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[发明专利]第III族氮化物半导体纵向结构LED芯片及其制造方法-CN200980163264.6有效
发明人：曹明焕;李锡雨;张弼国;鸟羽隆一;丰田达宪;门胁嘉孝 -专利权人：伟方亮有限公司;同和电子科技有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：公开了：一种在发光结构体很少经受破裂，并具有高质量的纵向LED芯片；以及用于生产该LED芯片的方法。所述方法包括：发光层压体形成步骤：层压顺次层压于生长基板上的第一导电型第III族氮化物半导体层、发光层和第二导电型第III族氮化物半导体层(其类型与第一导电型不同)，从而形成发光层压体；发光结构体形成步骤：除去发光层压体的部分，以便暴露生长基板的部分，从而形成多个分离的发光结构体；形成连接层的步骤，导电性支承部通过所述连接层连接至多个发光结构体；形成可通过所述连接层充当下部电极的导电性支承部的步骤；从多个发光结构体进行生长基板的剥离的剥离步骤；以及切断发光结构体之间的支承部的切断步骤，从而生产各自具有发光结构体的多个LED芯片。所述方法的特征在于发光结构体形成步骤包括以使多个发光结构体的各平面具有圆形或含圆角的4n多角形(其中n表示正整数)的方式除去发光层压体的部分。
iii 氮化物半导体纵向结构 led 芯片及其制造方法

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