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[发明专利]二维材料场效应晶体管的建模方法及装置-CN202310266025.5在审
发明人：任天令;鄢诏译;刘厚方;田禾;杨轶;侯展;鲁添;赵瑞婷;闫涧澜;闫岸之;王震泽 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种二维材料场效应晶体管的建模方法及装置，其中，方法包括：基于二维材料场效应晶体管的器件结构与电学特性测试偏置配置信息，确定沟道的源结、本征沟道和漏结的坐标区间；根据划分的坐标区间建立源结和漏结的Landauer载流子输运物理图景的数学模型；利用预设Landauer公式和预设漂移扩散公式的准费米能级相空间(QFLPS)形式分别生成源结、本征沟道和漏结的电流输运，得到电流的综合公式。由此，解决了相关技术中，通过基尔霍夫电流守恒定律求解内部节点电压计算得到最终的结‑沟道串联电流，严重影响计算效率，不满足电路仿真的效率要求，按照并联取加权平均的方法没有物理含义，不利于从物理角度根据实验结果对工艺进行评估等问题。
二维材料场效应晶体管建模方法装置

[发明专利]计算场效应晶体管沟道表面静电势自洽解的方法及装置-CN202310224668.3在审
发明人：任天令;鄢诏译;刘厚方;田禾;杨轶;侯展;吴凡;闫涧澜;王震泽 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本申请涉及建模技术领域，特别涉及一种计算场效应晶体管沟道表面静电势自洽解的方法及装置，其中，方法包括：基于预设栅电容方程的零温极限，得到静电势零温极限精确解析解，代入含温度展宽系数软化函数得到一般温度静电势逼近解，并取优化系数向量映射的线性近似作为生成任意温度初始解的种子，计算漏源电流。本申请实施例可以基于零温极限下栅电容方程的求解，获取一般温度静电势逼近解，通过软化系数的向量优化，生成任意温度下充分接近准确解的迭代初始值生成公式，以实现场效应晶体管表面静电势的高效数值计算，进而得到漏源电流，由此提升了表面静电势迭代收敛过程的速度，优化了数值计算的效率与精确度，更加准确实用。
计算场效应晶体管沟道表面静电方法装置

[发明专利]单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置-CN202310128233.9在审
发明人：任天令;王震泽;鄢诏译;刘厚方;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及铁电存储技术领域，特别涉及一种单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置，其中，方法包括：判断单畴铁电晶体管是否满足实施三态存储的条件；若单畴铁电晶体管满足实施三态存储的条件，则确定单畴铁电晶体管的三态操作手续种类和目标状态；基于目标三态操作手续对单畴铁电晶体管进行操作，使得单畴铁电晶体管进入目标状态，以在目标状态完成存储动作。由此，解决了相关技术中对于单个铁电畴的利用均局限于上下两个态的问题，拓展了传统操作模式只涵盖铁电畴的上下两态的技术限制，使单畴铁电晶体管能够实现三态存储，提高了数据存储密度，提高存算一体电路集成度。
单畴铁电晶体管三态存储操作方法装置

[发明专利]用于三稳态存储的存储单元-CN202111370758.0有效
发明人：任天令;鄢诏译;侯展;田禾;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C11/414 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器和第二匀质反相器的沟长相同，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。
用于稳态存储单元

[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构-CN202123139754.X有效
发明人： 鄢诏译;袁松;赵海明;钮应喜;钟敏;史田超;左万胜;张晓洪 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括衬底，衬底表面依次生长GaN缓冲层、AlGaN层和电极层，GaN缓冲层包括在衬底表面依次生长碳掺杂GaN层Ⅰ和非故意掺杂GaN层Ⅰ而形成的反偏PN结，反偏PN结的两侧设置有将其中储存的电荷泄放的泄放结构，本实用新型的有益效果是，本实用新型通过在缓冲层引入泄放结构来释放掉因PN结反偏势垒而存储的电荷，可抑制C‑GaN HEMT器件的电流崩塌效应，同时保证了晶体管结构整体的性能。
一种氮化电子迁移率晶体管结构

[实用新型]用于三稳态存储的存储单元-CN202122837286.7有效
发明人：任天令;鄢诏译;侯展;田禾;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。
用于稳态存储单元

[实用新型]基于双极型场效应晶体管的阈值反相器-CN202122837265.5有效
发明人：任天令;鄢诏译;田禾;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本申请提出一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其中，阈值反相器包括：第一匀质反相器至第N匀质反相器，其中，第一匀质反相器至第N匀质反相器的第一端均连接输入电压，第N‑1匀质反相器的第二端连接第N匀质反相器的第三端，并输出第N‑1匀质反相器的输出电压，第N匀质反相器的第二端连接第一供电电压，第一匀质反相器的第三端连接第二供电电压。本申请负责实现器件阈值电压匹配的设计参数完全由双极型场效应晶体管的沟长参数承担，不再需要涉及不同掺杂类型晶体管之间的匹配，设计简单，可以应用到诸如闪烁型模数转换器(Flash ADC)等场合。
基于双极型场效应晶体管阈值反相器

[发明专利]基于双极型场效应晶体管的阈值反相器及其量化方法-CN202111370677.0在审
发明人：任天令;鄢诏译;田禾;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H03M1/36 文献下载
摘要：本申请提出一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相器及其量化方法，其中，阈值反相器包括：由双极型场效应晶体管构成的第一匀质反相器至第N匀质反相器，其中，第一匀质反相器至第N匀质反相器的第一端均连接输入电压，第N‑1匀质反相器的第二端连接第N匀质反相器的第三端，并输出第N‑1匀质反相器的输出电压，第N匀质反相器的第二端连接第一供电电压，第一匀质反相器的第三端连接第二供电电压。本申请负责实现器件阈值电压匹配的设计参数完全由双极型场效应晶体管的沟长参数承担，不再需要涉及不同掺杂类型晶体管之间的匹配，设计简单，可以应用到诸如闪烁型模数转换器(Flash ADC)等场合。
基于双极型场效应晶体管阈值反相器及其量化方法

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