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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光装置及其制造方法-CN202180061098.X在审
发明人： 长田昌也 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：[问题]为了防止在将输出驱动发光元件的驱动信号的第一基板上的第一焊盘接合至具有发光元件的第二基板上的第二焊盘时的缺陷。[解决方案]发光装置包括：第一基板，输出驱动发光元件的驱动信号；以及第二基板，层叠在第一基板上，第二基板具有发光元件。第一基板的第一表面侧具有：第一焊盘，向发光元件提供驱动信号；第一导电层，位于第一焊盘上；以及接合层，位于第一导电层上。第二基板的位于面向第一基板的第一表面的第二表面侧具有：台面形状的发光元件；以及第二焊盘，位于发光元件上并经由接合层接合至第一焊盘。
发光装置及其制造方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872906.5有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872242.2有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872243.7有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]半导体器件-CN202110953737.5在审
发明人：驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201480052465.X有效
发明人：驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]半导体装置、电子设备和制造方法-CN201680026938.8有效
发明人： 长田昌也;泷本香织 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开涉及一种可以保持底部填充物的安装可靠性的半导体装置、电子设备和制造方法。在本公开中，芯片由在作为第一基板的Si基板上制作的成像元件的电路和在形成于电路上的粘合剂上制作的第二基板形成。在这种情况下，在芯片通过焊球安装在安装基板上之后或者在芯片的状态下，在芯片周围形成感光性材料，然后形成底部填充物，然后仅有感光性材料溶解。本公开适用于例如可以在诸如相机等成像装置中使用的CMOS固态成像传感器。
半导体装置电子设备制造方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201710976438.7有效
发明人： 长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过在所述半导体基板的所述第一表面上的所述导体层电连接至所述电极层，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201710300184.7有效
发明人： 长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过所述导体层在所述半导体基板的所述第一表面上方的一个位置电连接至所述电极层，并且延伸至所述半导体基板的所述第二表面，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。
半导体器件制造方法

[发明专利]背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备-CN201880068715.7在审
发明人：高地泰三;山本雄一;斋藤卓;胁山悟;大塚洋一;驹井尚纪;泷本香织;饭岛匡;羽根田雅希;长田昌也 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够降低制造成本的背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备。已经被单片化的存储电路和逻辑电路被水平地布局，并用氧化膜嵌埋以被平坦化，并且以在固态摄像元件的下方包含在平面方向中的方式被层积。本发明能够应用于摄像装置。
背面照射固态摄像器件制造方法装置电子设备

[发明专利]固态摄像单元、固态摄像单元的制造方法和电子设备-CN201880052606.6在审
发明人： 长田昌也;胁山悟 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够增加端子数量的固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法和电子设备。固态摄像装置设置有：设置有光接收区域的图像传感器基板，在光接收区域中，用于将入射光转换成电信号的像素被布置成矩阵；焊球，其在平面方向上被设置在图像传感器基板的外部，并且输出电信号；玻璃基板，其与图像传感器基板和焊球相对；以及贯通电极，其通过插入在配线图案和焊球之间的玻璃粘接树脂而连接焊球和形成在玻璃基板中的配线图案。本发明可以应用于例如设置有图像传感器基板的封装等。
固态摄像单元制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710161464.4有效
发明人： 长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在该半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着半导体基板的厚度方向于该基底材料部分形成竖直孔；竖直孔配线部分，包括形成在该基底材料部分的形成该竖直孔的侧壁上的竖直孔电极；金属膜，形成在该绝缘膜内，并且电连接到竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与该绝缘膜内的该金属膜接触，并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201580002735.0有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]显示装置、显示模块、制造显示装置的方法、以及制造显示模块的方法-CN201780031263.0在审
发明人：堀越浩;河岛将人;泷本香织;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：实现芯片面积的更大减少。本发明提供一种显示模块，设置有：显示装置，在基板的上表面上具有由用于显示图像的多个像素的阵列而形成的像素区域、用于与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极设置在基板的侧表面上；以及模块壳体，用于容纳显示装置，模块壳体在面向装置侧信号电极的位置处具有电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极。
显示装置信号电极显示模块模块壳体装置侧基板像素面向装置显示图像像素区域侧表面电连接上表面位置处壳体制造容纳芯片外部交换

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201810523854.6在审
发明人： 长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在该半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着半导体基板的厚度方向于该基底材料部分形成竖直孔；竖直孔配线部分，包括形成在该基底材料部分的形成该竖直孔的侧壁上的竖直孔电极；金属膜，形成在该绝缘膜内，并且电连接到竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与该绝缘膜内的该金属膜接触，并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。
竖直孔半导体基板半导体装置基底材料金属膜绝缘膜探针测试配线探针接触区域导电保护膜制造过程电极电连接膜表面侧壁制造

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