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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法-CN202211465513.0在审
  • 李建泳;金尚秀;陈尚完 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-11-22 - 2023-10-17 - H10B43/27
  • 本公开涉及半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法。一种半导体存储器设备包括：第一栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电层；穿入第一栅极堆叠结构的虚设垂直通道；在虚设垂直通道的两侧处穿入第一栅极堆叠结构的下部垂直通道；第二栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠在第一栅极堆叠结构上的第二层间绝缘层和第二导电层；部分地穿入第二栅极堆叠结构的第一选择线隔离结构；连接到下部垂直通道、同时穿入第二栅极堆叠结构的上部垂直通道；以及在垂直方向上与虚设垂直通道重叠的第二选择线隔离结构，第二选择线隔离结构穿入第二栅极堆叠结构的一部分。
  • 半导体存储器设备制造方法
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211444041.0在审
  • 李建泳;金尙秀;金南局;陈尚完 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-11-18 - 2023-09-19 - H10B41/27
  • 提供了半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠在基板上的多个导电图案和多个层间绝缘层；多个沟道结构，其在基本垂直于基板的第一方向上延伸以贯穿层叠结构；至少一个第一狭缝，其在与基板基本水平的第二方向上延伸，同时贯穿多个导电图案当中的用于选择线的导电图案；第二狭缝，其在第二方向上延伸，同时贯穿用于选择线的导电图案；以及多个支撑结构，其设置在第二狭缝的底部，多个支撑结构贯穿多个导电图案当中的用于字线的导电图案。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210092100.6在审
  • 朴仙美;金南局;权殷美;陈尚完 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-11-15 - H01L27/11582
  • 本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：下层叠物，其中多个第一层间绝缘层和第一导电层交替地层叠；多个单元插塞，其在垂直方向上穿过下层叠物；在下层叠物上的上层叠物，其中多个第二层间绝缘层和至少一个第二导电层交替地层叠；多个漏极选择插塞，其穿过上层叠物并且与多个单元插塞的上部接触；以及分离图案，其使多个漏极选择插塞当中的相邻的漏极选择插塞分离，其中，分离图案与相邻的漏极选择插塞中的每一个侧壁接触。
  • 半导体存储器装置及其制造方法
  •  1 
  • 共 4 条
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