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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置-CN202010372090.2有效
发明人：长谷川利昭;青柳健一;荒木信达;城野毅;大坪胜则;萩本贤哉;水间保宏 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种显示装置，在基板上设置有第一布线层和包括多个像素的元件部。元件部在每个像素中具有发光元件部和驱动元件，发光元件部包括一个或多个发光元件并且具有发光表面，并且驱动元件用于驱动发光元件部，驱动元件经由第一布线层电耦接至发光元件部。发光元件部的发光表面的端部布置在与驱动元件的上端等高的位置处，或者布置在比该上端高的位置处。
显示装置

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置-CN201811091131.X有效
发明人：藤井宣年;青柳健一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
半导体装置制造方法电子

[发明专利]显示设备、制造显示设备的方法及使用显示设备的电子装置-CN202180057676.2在审
发明人：滨下大辅;青柳健一;长谷川贤太;山本笃志;坂入卓 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供一种能够抑制相邻像素之间的光泄漏的显示设备、制造该显示设备的方法以及使用该显示设备的电子装置。该显示设备包括：多个发光元件，其中下电极、有机层和上电极依次地层叠在基板上；上表面保护层，层叠在发光元件的上表面侧并覆盖上电极；以及元件分隔壁，部署在相邻的发光元件之间并且覆盖发光元件的侧边缘表面，并且元件分隔壁沿发光元件的厚度方向从发光元件朝向上表面保护层延伸。
显示设备制造方法使用电子装置

[发明专利]显示设备、制造显示设备的方法和电子设备-CN202180041743.1在审
发明人： 青柳健一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供了一种显示设备，包括：第一半导体基板(100)，设置有驱动发光单元(20)的包括由多个像素晶体管(400)组成的像素晶体管组的驱动电路单元(40)；以及第二半导体基板(200)，设置有外围电路单元(30)，外围电路单元(30)包括向发光单元和驱动电路单元提供信号电压的多个外围电路晶体管(300)，第二半导体基板被沉积在第一半导体基板上并接合至所述第一半导体基板。多个像素晶体管的栅极氧化膜(404)的膜厚度大于多个外围电路晶体管的栅极氧化膜(304)的膜厚度。
显示设备制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置和制造方法-CN201910445485.8有效
发明人：藤井宣年;萩本贤哉;青柳健一;香川惠永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]光检测装置及其制造方法-CN201910468930.2有效
发明人：藤井宣年;萩本贤哉;青柳健一;香川惠永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
检测装置及其制造方法

[发明专利]成像器件-CN202010127285.0有效
发明人：榊原雅树;青柳健一;山田斉尔 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明涉及成像器件。所述成像器件包括：像素电路，其包括：光电转换器；浮动扩散层；传输晶体管，所述传输晶体管用于将在所述光电转换器处产生的电荷传输至所述浮动扩散层；第一差分晶体管，所述第一差分晶体管连接至所述浮动扩散层；以及复位晶体管，所述复位晶体管用于使保持在所述浮动扩散层中的电荷复位；比较器，其包括：所述第一差分晶体管；第二差分晶体管；以及输出节点；并且其中，所述第一差分晶体管和所述第二差分晶体管布置在第一半导体基板上，并且所述输出节点布置在第二半导体基板上。
成像器件

[发明专利]β赛隆荧光体的制造方法-CN202110927416.8在审
发明人： 青柳健一;贺出贵史;森川元治;细川昌治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于，包括：准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序，所述粉碎物的比表面积为0.2m2/g以上。
荧光制造方法

[发明专利]β赛隆荧光体的制造方法-CN201710387392.5有效
发明人： 青柳健一;贺出贵史;森川元治;细川昌治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于，包括：准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序，所述粉碎物的比表面积为0.2m2/g以上。
荧光制造方法

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN202110188871.0在审
发明人：香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
半导体装置固体摄像器件

[发明专利]比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置及比较器控制方法-CN201710089900.1有效
发明人：榊原雅树;青柳健一;山田斉尔 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明涉及能够在提高比较器的判定速度的同时降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置和比较器控制方法。所述比较器包括比较单元、正反馈电路和电流限制单元。所述比较单元比较输入信号的电压与参考信号的电压并输出比较结果信号。所述正反馈电路加快所述比较结果信号发生反转时的转变速度。所述电流限制单元限制所述比较结果信号发生反转之后在所述比较单元中流动的电流。本发明例如适用于比较器等。
比较 ad 转换器固态成像器件电子装置控制方法

[发明专利]含有类胡萝卜素的干燥菌体粉末及其制造方法-CN201580033484.2有效
发明人：永井秀忠;川岛祐贵;砂田太;高桥季之;青柳健一 -专利权人：捷客斯能源株式会社
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有提高的色泽增强作用的用于饲料的含有类胡萝卜素的粉末及其制造方法。本发明还提供一种含有类胡萝卜素的干燥菌体粉末的制造方法，其包括导热受热式干燥工序和粉碎工序。此外，提供一种通过该方法制造而成的干燥菌体粉末。
含有类胡萝卜素干燥菌体粉末及其制造方法

[发明专利]电子部件、电子部件安装基板和用于安装电子部件的方法-CN201680013016.3有效
发明人：长谷川利昭;青柳健一;萩本贤哉;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：电子部件安装基板10A由以下各项组成：电子部件20；以及安装用基板10，其上安装有电子部件20。电子部件20的安装表面23设置有凹部24，所述安装表面23面向安装用基板10。在凹部24的底部中露出连接部39；以及设置在安装用基板10上的电子部件附接部12与设置在电子部件20上的连接部39彼此焊接。
电子部件安装用于方法

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN201480053552.7有效
发明人：香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
半导体装置固体摄像器件

[发明专利]比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置及比较器控制方法-CN201580001816.9有效
发明人：榊原雅树;青柳健一;山田斉尔 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明涉及能够在提高比较器的判定速度的同时降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置和比较器控制方法。所述比较器包括比较单元、正反馈电路和电流限制单元。所述比较单元比较输入信号的电压与参考信号的电压并输出比较结果信号。所述正反馈电路加快所述比较结果信号发生反转时的转变速度。所述电流限制单元限制所述比较结果信号发生反转之后在所述比较单元中流动的电流。本发明例如适用于比较器等。
比较 ad 转换器固态成像器件电子装置控制方法

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