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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种职业卫生检测净化装置-CN202223416673.4有效
发明人：林康源;叶嘉琪;钟政庭 -专利权人：广东科旭检测评价技术服务有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01D47/06 文献下载
摘要：本实用新型属于净化装置领域，尤其是一种职业卫生检测净化装置，针对现有的不能对空气中的灰尘增加重量使灰尘进行沉降，以及不能将粘有灰尘的水向外排出时对水和灰尘进行分离的问题，现提出如下方案，其包括底板，所述底板的顶部固定连接有水箱，所述水箱的顶部设有进雾化喷洒沉降的雾化组件,所述底板的顶部固定连接有灰尘箱，所述灰尘箱的顶部固定连接有粉尘浓度传感器，本实用新型中，通过水进入到空气中增加空气的湿度，增加灰尘的重量，使灰尘进行沉降，同时水淋在回程中可使灰尘和水依次穿过第一过滤板、第二过滤板和过滤网对水进行过滤，同时灰尘根据颗粒的大小落入过滤网中也便于对灰尘进行统一处理。
一种职业卫生检测净化装置

[实用新型]一种用于高温烟道的采样装置-CN202220596751.4有效
发明人：潘广锋;钟政庭;林金荣;谢江琼 -专利权人：广东科旭检测评价技术服务有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N1/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于高温烟道的采样装置，属于烟道采样技术领域，该用于高温烟道的采样装置，包括放置杆，放置杆内开设有活动槽，放置杆的四端均设有用以向外夹持的两个夹持板，放置杆的四端均开设有用以收纳两个夹持板的两个容置槽；放置杆内设有一组外拓机构，外拓机构用以驱动夹持板向外活动将放置杆夹持固定于烟道内；放置杆的底端固定连接有烟雾采样器，烟雾采样器用以对烟道内的烟尘进行收集采样，可以适配绝大多数的烟管，包括不同内径和不同形状，本装置操作简单，有效的降低了作业难度，降低了安装时的风险，同时外拓机构具有自锁性，不会轻易出现装置掉落的情况，有效的保证了使用安全。
一种用于高温烟道采样装置

[发明专利]半导体装置结构-CN202210184159.8在审
发明人：庄其毅;钟政庭;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包括第一及第二源极/漏极外延特征、设置于第一与第二源极/漏极外延特征间的第一栅极电极层、第三及第四源极/漏极外延特征、设置于第三与第四源极/漏极外延特征间的第二栅极电极层、设置于第一及第二源极/漏极外延特征上的第五及第六源极/漏极外延特征以及设置于第五与第六源极/漏极外延特征间的第三栅极电极层。第三栅极电极层电性连接至第二源极/漏极外延特征。上述结构包括设置于第三及第四源极/漏极外延特征上的第七及第八源极/漏极外延特征。第二栅极电极层设置于第七与第八源极/漏极外延特征间。
半导体装置结构

[发明专利]具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构-CN202210118439.9在审
发明人： 钟政庭;陈建宏;马哈维;陈豪育;蔡劲;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构。提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方淀积二维(2D)材料层；形成与半导体结构和2D材料层电连接的源极特征和漏极特征，其中源极特征和漏极特征包括半导体材料；并且在二维材料层上方形成栅极结构，该栅极结构介于源极特征和漏极特征之间。栅极结构、源极特征、漏极特征、半导体结构和2D材料层被配置为形成场效应晶体管。半导体结构和2D材料层分别充当源极特征和漏极特征之间的第一沟道和第二沟道。
具有对称衬底接触沟道晶体管结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110859420.5在审
发明人： 钟政庭;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括第一沟道层的堆叠件以及分别与第一沟道层的至少部分的相对侧相邻的第一源极/漏极(S/D)外延部件和第二源极/漏极外延部件。第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件具有第一导电类型。半导体器件也包括堆叠在第一沟道层上方的第二沟道层的堆叠件以及分别与第二沟道层的至少部分的相对侧相邻的第三源极/漏极(S/D)外延部件和第四源极/漏极外延部件。第三源极/漏极外延部件和第四源极/漏极外延部件具有第二导电类型。第一沟道层的总有源沟道层数量与第二沟道层的总有源沟道层数量不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110185540.1在审
发明人： 钟政庭;陈豪育;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括半导体层、栅极结构、源极/漏极外延结构、后侧介电盖和内部间隔件。该栅极结构包围半导体层。源极/漏极外延结构与该栅极结构相邻，并电连接到半导体层。后侧介电盖位于该栅极结构下方并与该栅极结构直接接触。内部间隔件与栅极结构和后侧介电盖直接接触。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种用于检测工作场所中有毒物质浓度的装置-CN202120050100.0有效
发明人： 钟政庭;李庆键 -专利权人：广东科旭检测评价技术服务有限公司
申请日： 2021-01-09 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于检测工作场所中有毒物质浓度的装置，包括底座，所述底座内部开设有第一安装腔，所述底座顶部对称设置有两个滑动杆，两个所述滑动杆和底座顶部滑动连接，所述滑动杆底部延伸至第一安装腔内部，所述第一安装腔内部设置有用于升降滑动杆的升降组件，两个所述滑动杆顶部固定连接有同一个安装座，所述安装座内部开设有第二安装腔，本实用新型结构简单，启动驱动电机完成对不同高度甲醛浓度的检测，检测范围更加全面，启动鼓风机吸出储气箱内甲醛，拔出进气管借助毛刷等清理工具伸入进气管内对甲醛传感器进行清理，操作简单，提高了实用性。
一种用于检测工作场所有毒物质浓度装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110598001.0在审
发明人： 钟政庭;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括提供具有前侧和背侧的结构，结构包括衬底、位于衬底上方并且连接第一源极/漏极(S/D)部件和第二S/D部件的两个或多个半导体沟道层以及接合半导体沟道层的栅极结构，其中，衬底位于结构的背侧处，并且栅极结构位于结构的前侧处；使第一S/D部件凹进，从而暴露半导体沟道层中的一个的终端；以及在第一S/D部件上沉积覆盖半导体沟道层中的一个的暴露的终端的介电层。本申请的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[实用新型]一种用于原子吸收分光光度计降温的冷却装置-CN202120050125.0有效
发明人：宋彩念;钟政庭 -专利权人：广东科旭检测评价技术服务有限公司
申请日： 2021-01-09 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于原子吸收分光光度计降温的冷却装置，包括冷却箱和原子吸收分光光度计，所述冷却箱内部开设有安装腔，所述安装腔底部内壁固定安装有第二水泵，所述第二水泵出液口固定连接有出水管，所述出水管一侧固定连接有分流管，所述第二水泵进液口固定连接有换热器，所述换热器底部和安装腔底部内壁固定连接，所述换热器进液口固定连接有吸水管，本实用新型结构简单，关闭阀门，启动电动阀，启动第一水泵对原子吸收分光光度计进行冷却，启动第一水泵为导流管加水，启动第二水泵为进水管、集水箱、吸水管进行清理，操作简单，提高了实用性。
一种用于原子吸收分光光度计降温冷却装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011292879.3在审
发明人： 钟政庭;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括：第一多个全环栅(GAA)器件，位于第一器件区中；和第二多个GAA器件，位于第二器件区中。第一多个GAA器件中的每个包括：沟道构件的第一垂直堆叠件，沿着第一方向延伸；以及第一栅极结构，位于沟道构件的第一垂直堆叠件上方和周围。第二多个GAA器件中的每个包括：沟道构件的第二垂直堆叠件，沿着第二方向延伸；以及第二栅极结构，位于沟道构件的第二垂直堆叠件上方和周围。第一多个GAA器件中的每个包括第一沟道长度，并且第二多个GAA器件中的每个包括小于第一沟道长度的第二沟道长度。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110327711.X在审
发明人：廖翊博;黄禹轩;王培宇;钟政庭;蔡庆威;陈豪育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：包括金属化图案的第一互连结构；包括电源轨的第二互连结构；位于该第一互连结构和该第二互连结构之间的器件层，器件层包括第一晶体管，第一晶体管包括外延源极/漏极区；以及延伸穿过器件层的导电通孔，该导电通孔将电源轨连接到金属化图案，且该导电通孔接触外延源极/漏极区。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110034361.8在审
发明人： 钟政庭;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本发明实施例的半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括多个第一沟道构件和环绕多个第一沟道构件中的每一个的第一栅极结构。第二晶体管包括多个第二沟道构件和设置在多个第二沟道构件上方的第二栅极结构。多个第一沟道构件中的每一个具有第一宽度和小于第一宽度的第一高度。多个第二沟道构件中的每一个具有第二宽度和大于第二宽度的第二高度。本申请的实施例还提供一种形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110060401.6在审
发明人： 钟政庭;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件，其各自具有外部衬垫层和内部填充层；多个沟道构件，其沿第一方向在第一源极/漏极外延部件与第二源极/漏极外延部件之间延伸；以及栅极结构，设置在多个沟道构件上方和周围。多个沟道构件与外部衬垫层接触并且与内部填充层间隔开。外部衬垫包括锗和硼，并且内部填充层包括锗和镓。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构以及形成集成电路结构的方法-CN202011261991.0在审
发明人：黄禹轩;蔡庆威;钟政庭;庄正吉;张尚文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的实施例。半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；栅极堆叠件，形成在衬底的前侧上，并且设置在衬底的有源区上；第一源极/漏极部件，形成在有源区上并且设置在栅极堆叠件的边缘处；背侧电源轨，形成在衬底的背侧上；背侧接触部件，插入在背侧电源轨和第一源极/漏极部件之间，并且将背侧电源轨电连接到第一源极/漏极部件。背侧接触部件还包括设置在衬底的背侧上的第一硅化物层。本发明的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。
半导体结构以及形成集成电路方法

[发明专利]制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法-CN201911061790.3在审
发明人： 钟政庭;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙，使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极/漏极部件邻接气隙。第一栅极结构的部分也可以设置在多个硅层的第一层和第二层之间。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法。
制造半导体器件方法栅极及其

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