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[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的方法-CN202210086964.7在审
发明人： 陈渭泽;M·格瑞斯伍尔德 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及形成半导体器件的方法。在一个实施方案中，一种晶体管具有被形成为具有多个区的漂移区域，该多个区具有跨该区的不同垂直掺杂分布。这些区中的至少一个区具有垂直掺杂分布，该垂直掺杂分布在该区的顶表面附近具有第一峰值并且在底表面附近具有第二峰值。一个实施方案可以在该两个峰值之间的区域中具有较低的掺杂。
半导体器件形成方法

[发明专利]具有晶体管的半导体器件和形成具有晶体管的半导体器件的方法-CN202111651141.6在审
发明人： 陈渭泽;M·格瑞斯伍尔德;J·皮杰卡 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有晶体管的半导体器件和形成具有晶体管的半导体器件的方法。半导体器件的实施例可包括具有第一掺杂区和第二掺杂区的晶体管，第一掺杂区和第二掺杂区在晶体管的源极、主体和漏极的下方横向延伸。晶体管可具有包括附加偏置接触以将偏置电势施加到第一掺杂区和/或替代地施加到第二掺杂区的实施例。
具有晶体管半导体器件形成方法

[实用新型]用于具有自偏置掩埋层的半导体器件的隔离结构-CN201821166620.2有效
发明人： M·阿加姆;J·C·J·杰森斯;J·皮杰卡;T·姚;M·格瑞斯伍尔德;陈渭泽 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于具有自偏置掩埋层的半导体器件的隔离结构，包括浮动掩埋掺杂区、设置在浮动掩埋掺杂区与第一主表面之间的第一掺杂区、以及设置在浮动掩埋掺杂区与第二主表面之间的半导体区。沟槽隔离结构从所述第一主表面延伸且终止于所述半导体区内，并且所述浮动掩埋掺杂区邻接所述沟槽隔离结构。第二掺杂区设置在所述第一掺杂区中，具有与所述第一掺杂区相反的导电类型。第一隔离器件设置在所述第一掺杂区中，并且被配置为将注入到所述半导体器件中的电流从其他区域转移，从而延迟内部SCR结构的触发。在一个实施方案中，第二隔离结构设置在所述第一掺杂区内，并且被配置为破坏沿着所述沟槽隔离结构的侧壁表面的泄漏路径。
掺杂区沟槽隔离结构半导体器件隔离结构掩埋浮动掩埋层主表面自偏置本实用新型主表面延伸半导体区侧壁表面导电类型隔离器件区域转移泄漏路径邻接触发配置半导体延迟掺杂

[发明专利]包括非易失性存储单元的电路及电子器件和电子器件形成工艺-CN200980118853.2有效
发明人： 陈渭泽;P·M.·帕里斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：用于非易失性存储单元(10、20、30、40、50、60、70、80、90、100)的电路可以包括电荷改变端子(102、202、302、402、502、602、702、802、902、1002)和输出端子(108、208、308、408、508、608、708、808、908、1008)。电路还可以包括含有电浮动的栅电极以及含有载流电极的有源区的第一晶体管(11、21、31、41、51、61、71、81、91、1021)，其中载流电极被耦接至输出端子。电路还可以包括具有第一电极和第二电极的第二晶体管(12、22、32、42、52、62、72、82、92、1002)，其中第一电极被耦接至第一晶体管的栅电极，以及第二电极被耦接至电荷改变端子。当改变存储单元的状态时，第二晶体管可以是活动的并且没有显著数量的电荷载流子在第一晶体管的栅电极与第一晶体管的有源区之间转移。其他实施例可以包括电子器件本身以及形成电子器件的工艺。
包括非易失性存储单元电路电子器件形成工艺