“金旼永”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]键合装置以及键合方法-CN202010135241.2有效
发明人：高定奭;李恒林;金旼永;金度延;朴志焄;张秀逸;金光燮 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种键合装置以及键合方法，其能够将基板与键合对象(管芯或基板)键合时，避免基板与键合对象之间的键合界面的气体捕集现象的同时，通过阳极键合有效使得基板与键合对象键合。根据本发明实施例的键合方法，其在第一基板上键合包括管芯或第二基板的键合对象，包括：通过从一个或多个等离子体装置的各个等离子体尖端，在要键合所述键合对象的所述第一基板上的键合区域中产生等离子体来对所述键合区域进行亲水化；在所述第一基板上的已被亲水化的键合区域上配置所述键合对象，并使所述等离子体尖端接触于所述键合对象的上部面；以及通过在与所述第一基板的下部面接触的第一电极与设置于所述等离子体尖端的第二电极之间施加电压的阳极键合热处理，在所述第一基板上键合所述键合对象。
装置以及方法

[发明专利]键合装置及键合方法-CN201911051463.X有效
发明人：金度延;李恒林;李忠现;金光燮;金旼永;金度宪;高定奭 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：本发明公开一种能够在将接合对象(芯片或基板)接合到基板上的过程中提高贯通电极(TSV孔)的对准准确度的键合装置及键合方法。根据本发明的实施例的键合方法为用于将接合对象的第二贯通电极对准并接合到基板上的第一贯通电极的键合方法，包括以下步骤：在所述基板上布置所述接合对象；以及通过将具有已设定的共振频率的振动施加到所述接合对象并使所述第一贯通电极和所述第二贯通电极共振，从而将所述第二贯通电极的位置和所述第一贯通电极对准。
装置方法

[发明专利]用于处理基板的设备和方法-CN202110609914.8在审
发明人：李恒林;金旼永;朴志焄 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了一种基板处理设备，包括：转位模块，包括多个装载端口以及传送框架，在每个装载端口上放置其中容纳基板的载体，在所述传送框架中安装传送所述基板的转位机器人；与所述转位模块连接的处理模块，所述处理模块包括处理腔室，在每个处理腔室中处理所述基板；以及基板处理单元，其设置在所述转位模块中并且处理所述基板，所述基板处理单元沿着布置所述多个装载端口的方向设置。
用于处理设备方法

[发明专利]基板处理装置-CN202110512756.4在审
发明人：李恒林;金旼永;朴志焄 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明构思的实施方案提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：下电极，其具有上表面，基板定位在所述上表面上；等离子体生成设备，其设置在所述下电极的上部处，具有上电极，且具有由多个分隔壁分隔的独立放电空间；和控制器，其执行控制以分别将反应气体独立地供应至所述独立放电空间中。
处理装置

[发明专利]处理基板的装置及方法-CN202010312814.4在审
发明人：朴志焄;崔银河;李恒林;金旼永;崔珍成;林俊燮 -专利权人：细美事有限公司;光云大学校产学协力团
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理基板的装置及方法。前述装置包括：支撑单元，其支撑前述基板；上部电极单元，其安置于前述支撑单元上；气体供应单元，其耦接至前述上部电极单元且将制程气体供应至前述基板上；下部电极单元，其安置于置放在前述支撑单元上的前述基板下；及电源，其将电力施加至前述上部电极单元的上部电极且将前述下部电极接地。前述上部电极单元包括基底部件、形成于前述基底部件上的介电层及按在前述介电层上的网格结构提供且产生等离子的前述上部电极。
处理装置方法

[发明专利]接合装置及接合方法-CN201911051462.5在审
发明人：金度延;李忠现;李恒林;金旼永 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种能够在没有利用包含如接合膜和焊料凸点那样的接合介质的情况下将芯片等的接合对象接合到基板上的接合装置及接合方法。本发明的实施例所涉及的接合方法包括以下步骤：对待接合所述接合对象的所述基板上的接合区域和待接合到所述基板上的所述接合对象的接合面进行亲水化；以及通过所述接合对象的经亲水化的接合面与所述基板的经亲水化的接合区域之间的接合力而将所述接合对象预接合到所述基板上。在进行亲水化的步骤中，通过等离子体装置在所述接合面或所述接合区域形成等离子体区域，同时通过液滴喷雾装置向所述等离子体区域喷射液滴而对所述接合面或所述接合区域进行亲水化。
接合装置方法

[发明专利]裸芯接合装置和方法以及基板接合装置和方法-CN201911001477.0在审
发明人：李恒林;高定奭;金光燮;金度延;金旼永;朴志焄;金允基;金度宪;李忠现;李孝锡;张秀逸 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：公开了一种能够在不使用诸如粘附膜和焊料凸点的接合介质的情况下，将裸芯接合至基板或将多个基板接合在一起的裸芯接合装置、基板接合装置、裸芯接合方法以及基板接合方法。裸芯接合方法包括通过等离子体处理使裸芯的接合表面亲水化；通过将包括水的液体供应至基板的接合区域而在基板的接合区域上形成液膜；通过使裸芯与液膜接触而将裸芯预接合至基板；以及通过在一个或多个裸芯预接合至基板的状态下执行热处理而将一个或多个裸芯同时后接合至基板。
接合装置方法以及

[发明专利]用于除去光致抗蚀剂的组合物及利用其形成半导体图案的方法-CN201010207338.6无效
发明人：吉埈仍;李锡浩;朴正濬;金旼永;金裕静;张湧守;梁元模 -专利权人：拉姆科技有限公司
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了用于除去光致抗蚀剂的组合物和形成半导体图案的方法。基于所述组合物的总量，所述组合物包含约3％至8％重量比的胺氧化物、约40％至60％重量比的醚化合物、约3％至20％重量比的胺化合物、约0.1％至10％重量比的抗腐蚀剂和剩余量的去离子水。可减少对光致抗蚀剂下面的层的损坏，并且可有效地除去光致抗蚀剂以及金属蚀刻残留物和可氧化的蚀刻残留物。
用于除去光致抗蚀剂组合利用形成半导体图案方法

[发明专利]用于去除光刻胶的组合物及利用该组合物形成图案的方法-CN200610149823.6有效
发明人：吉埈仍;李锡浩;金敬喜;徐熙;具本旺;金旼永 -专利权人：拉姆科技有限公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成图案的方法，该方法利用了用于去除光刻胶的组合物，在该方法中，在基板上形成层，然后在该层上形成光刻胶图案。利用光刻胶图案作为蚀刻掩膜，对从光刻胶图案露出的层的一部分进行蚀刻，以在基板上形成图案。然后，利用包括羟胺、链烷醇胺化合物、吗啉化合物、极性溶剂、防腐剂、和水的组合物去除光刻胶图案。该组合物可以在不损坏基板和/或包括金属、氮化物、氧化物和/或金属氮化物的图案的情况下，有效地去除光刻胶图案和蚀刻残余物。
用于去除光刻组合利用形成图案方法

1
共 9 条