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[发明专利]禽舍气体除臭系统及除臭方法-CN202210632991.X在审
发明人：杨斯涵;徐哲;徐惠明;苗德平;陆叶涛;王梦芝;刘福元;李玉军;张振斌;赵建 -专利权人：江苏汇盈隆科技有限公司;扬州大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：畜禽舍气体除臭系统及除臭方法，属于养殖设备技术领域，系统整体由鸡舍、排风机、湿帘、污水处理单元、供水单元和控制柜构成，排风机安装在湿帘一侧，湿帘顶部设置水箱并进行给水，通过排风机将禽舍内恶臭气体引向湿帘系统，通过湿帘吸收恶臭气体，用蓄水池承接湿帘流下的废液，蓄水池底部有排污管道与污水池相连接，污水集中流入污水池后，在其中加入氢氧化钠吸收废液中的稀硫酸和硫化氢。最后将污水池中的液体用沙滤工艺进行过滤即可再次使用。本发明可以有效降低成本，适合集约化畜牧业养殖，能较彻底消除臭味达到除臭的目的，减轻对周边环境的影响。
禽舍气体除臭系统方法

[发明专利]一种校准晶圆片正面入射能量密度的方法-CN202111436029.0在审
发明人：周璇;陆叶涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种校准晶圆片正面入射能量密度的方法，包括：提供未掺杂的晶圆，采用不同能量密度的激光进行退火，未经校准的能量密度通过反馈回路控制，提供在任意单位的入射能量密度的测量；在退火工艺中，通过AFM对晶圆片进行表面粗糙度测试，获得表面熔化开始时的阈值变化点及所对应的实际入射能量密度；根据任意单位入射能量密度和阈值变化点时所对应的实际入射能量密度，进行入射能量密度校准。本发明利用AFM测量的表面粗糙度在晶圆表面熔化开始时的突然阈值变化来校准入射激光脉冲能量密度；对硅衬底在1300℃下亚熔体硼掺杂活化进行入射ED周期监测；在1200℃或以下使用非晶掺杂硅磷层的外延再生长进行工具和工艺匹配，并且匹配在能量密度的1％范围内。
一种校准晶圆片正面入射能量密度方法

[发明专利]管理膜层厚度测量程式的方法-CN202110591264.9在审
发明人：孙天拓;陆叶涛;高杏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G06F8/20 文献下载
摘要：本发明一种管理膜层厚度测量程式的方法，包括：撰写代码，以建立免编码智能框架；以及依托所述免编码智能框架建立膜层厚度测量程式的管理系统。本发明还提供了一种使用方法，包括：将待检查的膜层厚度程式的参数、检查规则和配色方法输入系统中；根据膜层厚度程式参数目标值生成膜层厚度程式参数目标值的合集；制作膜层厚度程式参数设置手册；以及检查参数设置是否正确。在本发明提供的管理膜层厚度测量程式的方法中，可以检测到膜层厚度程式错误，并且，在需要增减待检查参数或修改检查规则时，不用再修改原始代码，可以直接修改系统中的设置，从而减少人力，并且还可以提高检测的准确度。
管理厚度测量程式方法

[发明专利]离子注入程式的正确性验证方法及装置-CN201910673189.3在审
发明人：孙天拓;高杏;陆叶涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入程式的正确性验证方法及装置。方法包括：确定目标离子注入程式，获取与目标离子注入程式对应的实际离子注入参数；基于目标离子注入程式名获取常数型校验规则，比对实际离子注入参数与离子注入参数目标值是否一致；获取函数型校验规则，函数型校验规则包括不同离子注入参数之间的对应关系，判定实际离子注入参数之间是否符合函数型校验规则；当实际离子注入参数与离子注入参数目标值一致，且符合函数型校验规则时，将目标离子注入程式对应的实际离子注入参数作为基准版本导入至程式管理模块中。本发明提供的方法可以确保离子注入程式的实际离子注入参数的正确建立。
离子注入参数校验规则目标离子离子正确性验证管理模块比对判定

[发明专利]一种离子注入机的剂量匹配方法-CN201510216741.8有效
发明人：胡荣;戴树刚;陆叶涛;孙天拓 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机的剂量匹配方法，包括：第一步骤：提供硅晶片；第二步骤：在基准设备上对第一步骤S1提供的硅晶片进行离子注入，获取剂量匹配系数为1的基准方块电阻值；第三步骤：在新设备上对第一步骤提供的硅晶片采用分区域离子注入的方法在同一硅晶片上获得不同剂量匹配系数的区域，并针对每个区域获取多个点方块电阻值，通过对所述多个点方块电阻值进行数据处理以获取每个区域的方块电阻值；第四步骤：利用第二步骤获取的基准方块电阻值以及第三步骤获取的每个区域的方块电阻值，通过拟合曲线的方式，获得新设备相对于基准设备的剂量匹配系数。
一种离子注入剂量匹配方法

[发明专利]梯度压力模式改善膜厚均一性的方法-CN201610212828.2有效
发明人： 陆叶涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度压力模式改善膜厚均一性的方法，包括以下步骤：步骤S1，采用原位气体产生设备；步骤S2，在控片的渗透工艺反应阶段将所述原位气体产生设备的气体压力采用梯度压力模式对浅沟槽隔离形成线性氧化层。本发明形成的浅沟槽隔离线性氧化层的膜厚均一性得到改善，具有降低成本，提高工作效率，提高产品的质量效果。
梯度压力模式改善均一方法

[发明专利]多晶硅制备之立式炉管及其制备方法-CN201610107390.1在审
发明人：江润峰;孙天拓;陆叶涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，外石英管和内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，晶舟上设置硅片，晶舟并承载在位于壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，第一进气管路、第二进气管路，第三进气管路之出气口分别位于晶舟的不同高度处；排气管路，设置在壳体一侧之底部。本发明通过设置独立且位于不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
多晶制备立式炉管及其方法

[发明专利]一种氧化石墨烯改性PAN碳纤维原丝的制备方法-CN201210197201.6有效
发明人：吕永根;巩娜娟;陆叶涛;姚莉丽 -专利权人：东华大学
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： D01F6/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化石墨烯改性PAN纤维原丝的制备方法，包括：将氧化石墨烯分散在溶剂中，超声分散均匀后，进一步制备含氧化石墨烯的PAN纺丝原液；将上述纺丝原液经过脱单、脱泡后通过湿法纺丝工艺纺丝，最后经水洗、干燥即得氧化石墨烯改性PAN纤维原丝。本发明工艺简单，成本低，适合于工业化生产，所得氧化石墨烯改性的PAN纤维原丝具有取向度高、强度高以及在热稳定化过程中不易发生解取向的特点。
一种氧化石墨改性 pan 碳纤维制备方法

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