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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储元件及其制造方法-CN201910202942.0有效
发明人： 陈皇男 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件及其制造方法，所述存储元件包括：基底、多个接触窗以及多个空气间隙。基底具有多个有源区。接触窗分别配置在有源区的端点上。空气间隙分别环绕接触窗的侧壁。
存储元件及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN202110797129.X在审
发明人： 陈皇男 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。此动态随机存取存储器包括多个位线接触结构、多个位线结构、多个第一绝缘结构、电容接触结构、第一连接垫、第二绝缘结构及电容结构。位线结构沿着第一方向延伸。第一绝缘结构沿着与第一方向相交的第二方向延伸。电容接触结构位于两两位线结构与两两第一绝缘结构之间。第一连接垫形成于电容接触结构上。第二绝缘结构环绕第一连接垫，且第二绝缘结构的顶部宽度大于底部宽度。电容结构形成于第一连接垫上并且与第一连接垫电连接。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]导线结构及其制造方法-CN202010552795.2在审
发明人： 陈皇男 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种导线结构及其制造方法。导线结构的制造方法包括以下步骤。提供基底。在基底上形成导体层。通过自对准双重图案化工艺在导体层上形成矩形环状间隔件。形成图案化光刻胶层。图案化光刻胶层暴露出矩形环状间隔件的第一部分与第二部分。第一部分与第二部分位于矩形环状间隔件的对角线上的两个角落处。利用图案化光刻胶层作为掩模，移除第一部分与第二部分，而形成第一间隔件与第二间隔件。第一间隔件与第二间隔件为L形。移除图案化光刻胶层。将第一间隔件的图案与第二间隔件的图案转移至导体层，而形成L形的第一导线与L形的第二导线。上述导线结构的制造方法可提升接触窗与导线之间的对准裕度。
导线结构及其制造方法

[发明专利]接触结构及其形成方法-CN201810613178.1有效
发明人： 陈皇男;池田典昭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明公开一种接触结构及其形成方法。此接触结构包括绝缘层形成于基板上。此接触结构包括导电部件，形成于基板上且位于绝缘层中。此接触结构包括第一衬层形成于绝缘层中且形成于导电部件的上部分的侧壁上。此接触结构包括第二衬层形成于导电部件的侧壁。第二衬层及导电部件形成导电接触插塞。在导电部件的上部分，第二衬层介于导电部件与第一衬层之间。在导电部件的下部分，第二衬层介于导电部件与绝缘层之间。
接触结构及其形成方法

[发明专利]埋入式字线结构-CN201910245895.8有效
发明人： 陈皇男;许明智 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种埋入式字线结构，包括基底、隔离结构与埋入式字线。隔离结构位于基底中，而定义出彼此分离的多个主动区。主动区在第一方向上延伸。埋入式字线位于基底中。埋入式字线在第二方向上延伸通过隔离结构与主动区。第一方向与第二方向相交。埋入式字线与基底彼此隔离。同一条埋入式字线包括第一部分与第二部分。第一部分位于主动区中。第二部分位于第一方向上的相邻两个主动区之间的隔离结构中。第一部分的宽度大于第二部分的宽度。上述埋入式字线结构可有效地防止在埋入式字线与主动区之间产生漏电流。
埋入式字线结构

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201810336316.6有效
发明人： 陈皇男;池田典昭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提出了存储器装置及其制造方法，其中存储器装置包含第一介电层设置于基底上且覆盖一对字线，其中第一介电层具有开口暴露出隔离区和相邻二主动区的各自漏极区。存储器装置还包含一对接触件和介电部设置于开口中，其中介电部将这对接触件隔开。每一个接触件包含第一导电部设置于基底上，第二导电部设置于第一导电部之上，以及衬层设置于第一导电部与第二导电部之间且位于开口的侧壁上。第二导电部具有与介电部接触的侧壁，且衬层不位于此侧壁上。第二导电部具有一角落连接第二导电部的此侧壁和顶面，并且保护部位于此角落上。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN201710564443.7有效
发明人：竹迫寿晃;陈皇男;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，包括：衬底、多个隔离结构、多个字线组、多个位线结构、多个间隙壁、多个电容器以及多个电容器接触窗。隔离结构位于衬底中，以将衬底分隔成多个有源区。有源区被配置成带状且排列成一阵列。字线组沿着Y方向平行配置于衬底中。位线结构沿着X方向平行配置于衬底上，且横越字线组。间隙壁沿着X方向平行配置于位线结构的侧壁上，其中间隙壁包括氧化硅。电容器分别配置于有源区的长边的两端点上。电容器接触窗分别位于电容器与有源区之间。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910384266.3在审
发明人：许明智;简毅豪;陈皇男 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、介电层、多条位线、间隙壁与接触窗。所述基底具有彼此平行设置的多个主动区。所述介电层设置于所述基底上。所述多条位线彼此平行地设置于所述介电层上。每一所述位线与所述主动区部分重叠。每一所述位线在其延伸方向上具有彼此交替的第一部分与第二部分，且所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度。所述间隙壁设置于每一所述位线的侧壁上。所述接触窗设置于相邻的位线之间并与所述相邻的位线中的至少一者的所述第一部分相邻，且穿过所述介电层而与所述主动区接触。
半导体结构及其制造方法

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