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[发明专利]基板加工装置和方法-CN202310279399.0在审
发明人：朴宣柱;沈铉宗;文商珉;闵庚石;郑桓;李娜沇 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种基板加工装置，该基板加工装置包括：腔室，在该腔室内部具有加工空间；支撑单元，其布置在加工空间中，在支撑单元上放置基板，并且该支撑单元在其内部包括标签材料层，该标签材料层包括标签材料；等离子体源，其被配置为从加工空间中的加工气体生成等离子体；以及测量装置，其被配置为检测标签材料，其中，当支撑单元被蚀刻到大于或等于第一深度的深度时，标签材料层被暴露。
加工装置方法

[发明专利]蚀刻气体组合物、使用其的基板处理设备和图案形成方法-CN202310340720.1在审
发明人： 闵庚石;沈铉宗;文商珉;朴宣柱;郑桓;李娜沇 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：一种蚀刻气体组合物，包括碳数C3或碳数C4的至少两种有机氟化合物，其中所述至少两种有机氟化合物彼此异构。
蚀刻气体组合使用处理设备图案形成方法

[发明专利]半导体器件-CN201711171980.1有效
发明人：洪承秀;李正允;成金重;郑铉澔;郭玟灿;闵庚石;吴怜默;禹宰勋;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
半导体器件

[发明专利]基板处理装置-CN202211716291.5在审
发明人：朴宣柱;闵庚石;沈铉宗;丁宣旭;文商珉;宣皓中 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，基板在处理空间中被处理；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过该通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应至处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，并且密度调整构件位于喷淋板上。
处理装置

[发明专利]半导体装置-CN201711392708.6有效
发明人： 闵庚石;石城大;李正允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：半导体装置包括：在基底上的器件隔离层、由器件隔离层限定的第一有源图案以及源极区和漏极区。第一有源图案在第一方向上延伸，并且包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区。源极区和漏极区填充第一有源图案中的一对凹进区。源极区和漏极区中的每个包括位于凹进中的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。源极区和漏极区中的每个具有其宽度小于源极区和漏极区中的所述每个的下部的宽度的上部。第二半导体图案具有其宽度小于第二半导体图案的下部的宽度的上部。第二半导体图案的上部被布置成高于沟道区的顶表面。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201711394204.8有效
发明人：成金重;李正允;洪承秀;闵庚石;朴胜周;吴怜默;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201710641779.9有效
发明人：朴胜周;李正允;闵庚石;成金重;林青美;洪承秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。
半导体装置

[发明专利]包括凹入式栅电极部分的半导体器件-CN201810087764.7有效
发明人：郑铉澔;李正允;权台纯;闵庚石;成金重;林青美;池雅凜;洪承秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。
包括凹入式栅电极部分半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710684495.8有效
发明人：洪承秀;李正允;闵庚石;朴胜周;成金重;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201810289668.0有效
发明人：权台纯;李正允;池雅凛;闵庚石;成金重 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201810844288.9在审
发明人： 闵庚石;金东权;金哲;吴怜默;李正允;郑铉澔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的半导体器件包括：衬底，具有有源图案，所述有源图案在第一方向上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸以横越所述有源图案，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构在彼此在所述第二方向上面对的同时彼此隔离开；栅极隔离图案，设置在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述栅极隔离图案具有空隙；以及填充绝缘部分，在所述栅极隔离图案内定位在比所述第一栅极结构的上表面及所述第二栅极结构的上表面低的位置，所述填充绝缘部分连接到至少所述空隙的上端。本公开的半导体器件具有改善的集成度。
栅极结构半导体器件栅极隔离源图案上表面图案绝缘填充集成度上端延伸衬底横越相交隔离

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