“陈雨箭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种多电极集成LED的双向导通光增强逆导型碳化硅IGBT器件-CN202310728817.X在审
发明人： 陈雨箭;张峰;张国良 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种多电极集成LED的双向导通光增强逆导型碳化硅IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；通过在IGBT器件的发射极和栅极内部集成LED元胞，使栅极集成的LED元胞在正向导通时发光，发射极集成的LED元胞在器件反向导通时发光，使IGBT器件内部在导通时产生大量光生载流子，大幅提高逆导型IGBT器件的正反向导通电流密度并消除逆导型IGBT器件正向导通时的折回现象，增强逆导型IGBT器件的续流能力。
一种电极集成 led 双向导通光增强逆导型碳化硅 igbt 器件

[发明专利]一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件-CN202310728738.9在审
发明人：张峰;陈雨箭;张国良;洪荣墩 -专利权人：厦门大学;昆山厦大创新中心
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；该器件通过将IGBT的顶部栅极开孔，使用在栅极内部集成LED元胞的方法，使得光线入射到JFET区，并且产生光生载流子，增大器件的导通电流，消除逆导型IGBT器件的折回(Snap‑back)现象，并且可以使器件获得更好的续流特性。
一种增强消除折回现象逆导型 igbt 器件

[发明专利]一种集成发光二极管的光增强超结碳化硅IGBT器件-CN202310728837.7在审
发明人：张峰;张国良;陈雨箭 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种集成发光二极管的光增强超结碳化硅IGBT器件，在顶部栅极集成发光二极管(LED)，利用LED发射出的光使得JFET区域产生电子‑空穴对，降低JFET区域与漂移区的电阻率，并在漂移区增加超结结构用于保证器件的阻断能力。
一种集成发光二极管增强碳化硅 igbt 器件

[发明专利]一种类超结光增强IGBT器件-CN202111444358.X在审
发明人：张峰;陈雨箭;邱宇峰;张荣 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。
种类超结光增强 igbt 器件