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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410558636.8有效
发明人： 野村昭彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种具备设置于基板的贯通电极的且可靠性高的半导体装置及其制造方法。形成从半导体基板(10)的主面(13)到设置有导电层(16)的主面(11)贯通半导体基板的贯通孔(20)，形成从贯通孔(20)的底部经由贯通孔的侧面而延伸到主面(13)的绝缘膜(22)，至少在贯通孔的侧面的绝缘膜(22)上以及主面(13)上的绝缘膜(22)上涂覆有机部件(24)，除去有机部件(24)中的气泡以及有机部件(24)与绝缘膜(22)之间的气泡，在有机部件(24)形成开孔(25)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310196797.2有效
发明人： 野村昭彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种具备设置在基板的贯通电极且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，通过从半导体基板（10）的主面（13）到主面（11）贯通半导体基板，形成使设置在主面（11）侧的导电层（16）在底部露出的通孔（20），形成从通孔（20）底部经由通孔侧面延伸至主面（13）的晶种层（24），在晶种层上利用第1镀层处理形成导电层（26），在导电层（26）上形成光刻胶（28），利用显影处理形成在光刻胶露出通孔（20）的开孔（29），将形成有开孔的光刻胶作为掩膜，在从光刻胶露出的导电层（26）上通过第2镀层处理形成导电层（30）。
导电层光刻胶通孔主面半导体装置半导体基板镀层处理晶种层开孔侧面延伸贯通电极显影处理基板掩膜制造贯通

[发明专利]加速度传感器装置-CN200910005618.6有效
发明人： 野村昭彦;加藤健二 -专利权人： OKI半导体株式会社
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种加速度传感器装置，可防止锤部、梁部和压电电阻元件的破损以及特性变化，可提高加速度传感器装置的可靠性。加速度传感器装置包括：具有锤部(11)、在该锤部(11)的周围具有间隔地配置的底座部(12)、挠性连接锤部(11)和底座部(12)的多个梁部(13)的加速度传感器芯片(10)；为了限制锤部(11)的变位而设置在加速度传感器芯片(10)上的限位板(20)。限位板(20)在与梁部(13)相对的位置具有凹部(25)，所以能不对梁部(13)带来冲击地限制锤部(11)的变位。
加速度传感器装置

[发明专利]加速度传感器的构造及其制造方法-CN200910005608.2无效
发明人： 野村昭彦 -专利权人： OKI半导体株式会社
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种加速度传感器的构造及其制造方法，对于具有限位部构造的加速度传感器，特别是利用微细加工工艺制造的具有限位部构造的加速度传感器，能消除锤和限位部粘附的问题。本发明提供的加速度传感器，其特征在于，包括：锤部；具有间隔地包围所述锤部的周围的框部；连接所述锤部和所述框部的梁部；以及限位部，该限位部具有限制所述锤部垂直向上的变位的变位限制部，和连接在该变位限制部上并且与该锤部、所述框部、所述梁部具有间隔的挠性部。
加速度传感器构造及其制造方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN200710142597.3无效
发明人： 野村昭彦 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-08-29 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在背面形成有粘接膜的半导体芯片的制造方法。在将半导体晶片单片化而形成的半导体芯片的背面形成均匀膜厚的粘接膜的方法，包括：利用旋涂法在假晶片上涂敷贴片剂而形成涂膜的工序；使半导体晶片的背面粘贴于假晶片上的贴片剂的涂膜上的工序；分割该半导体晶片而形成单片的单片化工序；以及从假晶片上剥下单片，将贴片剂的涂膜转印于单片的背面而形成粘接膜的工序。
半导体芯片制造方法

[发明专利]相变型光记录介质-CN200710102184.2有效
发明人：田畑浩;野村昭彦;樋口慎二 -专利权人：日本胜利株式会社
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种光记录介质，在具有至少1层信息层的相变型光记录介质中，可得到高的反射率。光记录介质(D)包括在以激光(L)所入射的入射面(1A)为底面的第1基板1上按照第1保护膜8、第2保护膜9、记录膜10的顺序至少层叠该第1保护膜、第2保护膜、记录膜的信息层D2。当特定波长的光L中的第1保护膜的折射率为n1，第2保护膜的折射率为n2时，满足以下公式(1)至公式(3)：n1＞n2…(1)，n1－n2≥0.02…(2)，2.1≤n1≤2.5、1.5≤n2＜2.1…(3)。
相变记录介质

[发明专利]加速度传感器的结构及其制造方法-CN200710078943.6无效
发明人： 野村昭彦 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：具有阻挡器结构的加速度传感器及其制造方法，尤其是通过微细加工工艺制造的具有阻挡器结构的加速度传感器，其可以消除锤与阻挡器粘接的问题。本发明提供具有下述特征的加速度传感器，具有：第1基板，所述第1基板具有锤固定部，离开该锤固定部并围绕该锤固定部的台座固定部，可以挠曲地连接该锤固定部与该台座固定部的支撑梁，离开该锤固定部和该支撑梁但与该台座固定部相连的阻挡器；通过第1连接层连接在上述锤固定部上，与上述阻挡器分离但与其重叠的锤部；与上述锤部分离，通过第2连接层连接在上述台座固定部上的台座部；与上述阻挡器分离，形成在该阻挡器与上述锤部之间的该锤部上的凸起部。
加速度传感器结构及其制造方法

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