靳龙
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安徽金喜龙新型建材有限公司
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2023-05-19
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2023-10-13
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B29C43/50
- 本实用新型公开了一种合成树脂瓦成型装置,包括成型台以及固定设置在成型台顶部和底部的L型板和多个支撑柱,所述成型台顶部开设有多个瓦成型槽,所述L型板内开设有固定腔,所述固定腔内顶部固定连接有伺服电机,所述伺服电机输出端固定连接有螺纹杆,所述螺纹杆外侧壁螺纹套接有固定套。本实用新型,在成型台、瓦成型槽、固定腔、伺服电机、螺纹杆、升降板、固定杆、密封瓦模具和脱模装置的相互作用下,通过将合成树脂注入瓦成型槽内并由伺服电机带动密封瓦模具下压成型,在伺服电机带动密封瓦模具上升的过程中,通过脱模装置将瓦成型槽内成型的合成树脂瓦顶起进行脱模,更加省时省力,且该装置可以一次性制作多个合成树脂瓦,生产效率更高。
- 一种合成树脂成型装置
- [实用新型]一种树脂瓦片材的切割装置-CN202321212288.X有效
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靳超峰;靳龙
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安徽金喜龙新型建材有限公司
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2023-05-19
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2023-10-10
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B26D1/15
- 本实用新型公开了一种树脂瓦片材的切割装置,包括加工台,所述加工台的顶部固定安装有安装板,所述安装板的前侧壁固定安装有切割机,所述安装板的内顶部设有遮挡机构,所述加工台的顶部设有放置机构,所述加工台的顶部固定安装有两个限位框,两个所述限位框上均滑动连接有滑动件,两个所述滑动件上均贯穿滑动连接有滑动杆,两个所述滑动杆的端部均固定安装有固定板。本实用新型结构设计合理,其能够在对树脂瓦进行切割时,不需要操作人员手持树脂瓦对其进行切割,避免操作人员手掌长时间与树脂瓦摩擦产生老茧的情况发生,且能够对切割时产生的碎屑进行阻挡,避免碎屑溅入操作人员的眼睛里对操作人员造成伤害的情况发生。
- 一种树脂瓦片切割装置
- [发明专利]一种NAT端口分配在多核下对数据流免锁的实现方法-CN202111009736.1有效
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靳龙
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上海弘积信息科技有限公司
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2021-08-31
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2023-09-15
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H04L61/2517
- 本发明公开了一种NAT端口分配在多核下对数据流免锁的实现方法,驱动程序读取IP数据报文的TCP或UDP的源目的端口,将源目的端口的和做hash计算得到值n,值n对应的CPU核记为CPU核n,然后将数据报文发送给CPU核n的报文收发队列;CPU核n读取报文,经过服务负载模块处理,将目的地址和目的端口进行修改后,提交给NAT模块,NAT模块读取报文的目的端口p,进行hash计算,获得hash值x,通过二元hash,对应二级hash表找到hash队列y,从队列y获取一个未使用端口q返回给服务负载模块;服务负载模块通过NAT模块获取的端口q来修改报文的源端口后,发送报文到网络接口;本发明实现简单,不需要复杂的算法,对于多核高性能服务负载设备的吞吐量有质的提高。
- 一种nat端口分配多核数据流实现方法
- [发明专利]一种等离子体电磁推进器-CN202310616088.9在审
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靳龙;白引弟;宋智文;李耀河
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广西科技大学
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2023-05-29
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2023-09-08
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F03H1/00
- 本发明旨在提供一种等离子体电磁推进器,包括上夹板、下夹板、电极固定盒体;盒体为绝缘材料制成,上夹板和下夹板分别安装于盒体的顶面和底面上;盒体内的中部设有沿其纵向的等离子加速通道,的两端口分别设于盒体的左右端面上;盒体内位于等离子加速通道的前后侧分别间隔对置设有一组以上的电极片;各组电极片分别与竖直方向的电极杆连接;电极杆的上端经过盒体的顶面后穿过上夹板,位于上夹板顶面之上;电极杆的下端经过盒体的底面后穿过下夹板,位于下夹板底面之上;上夹板的底面和下夹板的顶面上分别安装有磁体。本发明设计科学,等离子体在两侧电场中定向移动,同时在磁场作用下,受到安培力和洛伦兹力合成的推力下快速移动,从而产生推进力。
- 一种等离子体电磁推进器
- [发明专利]一种新型MOS管及其制备方法-CN202310616024.9在审
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靳龙;李耀河;宋智文;赵恒
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广西科技大学
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2023-05-29
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2023-09-05
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H01L29/06
- 本发明旨在提供一种新型MOS管及其制备方法,所述的新型MOS管包括底层、中间层、上层、栅极、源极、漏极、氧化物层;所述的底层为N型半导体或P型半导体;底层为N型半导体时,中间层为P型掺入区,上层为N型掺入区;底层为P型半导体时,中间层为N型掺入区,上层为P型掺入区;所述的栅极、源极、漏极分别设于上层的顶面上,其中,栅极和上层的顶面之间通过氧化物层分隔;所述的底层设有接电端。本发明的新型MOS管在耐压跟传统结构保持一致的条件下,实现更小的终端面积没有体二极管,较少曝光、沉积,刻蚀次数的低成本,同时可以用分辨率较低的光刻设备获得较大规模半导体电路。
- 一种新型mos及其制备方法
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