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- [发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202310363699.7在审
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金原奭;李廷仁
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三星显示有限公司
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2023-04-07
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2023-10-17
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H10K59/12
- 本公开涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底，包括中心区域和角区域，所述角区域在远离所述中心区域的方向上延伸并且包括多个延伸区域，所述多个延伸区域包括彼此间隔开的远端部分；多个显示元件，布置在所述基底的前表面上，并且布置在所述中心区域和所述多个延伸区域中；以及第一有机填料，在所述多个延伸区域之中的相邻延伸区域之间。所述第一有机填料在所述相邻延伸区域的远端部分之间，并且所述相邻延伸区域和所述第一有机填料设置在所述基底的弯曲表面处，所述弯曲表面不同于所述基底的在所述中心区域中的表面。
- 显示装置制造方法
- [发明专利]存储器装置-CN202011031010.3有效
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吴星来;金原奭;朴商佑
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爱思开海力士有限公司
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2020-09-27
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2023-07-04
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G11C16/04
- 一种存储器装置包括：第一平面，其限定在层叠在第一晶片上的第二晶片中；第二平面，其限定在层叠在第二晶片上的第三晶片中并且在垂直方向上与第一平面交叠；第一页缓冲器电路，其包括第一列运算器和联接到第一平面的位线的第一列驱动器；以及第二页缓冲器电路，其包括第二列运算器和联接到第二平面的位线的第二列驱动器。第一列驱动器设置在第二晶片中，第二列驱动器设置在第三晶片中并且在垂直方向上与第一列驱动器交叠，并且第一列运算器和第二列运算器设置在第一晶片的单元区域中并且在垂直方向上与第一平面和第二平面交叠。
- 存储器装置
- [发明专利]像素和包括像素的有机发光显示设备-CN201910513118.7有效
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鞠承熙;金时雨;金原奭;金正文;张荣宸
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三星电子株式会社
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2019-06-11
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2023-02-17
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G09G3/3233
- 一种像素包括：有机发光二极管(OLED)；第一晶体管，连接到驱动器和第一节点，第一晶体管的栅极连接到控制线；第二晶体管，位于所示第一节点与第二节点之间，第二晶体管的栅极连接到第三节点；第三晶体管连接到所述OLED的阳极，第三晶体管的栅极连接到所述控制线；第四晶体管，位于所述第一节点与数据线之间，第四晶体管的栅极连接到扫描线；第五晶体管，连接在所述第二节点与所述第三节点之间，第五晶体管的栅极连接到所述扫描线；第六晶体管，位于初始化线与所述阳极之间，第六晶体管的栅极连接到所述扫描线；第七晶体管，位于所述初始化线与所述第三节点之间，第七晶体管的栅极连接到另一扫描线；以及存储电容器，位于驱动器与第三节点之间。
- 像素包括有机发光显示设备
- [发明专利]利用离子浓差极化现象的流体净化装置及净化系统-CN201880023493.7有效
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金成哉;金原奭;金基洪;成建镛
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首尔大学校产学协力团;翰林大学校产学协力团
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2018-04-04
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2022-06-24
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B01D61/46
- 本发明是利用离子浓差极化现象的大容量流体净化装置及净化系统。本发明的一实施例涉及的净化装置(100)的特征在于包括：注入通道(120)，其一端具有用于注入待净化物质(B)的入口；净化通道(140)及排出通道(160)，所述净化通道(140)和排出通道(160)在所述注入通道(120)的另一侧通过夹设筛网部(150)而分开，所述净化通道(140)用于排出被净化的物质(F)，而所述排出通道(160)用于排出残余的待净化物质(B')；离子选择性膜(180)，其与筛网部(150)的至少一侧接触；以及缓冲部(200)，其布置在与筛网部(150)接触的离子选择性膜(180)的另一侧。并且，筛网部(150)的表面上形成有离子选择性涂覆层(155)，如果施加电场，则注入通道(120)的另一端和靠近筛网部150的位置产生离子浓差极化(ICP；Ion Concentration Polarization)现象，从而形成离子耗尽区(ion depletion zone)。
- 利用离子极化现象流体净化装置净化系统
- [发明专利]显示装置-CN202110570729.2在审
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金原奭;申靖勋;边湖连
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三星显示有限公司
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2021-05-25
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2021-12-03
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G09F9/00
- 一种显示装置，包括：平坦部分，所述平坦部分由第一方向和与所述第一方向相交的第二方向限定；弯曲部分，所述弯曲部分设置在所述平坦部分的至少一侧，并且在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上弯曲；显示面板，所述显示面板设置在所述平坦部分和所述弯曲部分上方；覆盖窗，所述覆盖窗设置在所述显示面板上，并且设置在所述平坦部分和所述弯曲部分上方；以及接合构件，所述接合构件设置在所述显示面板和所述覆盖窗之间，其中，所述接合构件具有随着温度升高而增加的模量。
- 显示装置
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