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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有源矩阵式液晶电光器件以及具备该器件的摄象机-CN200610093447.3无效
发明人：山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-08-22 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
有源矩阵液晶电光器件以及具备摄象机

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200610093456.2无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200510008063.2无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]有源矩阵式液晶电光器件以及具备该器件的摄象机-CN200410088064.8无效
发明人：山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-08-22 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(off set)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
有源矩阵液晶电光器件以及具备摄象机

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200410008282.6无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN99120389.5无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]半导体器件及其有关集成电路-CN99120393.3无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层,于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
半导体器件及其有关集成电路

[发明专利]半导体显示器件及具有该半导体显示器件的电子器件-CN03133133.5无效
发明人：山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-08-22 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件，包括：一阻挡膜，在一个衬底上形成；一个薄膜晶体管，在所述阻挡膜上形成，所述薄膜晶体管包括：一个半导体层，具有源区和漏区，在该两区之间夹有沟道区，在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区，一个栅极，毗邻所述沟道区，栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜；一个层间绝缘膜，在所述薄膜晶体管上形成；一个平面化膜，在所述层间绝缘膜上形成；和一个像素电极，在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。
半导体显示器件具有电子器件

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN99120390.9无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN95119391.0无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 2000-12-13 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的ＴＦＴｓ（薄膜晶体管），以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN92112490.2无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-09-25 - 公布日： 1999-01-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的ＴＦＴｓ（薄膜晶体管），以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层，于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]液晶装置和其制造方法-CN86107793.8无效
发明人：山崎舜平;小沼利光;浜谷敏次;间濑晃;山口利治;坂间光范;犬岛乔 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1986-11-10 - 公布日： 1994-07-06 - 主分类号： G09F9/35 文献下载
摘要：本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置，该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如玻璃基质、透明电极等等。
液晶装置制造方法

[发明专利]导电图形的制造方法-CN87105952.5无效
发明人： 间濑晃 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1987-12-23 - 公布日： 1993-08-18 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：一种在基底上制造导电图形的方法，该方法包括下列步骤按照预定的图形印制含有导电金属微粒的树脂糊膏；烘烤所述树脂糊膏；重复所述印制和烘烤步骤，以形成层状导电图形；和压制该层状导电图形使顶部表面平滑。该方法还包括在层状导电图形上镀以金垫和在该金垫中装设集成电路芯片使其与金垫电气连接的步骤。
导电图形制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN92110004.3无效
发明人：山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-08-22 - 公布日： 1993-03-17 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]液晶器件基片的制备方法-CN90102570.4无效
发明人：山崎舜平;间濑晃;坂寄宽幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1987-08-07 - 公布日： 1992-03-18 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：公开了一种液晶器件基片的制备方法。该液晶器件包括一对基片，在二基片的内侧面上有多个电极条形成一矩阵。在接近基片的外周缘部分对显示器的象素无用的地方也形成电极条。借助于这些多余的电极条可以无须对基片特别注意而把它们连接起来。该方法是用待制成电极条的导电薄膜涂敷一基片，再用准分子激光器的激光来照射以形成多个电极条而完成的。
液晶器件制备方法

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