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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括电阻存储层的半导体器件及制造其的方法-CN201510994203.1有效
发明人： 金奎显;金大原;李秉起;曹汉宇 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法，包括：在电阻存储层上顺序地形成界面导电层和刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成主导电层；通过图案化主导电层来暴露刻蚀停止层的一部分；通过图案化刻蚀停止层的所述一部分来暴露界面导电层的一部分；通过图案化界面导电层的所述一部分来形成上电极结构；清洗上电极结构的表面以及电阻存储层的暴露表面；以及使用上电极结构作为刻蚀掩膜来图案化电阻存储层。
包括电阻存储半导体器件制造方法

[发明专利]具有可变电阻层的半导体集成电路器件及其制造方法-CN201510002270.0在审
发明人：姜世勋;金镇河;崔康植;吉德信;金奎显;崔京洙;洪成斌;徐重源 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种半导体集成电路器件，包括：半导体衬底；下电极，设置在半导体衬底上，其中，下电极的上表面具有凹槽；层间绝缘层，设置在半导体衬底和下电极上，层间绝缘层包括：暴露出下电极的上表面的可变电阻区；以及填充在接触下电极的凹槽的可变电阻区中的可变电阻层。可变电阻层形成为具有朝向其顶部和底部增大的宽度。
具有可变电阻半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法-CN201210546406.0有效
发明人：曺成爀;洪权;朴滢淳;金奎显;韩智惠;林廷训;李珍旭;朴宰完;郑灿槿 -专利权人：爱思开海力士有限公司;韩国首尔步瑞株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种包括甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水的刻蚀组合物，以及一种包括利用所述刻蚀组合物的刻蚀工艺的制造半导体器件的方法。本发明的刻蚀组合物显示了氮化物膜相对于氧化物膜的高刻蚀选择性。因此，在利用本发明的刻蚀组合物来去除氮化物膜时，可以通过控制氧化物膜的刻蚀速率来容易地控制有效场氧化物高度（EFH）。另外，可以防止因氧化物膜的损坏或氧化物膜的刻蚀所造成的电气特性的恶化，并且可以防止产生颗粒物，由此确保刻蚀工艺的稳定性和可靠性。
刻蚀组合以及利用制造半导体器件方法

[发明专利]适用于化学机械抛光的浆料及方法-CN201210037449.6无效
发明人：崔容寿;崔在建;金奎显 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种化学机械抛光的浆料，其包含分散于去离子水中的研磨料，以及有机粘度改进剂，所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5～3.2cps的范围内。
适用于化学机械抛光浆料方法

[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法-CN201010255052.5有效
发明人：董且德;金奎显 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-08-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：有源区，所述有源区具有侧壁，所述侧壁包括侧壁台阶；在所述侧壁台阶的表面之下形成的结；和被配置为与所述结相接触的掩埋位线。
具有掩埋半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201010524802.4有效
发明人： 金奎显;洪权;董且德 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：形成多层；刻蚀衬底的一部分和多层来形成多个图案；形成支撑件来支撑多个图案；以及去除在刻蚀期间形成的残留物。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件内的金属线及其形成方法-CN200710146018.2有效
发明人：崔容寿;金奎显 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种在半导体器件中的金属线包括：绝缘层，其具有形成于其中的沟槽；在所述绝缘层和所述沟槽上的形成的阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成的金属层，其中所述金属层填充所述沟槽；以及在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上形成的抗电蚀层。
半导体器件金属线及其形成方法

[发明专利]适用于化学机械抛光的浆料及方法-CN200710103256.5无效
发明人：崔容寿;崔在建;金奎显 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种化学机械抛光的浆料，其包含分散于去离子水中的研磨料，以及有机粘度改进剂，所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5～3.2cps的范围内。
适用于化学机械抛光浆料方法

[发明专利]形成半导体器件的双栅极的方法-CN200610064291.6无效
发明人： 金奎显;崔根敏;崔伯一;金东柱;韩智惠 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成半导体器件的双栅极的方法包括：在半导体衬底的第一区域和第二区域上分别形成用p型杂质离子掺杂的第一多晶硅层和用n型杂质离子掺杂的半导体第二多晶硅层；顺序地使第一和第二多晶硅层的表面经受第一湿法清洁、第二湿法清洁和干法清洁。
形成半导体器件栅极方法

[发明专利]形成半导体器件的电容器的方法-CN200410057664.8有效
发明人： 金奎显;尹孝根;崔根敏 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-08-23 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：形成电容器的方法，包括提供其上形成绝缘中间层的半导体基板；在绝缘中间层上沉积蚀刻停止层、第一和第二氧化物层；蚀刻第二与第一氧化物层形成接触孔，露出插件上方蚀刻停止层；通过具有蚀刻选择性的清洗液清洗接触孔，变大其下部；在接触孔表面与第二氧化物层上形成间隔氮化物层；除去第二氧化物层与插件上方的间隔氮化物层和插件上的蚀刻停止层；在间隔氮化物层上形成双层多晶硅层，其包括彼此重叠掺杂与未掺杂的多晶硅层；在双层多晶硅层上涂布光刻胶膜；背蚀光刻胶膜与双层多晶硅层，除去第二氧化物层上的双层多晶硅层；除去残留光刻胶膜；在未掺杂多晶硅层表面上生长硅质颗粒，形成下部电极；在下部电极上依次形成介电层和上部电极。
形成半导体器件电容器方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN03148452.2无效
发明人： 金奎显;尹孝根;崔根敏 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明揭露一种制造半导体装置的方法，其中一圆柱形电容器藉由选择性蚀刻在一单元(cell)区域中的氧化物薄膜而形成，以防止在单元区域中的氧化物薄膜的湿蚀刻处理期间于单元之间形成桥接。藉由以光致抗蚀剂薄膜覆盖该周边电路区域且选择性蚀刻单元区域中的氧化物薄膜而构成一圆柱形电容器，因此形成在单元区域中的层间绝缘薄膜与形成在周边电路区域中的层间绝缘薄膜之间的阶差(step difference)便可减小，藉此可简化制造程序。此外，藉由利用一单一湿蚀刻工站来进行一简单的湿蚀刻处理，便可防止在单元之间的桥接，而不需要进行一独立分开的干蚀刻处理来清除氧化物薄膜及光致抗蚀剂薄膜图案，藉此便可提升装置的成品率。
制造半导体装置方法

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