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[发明专利]半导体器件-CN202310254153.8在审
发明人：永久克己;酒井敦;后藤洋太郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底、各自从半导体衬底的上表面形成的第一源极区域和第一漏极区域、经由第一栅极介电膜在半导体衬底上形成的在第一源极区域与第一漏极区域之间的第一栅极电极、在栅极长度方向上在半导体衬底的上表面中形成的在第一栅极介电膜与第一漏极区域之间的第一沟槽、在栅极长度方向上在半导体衬底的上表面中形成的在栅极介电膜与第一漏极区域之间的比第一沟槽浅的第二沟槽，以及嵌入第一沟槽和第二沟槽中的第一介电膜。第一沟槽和第二沟槽在栅极宽度方向上彼此接触。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211255764.6在审
发明人：名渊雄太;永久克己;酒井敦;下村彰宏;德田悟 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件，包括其中形成有多个单位单元的单元区、以及在平面图中围绕该单元区的外围区。多个单位单元中的每个单位单元包括具有漂移区的半导体衬底、体区、源区、一对第一柱区、以及被形成在沟槽中的栅电极，栅绝缘膜被插入在沟槽与栅电极之间。阱区被形成在外围区中的漂移区的表面上。第二柱区被形成在阱区下方的漂移区中并且在Y和X方向上延伸以包围单元区。阱区被连接到体区，第二柱区被连接到阱区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211077121.7在审
发明人：名渊雄太;柳川洋;永久克己;酒井敦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种能够在单元部分的终端部分附近确保足够的击穿电压的半导体器件及其制造方法。单元部分包括彼此相邻的第一单元柱状区域和第二单元柱状区域，以及布置在第一单元柱状区域和第二单元柱状区域之间的第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极。外周部分包括连接到第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极中的每个单元沟槽栅极的端部的外周沟槽栅极和相对于外周沟槽栅极而被布置在单元部分侧上并且在平面图中跨第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极延伸的第一外周柱状区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211240861.8在审
发明人：永久克己;名渊雄太;酒井敦;下村彰宏;德田悟 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括多个单位单元。多个单位单元中的每个单位单元具有一对柱区、在X方向上被形成在该对柱区之间的一对沟槽、以及分别经由栅绝缘膜被形成在该对沟槽中的一对栅电极。在X方向上相邻的两个单位单元共享一对柱区中的一个柱区，并且被布置为关于所共享的柱区对称。这里，两个相邻单位单元中的沟槽中的与插入其间的一个柱区相邻的两个沟槽之间的距离不同于一个单位单元中的一对沟槽之间的距离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201810927289.X有效
发明人：藤井宏基;酒井敦;森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。本发明提供一种可以确保高击穿电压且可以应用简化的制造过程的半导体装置以及制造所述半导体装置的方法。n+掩埋区具有浮置电位。n型体区被定位在所述n+掩埋区的第一表面侧。p+源区被定位在所述第一表面中且与所述n型体区形成p‑n结。p+漏区与所述p+源区间隔开地被定位在所述第一表面中。p型杂质区PIR被定位在所述n+掩埋区与所述n型体区之间，且使所述n+掩埋区和所述n型体区彼此隔离。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201480001967.X有效
发明人：吉田浩介;新田哲也;酒井敦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在半导体器件中，p⁺背栅区域(PBG)在主表面(S1)上配置在n⁺源极区域(SR)的第一及第二部分(P1，P2)之间，并且相对于n⁺源极区域(SR)配置在n⁺漏极区域(DR)侧。由此，能够得到导通耐压较高的半导体器件。
半导体器件源极区域背栅区域漏极区域主表面导通耐压配置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910087496.3在审
发明人：冈本康宏;町田信夫;新井耕一;久田贤一;山下泰典;江口聪司;宫本广信;酒井敦;永久克己 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在作为SiC衬底的半导体衬底上形成漂移层。漂移层包括第一至第三n型半导体层和p型杂质区域。在此，第二n型半导体层的杂质浓度高于第一n型半导体层的杂质浓度和第三n型半导体层的杂质浓度。而且，在平面图中，位于彼此相邻的p型杂质区域之间的第二半导体层与在沟槽中形成的栅极电极的至少一部分重叠。
半导体器件漂移层衬底半导体层栅极电极半导体制造

[发明专利]半导体器件-CN201811654142.4在审
发明人： 酒井敦;永久克己;江口聪司;町田信夫;新井耕一;冈本康宏;久田贤一;山下泰典 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开用于改进半导体器件的特性。在沟槽下方的漂移层中布置有具有与漂移层相反的导电类型的杂质的第一p型半导体区域，并且进一步布置第二p型半导体区域，第二p型半导体区域从上往下看与形成有沟槽的的区域间隔一定距离并且具有与漂移层相反的导电类型的杂质。第二p型半导体区域通过在Y方向(图中的深度方向)上布置在空间中的多个区域配置。因此，通过提供第一和第二p型半导体区域以及进一步通过布置由空间间隔的第二p型半导体区域，可以在保持栅极绝缘膜的击穿电压的同时降低比导通电阻。
漂移层半导体器件导电类型比导通电阻栅极绝缘膜击穿电压空间间隔区域间隔区域配置改进

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710546119.2在审
发明人：永久克己;酒井敦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在具有STI结构的元件隔离区的LDMOS中，防止绝缘击穿的发生，绝缘击穿可能是在接近元件隔离区的底面的边缘部分的半导体衬底中产生的电子倾泻到栅极电极中时引起的。在紧接着接近嵌入在源极区和漏极区之间的半导体衬底的主表面中的元件隔离区的偏移区的上表面上，提供穿透形成栅极电极的硅膜的沟槽。结果，硅膜和用于填充沟槽的金属膜形成栅极电极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410643783.5在审
发明人：永久克己;酒井敦;有江宽之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供一种具有高灵敏度，产生较少模糊现象并能提供高可靠性图像的光电转换元件的半导体器件。半导体器件具有半导体衬底，第一p型外延层，第二p型外延层以及第一光电转换元件。第一p型外延层形成在半导体衬底的主表面上。第二p型外延层形成为覆盖第一p型外延层的上表面。第一光电转换元件形成在第二p型外延层中。第一和第二p型外延层每个都由硅制成，并且第一p型外延层具有高于第二p型外延层的p型杂质浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电动自行车、充电器以及电路-CN201410040237.2在审
发明人：池田孝伸;穗积学;谷口桂太郎;畑中英孝;酒井敦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供电动自行车、充电器以及电路，在自行车主体、电池包与充电器之间连接有通信线路。电动自行车具备检测充电器与电池包连接的连接状态的连接检测电路。通信线路具备地线和通信线，通信线在自行车主体侧经由第1上拉电阻而与自行车主体侧的电源线连接，在充电器侧经由第2上拉电阻而与充电器侧的电源线连接。在电动自行车中，连接检测电路检测通信线的电压并检测处于非工作状态的充电器与电池包连接的连接状态，控制电路切断从电池包向行驶电动机的供电。由此，能以简单的构造检测处于不供电的非工作状态下的充电器与电池包连接的情况，从而停止对电动机的供电。
电动自行车充电器以及电路

[发明专利]具有模制密封件的电气端子连接-CN201080042027.7无效
发明人： 酒井敦 -专利权人：德尔福技术有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01R11/12 文献下载
摘要：一种耐腐蚀的电连接结构具有带有导电芯部和绝缘外套的导电电缆。导电端子电连接到芯部的延伸超出绝缘外套的引线。模制成的热熔融物密封件使芯部和端子的交界部段相对于周围的电解质密封。在示例性的实施例中，芯部由铝或铝合金制成，而端子由铜合金制成。
具有密封件电气端子连接

[发明专利]生铁制造方法-CN200980119990.8无效
发明人：石渡夏生;广羽弘行;主代晃一;酒井敦 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C21B5/00 文献下载
摘要：一种使用了高锌含量铁矿石的生铁制造方法，其使用含有0.01质量％以上的锌、50质量％以上的铁的高锌含量铁矿石制造高炉原料(2)，将该高炉原料(2)装入高炉(1)而制造生铁，并将高炉废气中的含锌炉尘(4)回收，使用还原炉(5)从含锌炉尘(4)中将锌(6)回收。优选将混合了含锌炉尘(4)和成分调节材料的混合原料装载到移动型炉床上，从该移动型炉床上部进行热供给而将混合原料还原，制造还原铁(7)，并将锌(6)回收。
生铁制造方法

[发明专利]积层电池、能与其连接的电气设备和积层电池种类判定法-CN200410075260.1无效
发明人：山口昌男;酒井敦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-13 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01M10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠地进行包括电池的真伪判定在内的种类判定的积层电池。积层电池包括：二次电池(6)、与二次电池(6)的电极连接并露出在外部的一对充放电端子(4)、同样露出在外部且用于判定积层电池(2)的种类的积层电池信号端子(5)。还包括：与积层电池信号端子(5)连接，并通过积层电池信号端子(5)接收从电气设备主体(1)送出的确认信号用的积层电池通信部(7)；根据规定的条件产生随机数用的随机数产生部(9)；根据积层电池通信部(7)所接收的确认信号和随机数产生部(9)所产生的随机数，生成判定信号，并通过积层电池信号端子(5)从积层电池通信部(7)发送到电气设备主体(1)侧的积层电池控制部(8)。
电池与其连接电气设备种类判定

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