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[发明专利]室温下具有高活性性能的MoS2-x-CN202210067720.4有效
发明人： 阴明利;张了川;梁煜宇 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温下具有高活性性能的MoS2‑xSex分级气敏材料及制备方法。步骤如下：首先将钼酸钠、硫脲和一水柠檬酸溶解到去离子水中配成溶液A，并将特定量的硒粉溶于水合肼溶液配制成水合硒前驱体溶液B；其次在强力搅拌下将溶液B缓慢滴加到溶液A中并继续搅拌一定时间，将所得最终溶液经过水热反应后得到MoS2‑xSex纳米材料；最后将MoS2‑xSex纳米材料在氩气氛围中进行高温退火处理以激活材料的基面，最终得到高活性MoS2‑xSex纳米材料。该方法具有工艺简单和经济低耗的优点，同时所得产物气敏性能优异，在室温下对50ppm的NO2气体中响应(Ra/Rg)高达92，响应和恢复时间仅为25秒和22秒，探测极限可达10ppb。
室温具有活性性能 mos base sub

[发明专利]具有不同形貌的高度单分散MoSe2-CN202111675326.0在审
发明人： 阴明利;梁煜宇;张了川 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有不同形貌的高度单分散MoSe2纳米材料的制备方法。提供的技术方案包括以下步骤：首先将钼酸钠溶于二甲基甲酰胺(DMF)、有机溶剂及微量的去离子水混合溶液中形成溶液A，将硒粉溶于水合肼溶液形成溶液B，然后将AB两种溶液混合在一起，采用溶剂热湿化学方法合成出高度单分散的MoSe2纳米材料。本发明制备的MoSe2纳米材料具有形貌可控，尺寸均一和电导率高的特点，可有效缓解MoSe2纳米粒子间的团聚现象，形成多种形貌的高度单分散MoSe2纳米材料。
具有不同形貌高度分散 mose base sub

[发明专利]一种二维高孔隙率自分散的Co3-CN201910162156.2有效
发明人：于灵敏;马海宁;李春;祁立军;路亚超;马帅;李源;张波;阴明利;范新会 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：本发明涉及新材料技术领域，具体涉及一种二维高孔隙率自分散的Co3O4纳米鸟巢及其制备方法。该结构具有通畅的电子传输通道和丰富的边缘结构，有效改善Co3O4的电容特性。本发明采用的制备方法为通过水热法，在生成大量二维Co3O4纳米片的同时，在纳米片层间产生3D开放多级孔洞框架结构，从而形成制备的二维高孔隙率自分散的Co3O4纳米鸟巢。
一种二维孔隙率分散 co base sub

[发明专利]一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置-CN200610125202.4无效
发明人：付德君;阴明利;郭立平;刘传胜 -专利权人：武汉大学
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法，控制衬底的温度在0～500℃范围内，以氮气或氮气和氩气的混合气体作为溅射气体，真空条件下，对掺杂有稀土粉末的金属镓进行磁控溅射，使设在靶位处的衬底沉积上稀土掺杂的氮化镓发光薄膜。本发明还提供了一种制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的磁控溅射装置，包括真空室，真空室内设有可旋转的衬底架和3～5个磁控靶，衬底架上装设有衬底，衬底设在磁控靶上方且使衬底面与磁控靶面平行，每个磁控靶分别接直流电源阴极；磁控靶内设有冷却室，冷却室设有冷却介质进口和出口。本发明具有沉积温度低、成膜面积大、膜－基附着力强、生长速率高、无污染、掺杂工艺简单和无损伤等特点。
一种用于制备稀土掺杂氮化发光薄膜方法装置