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[发明专利]多层电子设备及其制造方法-CN202180041341.1在审
发明人： D·乌鲁切克;陈同来;刘宇航;V·C·S·罗尔迪 -专利权人：鲜猿股份公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子设备，优选为薄膜电子器设备，以及一种用于制造所述设备的方法。设备包括中间结构(301、401、501)，所述中间结构(301、401、501)在串联连接的相邻的单元设备之间的接口处。中间结构适合采用沉积技术，从而可以避免在设备的相邻的层之间划线或图案化绝缘和/或分隔线的步骤。
多层电子设备及其制造方法

[发明专利]一种高比表面积石墨烯海底沉积层微生物燃料电池电极-CN201810983913.8在审
发明人：王冠程;陈同来;付玉彬;郭洪云;于明仕;赵荣荣 -专利权人：中国海洋大学;青岛华高墨烯科技股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01M4/96 文献下载
摘要：一种高比表面积石墨烯海底沉积层微生物燃料电池电极，电极为负载石墨烯材料的导电纤维，纤维经金属丝铰接形成圆柱状电极，金属丝之间经导电刚性框架固定，以防海流作用造成移动，使用时置于海底沉积层中，或置于海底沉积层/海水界面上方。本发明因电极中引入石墨烯材料而具有极大的比表面积，显著提高了实海环境中电池的综合性能。
一种表面积石墨海底沉积微生物燃料电池电极

[发明专利]一种柔性金属铜薄膜的制备方法-CN201810756473.2在审
发明人：赵荣荣;陈同来;柳伟 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性金属铜薄膜，具有如下结构：金属铜薄膜/无机固化膜，通过（1）采用磁控溅射法，将金属铜溅射至硬性衬底上；（2）采用涂敷法，将无机固化膜涂敷至金属铜薄膜表面；（3）烘箱中烘干后，采用直接剥离法，将金属铜薄膜/无机固化膜从硬性衬底上剥离出来；（4）获取的金属铜薄膜/无机固化膜可以直接贴服至任意衬底材料上，抑或单独使用。上述的金属铜薄膜，与现有的金属铜薄膜相比，具有使用灵便，粘附性好，有良好的机械性能等特点。
金属铜薄膜无机固化衬底机械性能烘箱磁控溅射法衬底材料单独使用柔性金属剥离法金属铜铜薄膜涂敷法粘附性烘干溅射膜涂剥离

[发明专利]一种柔性石墨烯发热膜的制备方法-CN201710999407.3在审
发明人：赵荣荣;陈同来;柳伟 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性石墨烯发热膜，具有如下结构：石墨烯膜/无机固化膜，通过（1）采用涂敷法，将水性石墨烯溶液涂敷至硬性衬底上；（2）采用涂敷法，将无机固化膜涂敷至石墨烯膜表面；（3）烘箱中烘干后，采用直接剥离法，将石墨烯膜/无机固化膜从硬性衬底上剥离出来；（4）获取的石墨烯膜/无机固化膜可以直接贴服至任意衬底材料上，抑或单独使用。上述的石墨烯发热膜，与现有的可加热石墨烯膜相比，具有使用灵便，可耐高温，粘附性好，有良好的机械性能等特点。
石墨烯膜无机固化发热膜柔性石墨涂敷法衬底机械性能烘箱石墨烯膜表面衬底材料单独使用水性石墨剥离法可加热耐高温石墨烯粘附性烘干膜涂涂敷制备剥离

[实用新型]气体脱硫化氢系统-CN201621303191.X有效
发明人：李见;王小林;付金玲;曹颖;陈同来;张艳鹏;张涛 -专利权人：唐山绿源环保科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B01D53/96 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脱硫系统，特别是一种气体脱硫化氢系统。包括湿法脱硫塔，富液槽，喷射再生槽，干法脱硫塔，贫液槽，气水分离器，湿法脱硫塔置于贫液槽上，湿法脱硫塔顶部安装气水分离器，贫液槽、湿法脱硫塔和气水分离器构成湿法脱硫集成塔。与现有技术相比，本实用新型具有节约占地面积，投资低的优点。
气体脱硫系统

[发明专利]气体脱硫化氢系统以及脱硫方法-CN201611083248.4在审
发明人：李见;王小林;付金玲;曹颖;陈同来;张艳鹏;张涛 -专利权人：唐山绿源环保科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B01D53/96 文献下载
摘要：本发明涉及一种脱硫系统及工艺，特别是一种气体脱硫化氢系统的脱硫方法。一种气体脱硫化氢系统，包括湿法脱硫塔，富液槽，喷射再生槽，干法脱硫塔，贫液槽，气水分离器，湿法脱硫塔置于贫液槽上，湿法脱硫塔顶部安装气水分离器，贫液槽、湿法脱硫塔和气水分离器构成湿法脱硫集成塔。脱硫方法，按如下步骤进行：气体流程和脱硫液流程。与现有技术相比，本发明能够节约占地面积，投资低。具有脱硫效率高，运行成本低，无硫堵的优点。
气体脱硫系统以及方法

[发明专利]煤气站酚水处理装置及处理方法-CN201611083247.X在审
发明人：李见;王小林;陈同来;张涛;张艳鹏 -专利权人：唐山绿源环保科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种煤气站酚水处理系统，特别是一种煤气站酚水处理装置及处理方法。包括沉降池，过滤系统，药液中和系统，酚水储存系统，酚液蒸汽系统，沉淀池与过滤系统管路连接，过滤系统与药液中和系统管路连接；药液中和系统与酚水储存系统连接，酚水储存系统与酚水蒸汽系统连接，酚水蒸汽系统上方设置有与炉底连接的管路。本发明与现有技术相比，酚水汽化后含低沸点苯、酚类物质进入与炉底连接的管路中，作为汽化剂使用，达到节能环保的目的。
煤气站水处理装置处理方法

[发明专利]沼气生物脱硫装置及脱硫工艺-CN201611081808.2在审
发明人：付金玲;李见;曹颖;吴莉香;陈同来;张艳鹏 -专利权人：唐山绿源环保科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C10L3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种生物脱硫装置及工艺，特别是一种沼气生物脱硫装置及脱硫工艺。包括脱硫塔，生物氧化反应器，硫分离器，脱硫塔的底部与生物氧化反应器的底部连接，生物氧化反应器上设置有与硫分离器连接的管路，生物氧化反应器与脱硫塔上部通过管路连接；生物氧化反应器上设置有通压缩空气的出、入口。本实施例的生物脱硫工艺的优势是生物法脱硫工艺无二次污染，生物法脱硫工艺中沼气热值保持不变，生物法脱硫工艺控制系统简单。
沼气生物脱硫装置工艺

[发明专利]磁性氧化硅球及其合成方法-CN200910212916.2有效
发明人：陈名海;李清文;陈同来 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：本发明揭示了一种磁性氧化硅球及其合成方法，该磁性氧化硅球为三层核壳结构，自内而外包括氧化硅球、磁性纳米颗粒、氧化硅壳层；磁性氧化硅球尺寸的调控范围介于50nm～5μm。其合成方法是：将预制的带正电的磁性纳米颗粒酸化，并依次加入体积比为40∶8∶1的蒸馏水、预制的氧化硅球乙醇悬浮液、氨水及足量的正硅酸乙酯室温搅拌，经产物过滤、收集并真空干燥获得磁性氧化硅球。本发明技术方案应用实施后，能够实现一步合成磁性氧化硅球，且具有产物尺寸可控性好，产率高的优点；外层氧化硅不仅作为保护层，通过简单的硅烷修饰和功能化，能够赋予磁性氧化硅球更广泛的功能性，是一种磁性多功能平台。
磁性氧化及其合成方法

[发明专利]高效复合催化剂薄膜的制备方法-CN200810235248.0无效
发明人：李清文;陈同来;杨晓杰;勇振中 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高效复合催化剂薄膜的制备方法，采用聚合物辅助沉积的湿法技术，将具有催化作用的组分和具有助分散作用的组分与可溶性聚合物和络合剂进行混合反应制成胶体溶液，通过旋涂将胶体溶液均匀分散在硅衬底上成薄膜，退火后，可获得具有高催化活性的复合薄膜催化剂，适用于超长碳纳米管的快速生长。
高效复合催化剂薄膜制备方法

[发明专利]用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法-CN200810234755.2有效
发明人：李清文;陈同来;杨晓杰;勇振中 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： B01J23/78 文献下载
摘要：本发明提供一种用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法，先将硅衬底清洗后，并吹干，放入反应磁控溅射装置的反应室中，沉积前反应室背底绝对压力低于5×10-3Pa；采用Fe和Mg靶材作为溅射靶，或采用Fe和Al靶材作为溅射靶，以Ar气和O2气作为溅射气体，Ar气和O2气的流量比控制在1～10之间，待硅衬底温度加热至200～700℃后，溅射气体引入反应室至沉积室，整体压强达到1～10Pa后，开始溅射成膜，溅射功率控制在40～100W之间，靶材与衬底的垂直间距为50～100mm，控制沉积膜厚度在1～5nm；沉积完成后，随炉冷却至室温，切断气体源，取出成品，从而获得Mg-Fe-O或Al-Fe-O催化剂薄膜。可大面积制备高效催化剂薄膜，效率高、成本低，适用于碳纳米管阵列的批量制备。
用于超长纳米生长高效复合催化剂薄膜制备方法

[发明专利]透明导电氧化物薄膜的低温制备方法-CN200810244715.6无效
发明人： 陈同来;李清文;陈名海 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2008-11-26 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电氧化物薄膜的低温制备方法，采用脉冲激光法制备籽晶层后，再分别采用脉冲激光法或磁控溅射法后续制备铌掺杂氧化钛透明导电薄膜材料，籽晶层为锐钛矿晶型的氧化钛单晶，脉冲激光沉积控制厚度在0.5～数个晶胞c轴长度；在带有籽晶层的衬底材料上采用脉冲激光法或磁控溅射法继续生长制备氧化钛基薄膜材料，其制备过程对制备工艺和生长条件的依赖性较小，制备工艺灵活，富有选择性，获得的氧化钛基透明导电薄膜可见光透过率优于90％，室温电阻率小于8×10^-4ohm.cm；实现替代ITO用透明导电氧化物薄膜的低温生长与制备。
透明导电氧化物薄膜低温制备方法

[发明专利]基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用-CN200810034352.3无效
发明人：于伟东;李效民;陈同来;吴峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型存储器用硅基全外延多层薄膜、方法及应用。本发明的目的是通过在硅衬底上依次外延生长TiN，MgO或SrTiO₃作为结构调节层，贵金属和导电氧化物为电极导电层，掺杂稀土锰氧化物为电阻转变层，从而实现硅基的具有电阻转变功能的多层薄膜的制备。这种外延薄膜在以Ag、Al、Ti或Mo等为对电极材料时，在电脉冲作用下，可以实现可逆电阻转变。在该工艺方法中，TiN层具有重要作用，是后续掺杂稀土氧化物层外延生长的重要前提。生长掺杂稀土锰氧化物时，采用了低氧压沉积方法，这不仅保证了多层膜外延生长过程的延续，而且有效地控制了掺杂稀土锰氧化物层的初始电阻值和高低电阻变化性能。
基于衬底外延电阻转变多层薄膜方法应用

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