“陶瑞龙”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成电压采样功能的沟槽型MOSFET及其制造方法-CN202310836234.9有效
发明人：李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电压采样功能的沟槽型MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层上制作形成设置采样沟槽，在采样沟槽内制作第一导电类型的多晶硅，对采样沟槽内的部分多晶硅的上端注入第二导电类型的元素，在有源区的外延层上制作形成第二导电类型的体区，并在终端区的外延层上制作形成第二导电类型的阱区，同时使部分多晶硅的上端变为第二导电类型的多晶硅，将金属层刻蚀形成源极金属、栅极金属、栅极总线金属、连接金属、采样金属和截止环金属。本发明在常规的沟槽MOSFET上集成电压采样功能，将采样功能区放在终端区域，不影响芯片面积，成本更低；可采样器件的浪涌电压，以避免损坏器件，提高电路系统的可靠性和稳定性。
集成电压采样功能沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法-CN202110707129.6有效
发明人：李加洋;陶瑞龙;吴磊;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：滁州华瑞微电子科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法，涉及半导体的技术领域，旨在解决现有技术中SBD结构占用大量硅表面面积，导致芯片面积大、成本高且工艺控制难度较大的问题。其技术方案要点是在元胞区设置第一类沟槽，在终端区环绕元胞区设置有截止环结构，在终端区设置有位于第一类沟槽和截止环结构之间的若干个第二类沟槽，位于N型外延层顶部设置有位于相邻的至少两个第二类沟槽之间的肖特基结构，肖特基结构包括有同时跨越至少两个第二类沟槽的金属条，金属条底壁向下延伸出嵌入对应第二类沟槽的突出部，金属条与N型外延层形成肖特基接触，金属条与源极金属电气连接。本发明达到了节约芯片面积、工艺简单、降低成本的效果。
一种集成 sbd 沟槽终端结构及其制备方法

[发明专利]一种集成SBD结构的SGT MOSFET及其制作方法-CN202310145778.0有效
发明人： 陶瑞龙;李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成SBD结构的SGT MOSFET及其制作方法。该方法包括在外延层上刻蚀形成多个沟槽，所述沟槽包括多个呈间隔设置的第一沟槽，两个相邻的第一沟槽设为一对，每对的两个第一沟槽一侧之间设有第二沟槽；在第一沟槽内制作控制栅多晶硅时，并在第二沟槽内同步制作形成源极多晶硅，在刻蚀形成连接孔时，同时将同属一对的两个第一沟槽上侧之间的介质层和屏蔽氧化层刻蚀掉，使得源极金属与同属一对的两个第一沟槽上侧之间外延层形成SBD结构。本发明可以大大节省芯片面积，大幅度降低寄生二极管的反向恢复时间，提高开关频率，降低开关损耗，改善栅极位置的电场峰值，避免栅氧提前击穿，提升外延纵向电场分布的均匀性。
一种集成 sbd 结构 sgt mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种优化高温特性的沟槽器件及其制造方法-CN202211180942.3有效
发明人： 陶瑞龙;李加洋;胡兴正;薛璐 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化高温特性的沟槽器件及其制造方法。该方法包括在第一介质层的上侧及第一连接孔内制作形成第一金属层，第一金属层经刻蚀形成与N阱连接的第一极板，并在第二介质层上刻蚀形成第二连接孔；在第二介质层的上侧及第二连接孔内制作形成第二金属层，第二金属层经刻蚀形成第二极板，第二极板的内端设置在第一极板的上侧，以与第一极板和第二介质层配合形成平行板电容器结构，第二极板的外端与场板连接。本发明通过设置第一极板和第二极板构成平行板电容器结构，在不显著增加加工成本的前提下，可实现功率器件与平行板电容器的集成，提高器件的耐压能力。
一种优化高温特性沟槽器件及其制造方法

[发明专利]一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法-CN202210030400.1有效
发明人：李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法。该方法包括在所述栅氧化层的上侧淀积形成第二导电类型的多晶硅，然后对所述多晶硅进行刻蚀操作，对所述体区内以及栅氧化层上侧经过刻蚀保留的多晶硅的内端部执行第一导电类型元素注入和退火操作，以制作形成设置在有源区的体区内的第一阱区、设置在终端区的体区外端的第二阱区、以及设置在所述栅氧化层上侧的二极管和电阻，所述二极管的外端与电阻的内端连接。本发明通过在终端沟槽内增加偏置电压的方式，减小雪崩击穿时的氧化层界面空穴缺陷密度，从而有效改善BV walk‑in和walk‑out的问题，从而提高BV的稳定性，增加器件的可靠性。
一种提高 bv 稳定性 sgt 终端结构及其制备方法

[发明专利]一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法-CN202111496386.6有效
发明人：薛璐;陶瑞龙;李加洋;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法。该方法包括在所述衬底的上侧制作外延层，所述外延层包括依次设置在衬底上侧的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度；在所述外延层上刻蚀形成若干第一沟槽，所述第一沟槽的下端设置在第一外延层内；在所述第二外延层的上侧及第一沟槽内生长第一氧化层；在所述第一沟槽下侧的第一外延层上刻蚀形成第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽内制作第二导电类型的硅柱。本发明可以通过调节硅柱的掺杂浓度实现电荷平衡，降低外延层的电阻率，使导通电阻减小，并减小晶圆的应力，增大了器件Coss，使器件抗EMI的能力增强。
一种 sgt 新型复合 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种优化电场特性的分裂栅沟槽MOS及其制造方法-CN202111393083.1在审
发明人：李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化电场特性的分裂栅沟槽MOS及其制造方法。该方法包括在衬底的上侧制作外延层，具体如下：在所述衬底的上侧生长掺杂浓度为N3的第一外延层；调整掺杂源的浓度使掺杂浓度线性增加，并在第一外延层的上侧生长掺杂浓度从N3至N2线性增加的第二外延层；调整掺杂源的浓度使掺杂浓度线性降低，并在第二外延层的上侧生长掺杂浓度从N2至N1线性降低的第三外延层；在第三外延层的上侧生成掺杂浓度为N1的第四外延层。本发明通过调节外延层的掺杂分布，使SGT MOSFET中间部位的电荷补偿能力增强，电场分布更加接近梯形分布，增加了器件的耐压能力，并且在击穿电压相同的情况下，导通电阻可以减小30%左右。
一种优化电场特性分裂沟槽 mos 及其制造方法

[发明专利]一种具有自偏置终端的平面MOSFET及其制备方法-CN202111000952.X有效
发明人：李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自偏置终端的平面MOSFET及其制备方法。该方法对第二多晶进行P型元素和N型元素注入形成二极管，对第一金属层经刻蚀形成源极金属、场板和截止环，第二金属层经刻蚀形成金属板和将截止环的内端与二极管的P端连接的连接金属，金属板的一端与二极管的N端连接，且其设置在场板的上侧，以配合形成平行板电容器结构。本发明同时引入电容和二极管集成方案，无需通过外部引入电压，可通过器件本身的结构特点，形成自偏置电压，将自偏置电压作用于场板终端结构，可显著提高终端的击穿电压BVDSS；本发明工艺实现过程简单，与现有工艺兼容，在不显著增加加工成本的前提下，实现功率器件与自偏置结构的集成。
一种具有偏置终端平面 mosfet 及其制备方法

[发明专利]一种沟槽终端结构及其制备方法-CN202110023025.3在审
发明人：李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：滁州华瑞微电子科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽终端结构及其制备方法，沟槽呈环状分布于有源区的外围，在沟槽的外围设有截止环，沟槽包括若干条间断沟槽和一条连续沟槽，所述连续沟槽位于间断沟槽与截止环之间，每条间断沟槽包括若干条等间距设置的间断子沟槽，且相邻间断沟槽的间断子沟槽交错分布。本发明使得终端位置的电势分布更均匀，并减小了终端宽度，提升了器件性能。
一种沟槽终端结构及其制备方法

1
共 9 条