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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成图案的方法-CN202211535262.9在审
发明人：文炯朗;金荣权;许伦旼;李旻映;金旼秀;李圭原;崔正敏;朴哲弘;高武铉;裴相元;金贞儿 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。
形成图案方法

[发明专利]体声波谐振器封装件-CN202211650065.1在审
发明人：金烔会;朴润锡;李泰京;金贞儿 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本公开提供一种体声波谐振器封装件。所述体声波谐振器封装件包括：基板；盖；以及第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，均包括在所述基板与所述盖彼此相对的方向上堆叠并且设置在所述基板与所述盖之间的第一电极、压电层和第二电极，其中，所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器基于彼此不同的第一谐振频率和第二谐振频率以及彼此不同的第一反谐振频率和第二反谐振频率来形成带宽，所述第一谐振频率和所述第二谐振频率之间的差超过200MHz，所述第一体声波谐振器设置为比所述盖更靠近所述基板，并且所述第二体声波谐振器设置为比所述基板更靠近所述盖。
声波谐振器封装

[发明专利]从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法-CN202210794402.8在审
发明人：李旻映;文炯朗;许伦旼;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
金属抗蚀剂去除边缘组合包括使用步骤形成图案方法

[发明专利]含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法-CN202210793674.6在审
发明人：许伦旼;文炯朗;李旻映;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
金属光致抗蚀剂显影剂组合以及包括使用进行显影步骤形成图案方法

[发明专利]蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法-CN202010013430.2在审
发明人： 金贞儿;金荣灿;李晓山;韩勋;李珍旭;林廷训;金益熙 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。
蚀刻组合制作半导体器件方法

[发明专利]蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法-CN201910879827.7在审
发明人： 金贞儿;朴美贤;李轸雨;金建伶;李晓山;韩勋;李珍旭;林廷训 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
蚀刻金属阻挡方法制造半导体器件

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