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[发明专利]绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201910050925.X有效
发明人：香川泰宏;田中梨菜;福井裕;三浦成久;阿部雄次;今泉昌之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(3)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与0001方向平行的面朝向0001方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。
绝缘碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201480007472.8有效
发明人：香川泰宏;田中梨菜;福井裕;三浦成久;阿部雄次;今泉昌之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供能够缓和栅极绝缘膜的电场并且抑制导通电阻的增大的绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。其特征在于，具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(3)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与<0001>方向平行的面朝向<0001>方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。
绝缘碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380025183.6有效
发明人：三浦成久;日野史郎;古川彰彦;阿部雄次;中田修平;今泉昌之;香川泰宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201480054456.4在审
发明人：田中梨菜;香川泰宏;三浦成久;阿部雄次;福井裕;富永贵亮 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种能够缓和在沟槽下部形成的保护扩散层中的电场的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置(100)具备：第一导电类型的漂移层(2a)；在半导体层(2)内的上部形成的第一导电类型的源极区域(4)；贯通源极区域(4)以及基极区域(3)而形成的活性沟槽(5a)；在活性沟槽(5a)的周围形成的终端沟槽(5b)；在活性沟槽(5a)的底面以及侧面形成的栅极绝缘膜(6)；隔着栅极绝缘膜(6)埋在活性沟槽(5a)内而形成的栅电极(7)；形成于活性沟槽(5a)的下部的、第二导电类型的杂质浓度为第一杂质浓度的第二导电类型的保护扩散层(13)；以及形成于终端沟槽(5b)的下部的、第二导电类型的杂质浓度为比第一杂质浓度低的第二杂质浓度的第二导电类型的终端扩散层(16)。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN201380068204.2在审
发明人：福井裕;香川泰宏;田中梨菜;阿部雄次;今泉昌之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种碳化硅半导体器件，能够降低碳化硅基板的OFF角对半导体器件的特性造成的影响，并实现动作稳定性的提高和低电阻化。在具有OFF角的碳化硅半导体基板中形成了的沟槽栅型碳化硅MOSFET半导体器件中，在阱区域中的所述沟槽的第1侧壁面侧设置低沟道掺杂区域，在阱区域中的所述沟槽的第2侧壁面侧设置有效受主浓度比所述低沟道掺杂区域低的高沟道掺杂区域。
碳化硅半导体器件及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201380068225.4在审
发明人：福井裕;香川泰宏;田中梨菜;阿部雄次;今泉昌之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种能够碳化硅基板的截止角对半导体装置的特性造成的影响并且实现动作稳定性的提高和低电阻化的碳化硅半导体装置。在沟道栅极型碳化硅MOSFET中，在阱区中形成高浓度阱区，使从碳化硅半导体的所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离大于从隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置的所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201380017760.7在审
发明人：田中梨菜;古川彰彦;今泉昌之;阿部雄次 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在使用了宽能带隙半导体的JBS二极管中，宽能带隙半导体的内置电位大，所以有时pn二极管部不易导通，由此有时无法充分确保浪涌电流抗性。为了解决这个问题，在宽能带隙JBS二极管中，在从肖特基电极离开了的部位形成pn二极管的pn结，另外在从肖特基电极离开了的部位将阱区域的宽度形成得较窄。
半导体器件

[发明专利]碳化硅外延晶片及其制造方法、外延生长用碳化硅块状衬底及其制造方法以及热处理装置-CN201180020657.9有效
发明人：富田信之;浜野健一;多留谷政良;三谷阳一郎;黑岩丈晴;今泉昌之;炭谷博昭;大塚健一;古庄智明;泽田隆夫;阿部雄次 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与<0001>面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。
碳化硅外延晶片及其制造方法生长块状衬底以及热处理装置