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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法-CN201410568186.0有效
发明人： 金施耐;许桢;金东植;朴昌蓝 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，在蓝宝石基板上在反应管内部为正压且V/III ratio为10～80的条件下生长第一氮化镓缓冲层；在第一氮化镓缓冲层上在反应管内部为负压且V/III ratio为2～10的条件下生长第二氮化镓缓冲层；交替重复上述步骤，使第一氮化镓缓冲层与第二氮化镓缓冲层反复交替生长。木发明提供的是一种反复交替生长具有2种不同的生长模式的两种氮化镓缓冲层来获得高生长率、低缺陷密度的高品质氮化镓厚膜的方法，且通过本发明提供的缓冲结构制备氮化镓厚膜其厚度可达300μm以上。
一种氮化镓厚膜生长缓冲结构形成方法

[实用新型]一种HVPE的气体混合装置-CN201420439152.7有效
发明人： 金施耐;许桢;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HVPE的气体混合装置，包括总反应管，总反应管内从气体入口至气体出口依次设有气体注入区、原料输送区、原料混合区及基板生长区，基板生长区内设有至少一块基板，其特征在于，所述原料输送区内设有并列布置的至少2根反应管；原料混合区内设有至少2个扩散装置；总反应管内的上下两侧分别设有一个氮源供应装置，氮源供应装置的一端与氮气连通，另一端经过原料混合区后与基板生长区连通。本实用新型利用2个以上(含2个)原料扩散的HVPE混合装置，通过气体筛分方式来促进物理性的气体循环，使两种及两种以上的原料充分混合并最大限度降低原料气体损失。
一种 hvpe 气体混合装置

[实用新型]改进衬底气流方向的HVPE反应器-CN201420439183.2有效
发明人：许桢;金施耐;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进衬底气流方向的HVPE反应器，其特征在于，包括壳体，壳体的顶部设有主干，壳体内设有基板座，主干的一侧设有喷射管一、喷射管二，另一侧设有进气管二、进气管三；基板座上设有基板；基板座中心设有进气管一，进气管一的上下两端从基板座中露出，其中顶端设有喷射孔；基板座与壳体内壁之间的间隙形成排气口。本实用新型提供的反应器生产时，内部第一反应气体、第二反应气体分别从水平方向，垂直方向互相混合，可在大多数半导体基板上形成均匀的延伸结构的薄膜。
改进衬底气流方向 hvpe 反应器

[发明专利]一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法-CN201410382392.2在审
发明人： 金施耐;许桢;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C30B25/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法。所述方法为：在蓝宝石基板上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层；在第二缓冲层上高温生长氮化镓厚膜层；在氮化镓厚膜生长时，第一缓冲层高温热分解为镓和氮气，使氮化镓厚膜层与蓝宝石基板之间产生空隙；缓冲层和氮化镓厚膜层生长完后，在冷却过程中氮化镓厚膜层与蓝宝石基板逐渐分离，得到的氮化镓基板。采用本发明提供的氮化镓基板的方法，生产效率更高，能生产一定厚度的氮化镓基板且不易产生裂纹，提高生产质量。
一种利用分解特性获得支撑氮化镓基板方法

[发明专利]一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法-CN201410382393.7有效
发明人： 金施耐;许桢;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法。所述方法为：HVPE法在蓝宝石基板上生长GaN单结晶膜：包括生长第一缓冲层的阶段，第二缓冲层的阶段，第三缓冲层的阶段；蓝宝石基板经HCI处理后，GaN单结晶膜形成拥有纳米多孔型结构的GaN薄膜缓冲层，并且在纳米多孔型结构的GaN薄膜缓冲层上再依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层，生长出垂直型GaN结晶，即得GaN单结晶基板。本发明通过HVPE设备内的In-situ过程，容易地形成纳米多孔性结构和GaN生长过程，所以可以减少单结晶GaN基板制作时间和费用；纳米多孔型缓冲层厚度可达300μm。
一种氮化生长缓冲形成方法

[发明专利]一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法-CN201410382375.9有效
发明人： 金施耐;许桢;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法。所述制作方法为：低温GaN层在基板上部生长；在低温GaN层上生长高温GaN层；把已经生长了高温GaN层的基板泡在蚀刻溶液中；低温GaN层经蚀刻后消融，则高温GaN层从基板上自然分离，即得GaN基板。本发明是在低温下利用HVPE的方法生长GaN后，高温下GaN厚膜生长完成后做化学蚀刻，再加上利用蚀刻反应形成低温GaN层的界面空隙，由GaN自发分离制作自支撑GaN基板。本发明利用化学的反应，最小化对GaN厚膜的损坏，工艺简单，节约资源，降低生产成本。
一种利用化学蚀刻 gan 制作方法

[发明专利]一种改进衬底气流方向的HVPE反应器-CN201410382372.5有效
发明人：许桢;金施耐;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进衬底气流方向的HVPE反应器，其特征在于，包括壳体，壳体的顶部设有主干，壳体内设有基板座，主干的一侧设有喷射管一、喷射管二，另一侧设有进气管二、进气管三；基板座上设有基板；基板座中心设有进气管一，进气管一的上下两端从基板座中露出，其中顶端设有喷射孔；基板座与壳体内壁之间的间隙形成排气口。本发明提供的反应器生产时，内部第一反应气体、第二反应气体分别从水平方向，垂直方向互相混合，可在大多数半导体基板上形成均匀的延伸结构的薄膜。
一种改进衬底气流方向 hvpe 反应器

[发明专利]在移动终端上提供菜单效果层的方法以及使用菜单效果层提供菜单效果的方法-CN200510076471.1有效
发明人：姜泰暎;金施耐;郑玟和;金有兰;黄昞哲;金奉姬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H04M1/247 文献下载
摘要：公开了菜单效果层，其允许所选择菜单的改良的可视性和对用户的新的和娱乐的界面。该方法包括以下步骤：提供背景层，以显示具有多个对应于移动通信终端菜单项的分块的背景；提供图标层，对应于所述背景层的每个分块，以显示对应于每个分块的菜单项内容；提供选择插入层，对应于所述背景层的每个分块，以显示通过采用指示符输入来移动的分块；以及提供菜单效果层，以向由指示符指示的分块输出预设视觉效果，使得所述移动通信终端的用户可以容易地看到由所述选择插入层的指示符所指示的分块的当前状态。
移动终端提供菜单效果方法以及使用

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