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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202211101974.X在审
发明人： 野濑幸则 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；绝缘层，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；栅电极，设于所述绝缘层之上，经由所述第一开口与所述半导体层接触；以及源电极和漏电极，与所述半导体层欧姆接触，所述栅电极具有：结晶性控制膜，设于所述绝缘层之上，并具备第二开口，该第二开口被形成为其内壁在从与所述基板的上表面垂直的方向的俯视观察下朝向所述基板与所述第一开口的内壁相连；第一金属膜，设于所述结晶性控制膜之上，经由所述第二开口和所述第一开口各自的相连的内壁与所述半导体层肖特基接触；以及第二金属膜，设于所述第一金属膜之上，所述第二金属膜的电阻比所述第一金属膜的电阻低。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202210271918.4在审
发明人：渡边整;野濑幸则 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开的课题在于提供能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：源电极和漏电极，沿着与基板的第一主面平行的第一方向排列；栅电极，位于所述源电极与所述漏电极之间；第一保护膜，覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极；源极场板，形成于所述第一保护膜上，电连接于所述源电极，在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察时位于所述栅电极与所述漏电极之间；以及绝缘击穿抑制部，具备在从与所述第一主面平行并且与所述第一方向垂直的第二方向的剖视观察时位于所述源极场板的所述漏电极侧的端与所述漏电极的所述源极场板侧的端之间的部分，抑制所述第一保护膜的绝缘击穿。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202111346077.0在审
发明人： 野濑幸则;渡边健一 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，具备：半导体层；源电极和漏电极，设于所述半导体层的上表面；栅电极，设于所述半导体层的上表面，位于所述源电极和所述漏电极之间；第一绝缘膜，设于所述栅电极的上方；以及场板，设于所述第一绝缘膜的上方，所述场板的至少一部分重叠在所述栅电极的上方，所述场板具有第一金属层和设于所述第一金属层的上表面的第二金属层，所述第一金属层包含金，所述第二金属层包含钽、钨、钼、铌以及钛中的至少一种。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN202110615327.X在审
发明人： 野濑幸则 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造方法。一种半导体器件制造方法，其包含以下步骤：形成电极，所述电极包含在半导体层上依次层叠的Ni层和Au层；通过在350℃以上的温度下对该电极进行热处理以在Au层的至少一部分表面处析出Ni、并且将所析出的Ni氧化从而形成Ni氧化膜；以及形成与Ni氧化膜接触并且含有Si的绝缘膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法和半导体器件-CN201910501356.6在审
发明人： 野濑幸则 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造方法和半导体器件。一种半导体器件制造方法，其包含以下步骤：形成电极，所述电极包含在半导体层上依次层叠的Ni层和Au层；通过在350℃以上的温度下对该电极进行热处理以在Au层的至少一部分表面处析出Ni、并且将所析出的Ni氧化从而形成Ni氧化膜；以及形成与Ni氧化膜接触并且含有Si的绝缘膜。
电极半导体器件制造析出氧化膜半导体器件热处理半导体层依次层叠表面处绝缘膜

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910122162.5在审
发明人：菅原健太;野濑幸则 -专利权人：住友电气工业株式会社;住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明披露了一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法。高电子迁移率晶体管(HEMT)类型的半导体器件具有位于半导体层上的双层SiN膜，其中第一SiN膜通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术形成，而第二SiN膜通过等离子体辅助CVD(p‑CVD)技术形成。另外，栅极具有双金属布置方式，其中一种金属包含镍(Ni)作为肖特基金属，另一种金属不含Ni且覆盖前一种金属。本发明的特征在于：所述第一金属与半导体层接触，但与第二SiN膜分离。
半导体器件金属半导体层高电子迁移率晶体管低压化学气相沉积等离子体辅助布置方式膜分离双金属肖特基覆盖

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