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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]杂环化合物-CN201380020704.9有效
发明人：永宫裕之;吉田雅都;濑户雅树;圆井省吾;小田恒夫;石地雄二;铃木英夫;楠本友和;余郷能纪;林徹允;尹喆焕;李吉南;姜炫彬;金光玉;全惠宣 -专利权人：武田药品工业株式会社
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明提供了预防或治疗自身免疫疾病(例如，牛皮癣、类风湿性关节炎、炎性肠疾病、斯耶格伦氏综合征、白塞氏病、多发性硬化、系统性红斑狼疮等等)等等的药物，其具有优良的Tyk2抑制作用。本发明涉及下式所代表的化合物或其盐,其中每个符号如说明书所定义。
杂环化合物

[发明专利]鞍型鳍片晶体管的制造方法-CN200910258878.4有效
发明人： 金光玉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种制造鞍型鳍片晶体管的方法，包括：在衬底上方形成垫层；蚀刻所述衬底以形成第一和第二沟槽，所述第一和第二沟槽限定二者之间的部分衬底；使用绝缘材料填充所述第一和第二沟槽，以分别形成第一和第二隔离结构，其中所述垫层提供在所述部分衬底的上方；使用具有隔离材料对垫层的高选择比的气体，蚀刻所述第一和第二隔离结构，使得所述部分衬底突出于被蚀刻的所述第一和第二隔离结构的上表面上方；移除所述垫层，以暴露出所述部分衬底的上表面；和蚀刻所述部分衬底，以减少所述部分的高度，从而形成鞍型鳍片。
鞍型鳍片晶体管制造方法

[发明专利]电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法-CN200910000359.8无效
发明人： 金光玉;姜惠阑 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、介电层和用于栅电极的导电层；通过选择性地蚀刻用于栅电极的导电层来形成栅电极；在栅电极侧壁上形成包括第一间隔物和第二间隔物的间隔物，第二间隔物由与第一间隔物不同的材料形成；和通过使用间隔物作为蚀刻阻挡层来蚀刻介电层和电荷俘获层，由此防止在蚀刻电荷俘获层时对栅电极的侵袭，并因此增加晶体管的可靠性和稳定性。此外，在一个或更多个实施方案中，垂直地形成电荷俘获层图案的侧壁，由此防止拖尾形成和对衬底的侵袭。
电荷俘获非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910000358.3无效
发明人： 金光玉;姜惠阑 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：在衬底上形成的多个沟槽图案；在沟槽图案侧壁上形成的栅极绝缘层；在沟槽图案上形成的栅电极；连接栅电极的线图案；和在邻近沟槽图案侧壁的衬底上部和下部中形成的源极区和漏极区。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]连接器-CN200820218897.5无效
发明人： 金光玉 -专利权人： 金光玉
申请日： 2008-11-04 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： F16L37/252 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种连接器。采用的技术方案是：由两个构件组成；其中一个构件是：插管与连接部连接，连接部上制有卡槽，插管内设有弹簧，弹簧与密封垫连接，密封垫与推杆连接，密封垫的直径大于连接部出水口的直径；另一个构件是：插管与连接部连接，连接部上设有卡销，插管内设有弹簧，弹簧与密封垫连接，密封垫与推杆连接，密封垫的直径大于连接部出水口的直径，连接部一端设有密封圈，两个构件通过卡销插入卡槽内活动连接。本实用新型可以将制成分体式的温水循环床垫在分开时，使各自管路内的水不流出，而连接时保持管路内的水循环畅通。
连接器

[发明专利]鳍状晶体管的制造方法-CN200710105291.0有效
发明人： 金光玉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造鳍状晶体管的方法，包括：利用隔离掩模，使提供在衬底上方的第一垫层图案化；利用所述隔离掩模和所述第一垫层，蚀刻所述衬底以形成沟槽；使用绝缘材料填充所述沟槽，以形成隔离结构；使用具有绝缘材料比第一垫层的高选择比的气体，蚀刻在沟槽中的隔离结构，以形成鳍状结构；在所述鳍状结构上方，形成栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上方，形成导电层。
晶体管制造方法

[实用新型]温水循环控制器-CN200720010785.6无效
发明人： 金光玉;赵熙济 -专利权人： 金光玉
申请日： 2007-03-08 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： F24H1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种温水循环控制器。采用的技术方案是：一种温水循环控制器，包括壳体、控制面板、电路板、塞子，壳体分为上盖和下盖，上盖有控制面板，上盖与控制面板相对应位置有电路板，水箱与上盖和下盖连接，水箱上有回水管和进水口和出水口，塞子穿过上盖，并通过水箱上的进水口与水箱活动连接；水箱与加热板连接，加热板与加热器连接；风扇安装于风扇盖内，风扇上有弹簧垫，风扇盖上有出水管，风扇盖与加热板连接；马达分别与风扇盖和马达盖连接，马达盖内有弹簧垫、垫圈和轴垫，马达内有转轴，转轴的两端为尖形，转轴的两端分别与风扇和轴垫连接。本实用新型无噪音，可以满足人们在休息时，既要求温度适宜，又无噪音，提高了休息质量。
温水循环控制器

[发明专利]具有球形凹陷和鞍鳍的半导体器件及其制造方法-CN200710090771.4无效
发明人： 金光玉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包含：有源区；形成在有源区的沟道形成区中的具有一定深度的球形凹陷；包围有源区的器件隔离结构，其中器件隔离结构具有线形开口，使得器件隔离结构的表面低于球形凹陷的底部，并且部分有源区呈鞍鳍状突出于器件隔离结构；形成在由开口暴露的器件隔离结构和包含球形凹陷的有源区上方的栅极绝缘层；和形成在栅极绝缘层上方的栅电极，栅电极填充在球形凹陷中，并且覆盖由开口暴露的器件隔离结构。
具有球形凹陷半导体器件及其制造方法

[发明专利]五沟道鳍式晶体管及其制造方法-CN200610150790.7有效
发明人： 金光玉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：限定凹陷有源区的衬底；鳍式有源区，连接到凹陷有源区并在凹陷有源区以上延伸。鳍式有源区包括第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧，第一侧和第二侧紧邻凹陷有源区，第五侧是鳍式有源区的上侧，第三侧设置于第一侧与第五侧之间，第四侧设置于第二侧与第五侧之间。栅绝缘层形成在鳍式有源区的第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧之上。栅电极层形成在栅绝缘层之上以基本上围绕鳍式有源区的第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧。
沟道晶体管及其制造方法

[发明专利]具有双栅结构的半导体器件的制造方法-CN200610149852.2无效
发明人： 金光玉;郑永均 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种用于制造具有双栅结构的半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底之上形成栅氧化物层；在栅氧化物层之上形成栅导电层；在栅导电层之上形成无定形碳层；在无定形碳层之上形成感光图案；使用感光图案作为蚀刻掩膜来蚀刻无定形碳层，以形成图案化的无定形碳层；使用图案化的无定形碳层作为离子注入阻挡来执行第一离子注入工艺，以使杂质注入于栅导电层上；去除图案化的无定形碳层；以及图案化栅导电层，以形成栅结构。
具有结构半导体器件制造方法

[发明专利]利用钨作为牺牲硬掩膜制造半导体器件的方法-CN200510073045.2有效
发明人： 金光玉;曹允硕;文承灿;郑镇基;李圣权;宣俊劦;李东德;金镇雄;尹奎汉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-05-30 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用钨作为牺牲硬掩膜材料来制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在蚀刻目标层上形成一个层；在该层上形成光刻胶图案；通过使用该光刻胶图案为蚀刻掩膜连同使用含有CHF₃气体的等离子体来蚀刻该层以形成牺牲硬掩膜；以及通过使用至少该牺牲硬掩膜作为蚀刻掩膜来蚀刻该蚀刻目标层，由此获得预定图案。
利用作为牺牲硬掩膜制造半导体器件方法

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