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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维半导体存储器件-CN201910762891.7有效
发明人：金俊亨;金洸秀;崔凤贤;金是完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括沿第一方向布置的单元阵列区域和第一连接区域；以及衬底上的第一块结构，第一块结构包括：下叠层，包括竖直堆叠在衬底上的多个下电极；以及暴露下叠层的中间叠层，中间叠层包括竖直堆叠在下叠层上的多个中间电极，其中，在单元阵列区域上，第一块结构在与第一方向交叉的第二方向上具有第一宽度，并且其中，在第一连接区域上，第一块结构在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
三维半导体存储器件

[发明专利]成像设备和成像方法-CN201810791488.2有效
发明人：石川明夫;小泽谦;金洸秀;S·朴;沼田光徳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种成像装置和成像方法。该成像装置包括：照明光源，用于输出照明光；照明光学系统，用于将照明光朝向样品透射；成像光学系统，用于透射从样品反射的光；工作台，用于沿预定传送方向移动样品；以及拍摄单元，用于接收反射光。成像设备可以包括位于样品的共轭焦平面处的一个或多个衍射光栅。拍摄单元的操作可以与工作台对样品的移动同步，以根据时间延迟集成方法获得图像。
成像设备方法

[发明专利]光学测量设备、测量方法和制造半导体装置的方法-CN202211559591.7在审
发明人：李昇祐;金郁来;金洸秀;李明俊;郑西砚;张城豪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：光学测量设备包括：光学系统，其利用光生成测量目标的光瞳图像；偏振生成器，其从光生成偏振光；自干涉生成器，其利用偏振光生成从光瞳图像分割的多个光束，并且使多个光束彼此干涉以生成自干涉图像；以及图像分析单元，其被配置为从自干涉图像提取相位数据，并且基于相位数据将测量目标移动到聚焦位置。
光学测量设备测量方法制造半导体装置方法

[发明专利]用于治疗神经退行性疾病的化合物和方法-CN202180047878.9在审
发明人： 金洸秀;金友利 -专利权人：麦克莱恩医院公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： A61K31/216 文献下载
摘要：本申请提供了例如用于激活Nurr 1和用于治疗涉及Nurr 1的疾病和病状的化合物和方法。
用于治疗神经退行性疾病化合物方法

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201911293508.4在审
发明人：金俊亨;林根元;金洸秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：多个第一绝缘层，垂直地堆叠在外围逻辑结构上；第二绝缘层，与第一绝缘层交替地堆叠；导电层，与第一绝缘层交替地堆叠并且设置在第二绝缘层的侧壁上；贯通互连，穿透第一绝缘层和第二绝缘层从而连接到外围逻辑结构；以及第一导电线，电连接到导电层的多个第一导电层。
三维半导体存储器件

[发明专利]检查设备和检查方法、以及半导体器件制造方法-CN201910418481.0在审
发明人：李明俊;小泽谦;金郁来;朴光植;姜智薰;金洸秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：描述了与基于结构照明(SI)的检查设备有关的系统和方法。基于SI的检查设备可以能够以高分辨率实时精确地检查检查对象，同时减少光的损失。还描述了检查方法，以及包括基于SI的检查方法的半导体器件制造方法。检查设备可包括：光源，配置为产生并输出光束；相移光栅(PSG)，配置为将来自光源的光束转换成SI；分束器，配置为使SI入射到检查对象上并输出来自检查对象的反射光束；台架，能够移动检查对象并且在其上布置检查对象；以及延时积分(TDI)相机，配置为通过检测反射光束来捕获检查对象的图像。
检查设备方法以及半导体器件制造

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201910772275.X在审
发明人：金俊亨;金洸秀;林根元;千志成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维半导体存储器件，其可以包括：第一堆叠块，包括在基板上在第一方向上布置的第一堆叠；第二堆叠块，包括在基板上在第一方向上布置的第二堆叠；以及分离结构，设置在基板上在第一堆叠块和第二堆叠块之间。分离结构可以包括第一模层和第二模层，其在垂直于基板的顶表面的垂直方向上堆叠。
三维半导体存储器件

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN201910433308.8在审
发明人：白石千;金洸秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器装置。所述装置可以包括半导体层和在半导体层上的电极结构。电极结构可以包括第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构包括第一电极部分和第一垫部分，第二电极结构包括第二电极部分和第二垫部分。第一电极部分和第二电极部分中的每个具有第一宽度，第一垫部分和第二垫部分中的每个具有第二宽度，第二宽度可以小于第一宽度。第一电极部分和第二电极部分可以彼此间隔开第一距离，第一垫部分和第二垫部分可以彼此间隔开第二距离，第二距离可以大于第一距离。
第二电极第一电极第一电极结构半导体层电极结构三维半导体存储器

[发明专利]执行检验和计量处理的设备和方法-CN201910417361.9在审
发明人： 金洸秀;朴永圭;张城豪;田炳焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：公开了一种执行检验和计量处理的设备和方法。所述设备可包括：工作台，其被被配置为在其上装载基板；传感器，其位于工作台上；物镜，其位于传感器和工作台之间；光源，其产生将通过物镜被发送到基板的照明光；第一带滤波部件，其位于光源和物镜之间，以将照明光的波长控制在第一带宽内；以及第二带滤波部件，其位于光源和物镜之间，以将照明光的波长控制在第二带宽内，第二带宽小于第一带宽。
物镜带宽照明光光源波长控制滤波部件传感器工作台装载基板基板计量检验配置

[发明专利]治疗帕金森病的方法和组合物-CN200780012800.3无效
发明人：金德中;金天炯;金洸秀 -专利权人：麦克莱恩医院
申请日： 2007-02-15 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： A61K31/4706 文献下载
摘要：本发明特征为通过施用7-氯-4-氨基喹啉化合物如阿莫地喹或格拉非宁治疗或抑制帕金森病发展的方法和试剂盒。干细胞也在本发明方法中有用，且可与7-氯-4-氨基喹啉化合物分开或一起施用。本发明进一步特征为识别在治疗或抑制帕金森病发展中有用的另外化合物的方法。
治疗帕金森病方法组合

[发明专利]磁记录介质的检测装置及其检测方法-CN200510097429.8无效
发明人：普特波夫·维蒂莫;赵成训;李锡原;权宁健;金大锡;金洸秀;李文九 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G11B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁记录介质的检测装置及其检测方法。依据本发明所提供的磁记录介质的检测装置，包含：向所述磁记录介质发出光的外差激光器；使从所述磁记录介质反射的光按特定方向偏振的偏振部；用于接收偏振光的收光部；从接受到的光检测克尔磁信号的检测器；用于显示所检测到的所述克尔磁信号的显示部。据此，提供一种可以正确、简单地检测磁记录介质的克尔磁信号的光学设备检测装置及其检测方法。
记录介质检测装置及其方法

[发明专利]光学器件的检测装置及检测方法-CN200610007307.X有效
发明人：普特波夫·维拉帝莫;赵成训;李锡原;李文九;金洸秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件的检测装置及检测方法。依据本发明所提供的光学器件的检测装置，包含：用于向所述光学器件射出光的激光器；对于所述激光器射出光的相位进行变更的相位变更部；用于将通过所述光学器件的光按特定方向偏振的偏振部；用于集中所偏振光的集光部；用于将所集中的光变换为电信号的光二极管；用于处理所述电信号的信号处理部。据此提供可以测定板状光学器件的双折射和厚度变形程度的光学器件的检测装置及检测方法。
光学器件检测装置方法

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