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[实用新型]一种功率半导体模块-CN202223495817.X有效
发明人：杨黎丽;陈舒佳 -专利权人：嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率半导体模块，涉及电力电子学技术领域，包括：外壳底部开口，并内置至少一个空腔；绝缘衬底上盖设有外壳，绝缘衬底的表面设有至少一个功率芯片，各功率芯片在空腔中；绝缘衬底包括：第一金属层的下表面与陶瓷层的上表面连接；第二金属层的上表面和陶瓷层的下表面连接；外壳的侧壁的下表面不超出第二金属层的下表面，其之间的水平间距为第一间距；外壳的内侧壁开设有与绝缘衬底对应的缺口，缺口的上表面和陶瓷层的上表面之间有第二间距，第二间距中设有弹性层；电连接结构通过连接导线连接功率芯片，各电连接结构垂直于绝缘衬底，并从外壳对应开设的开孔露出并延伸。有益效果是外壳和绝缘衬底间填充弹性层用于缓冲压力。
一种功率半导体模块

[实用新型]一种IGBT过流保护电路-CN202222711475.4有效
发明人： 陈舒佳;朱妍旭;杨黎丽 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT过流保护电路，涉及IGBT应用技术领域，包括：IGBT模块，IGBT模块的输出端串联有采样电阻；全波整流模块，全波整流模块的第一输入端与采样电阻的一端相连，全波整流模块的第二输入端与采样电阻的另一端相连，全波整流模块用于检测采样电阻两端的电压差，并将电压差取绝对值后放大得到采样电压；电压比较模块，电压比较模块的输入端连接全波整流模块的输出端，电压比较模块的输出端通过控制模块连接IGBT模块，电压比较模块用于将采样电压与基准电压进行比较，并在采样电压不小于基准电压时，通过控制模块关断IGBT模块，以对IGBT模块进行双向过流保护。有益效果是结构简单，相较于传统的放大电路，能够保护双向过流状态。
一种 igbt 保护电路